Электростатическая отклоняющая система Советский патент 1990 года по МПК H01J49/00 

Описание патента на изобретение SU1557603A1

+ vs ;jarctg Lth(5

(1) ifr.

ft- x , ,Ъ v п л; I

„....) tg(.r rj| i

Похожие патенты SU1557603A1

название год авторы номер документа
Многоканальная электронно-лучевая трубка для когерентно-оптической обработки сигналов 1982
  • Глухой Юрий Ойзерович
  • Лахтанов Вадим Терентьевич
  • Юхимук Адам Корнилович
SU1022335A1
Фотоэлектронный умножитель 1980
  • Петров Игорь Алексеевич
  • Непомнящая Алевтина Анатольевна
SU930431A1
Электроннооптическое устройство со скорректированной сферической аберрацией 1980
  • Афанасьев Василий Петрович
  • Иванова Людмила Петровна
  • Садыкин Александр Дмитриевич
SU920892A1
Масс-спектрометр 1980
  • Фишкова Татьяна Яковлевна
  • Шпак Евгений Владимирович
SU873307A1
Электронно-оптическое устройство 1980
  • Гершберг Анатолий Евгеньевич
  • Литвинова Алла Петровна
  • Маркизов Александр Сергеевич
  • Петров Игорь Алексеевич
SU951465A1
Электростатическая система отклонения со скорректированной аберрацией 1981
  • Афанасьев Василий Петрович
  • Фишкова Татьяна Яковлевна
SU983819A1
Электронно-лучевой прибор 1989
  • Данилов Вениамин Григорьевич
  • Еремина Анна Филипповна
SU1732392A1
Электростатический энергоанализатор заряженных частиц 1988
  • Фишкова Татьяна Яковлевна
  • Корищ Илья Александрович
SU1597967A1
Электростатический энергоаназилатор заряженных частиц 1983
  • Фишкова Т.Я.
SU1120870A1
Радиоакустический способ измерения профиля ветровых потоков 1985
  • Алехин Владимир Иванович
  • Клюшин Александр Игоревич
  • Корытцев Игорь Васильевич
  • Сидоров Геннадий Иванович
SU1252749A1

Иллюстрации к изобретению SU 1 557 603 A1

Реферат патента 1990 года Электростатическая отклоняющая система

Изобретение относится к электронной оптике и может использоваться при разработке приборов со сканированном пучка по поверхности в двух взаимноперпендикулярных направлениях. Цель изобретения - повышение чувствительности отклонения и расширение функциональных возможностей-достигается путем отклонения частиц по двум взаимно перпендикулярным направлениям. Отклоняющая система содержит четное или нечетное число пар противолежащих электродов 1, 2, 3, 4, 5, 6, обладающих двумя взаимноперпендикулярными плоскостями антисимметрии, вдоль линии пересечения которых направлена продольная ось устройства, в направлении которой сдвигаются отклоняемые частицы. Противолежащие в каждой паре электроды подключены к источникам напряжения 7 и 8 противоположной полярности, за счет чего обеспечивается отклонение частиц в вертикальной плоскости. Кроме того, на каждую пару электродов, противолежащих относительно вертикальной плоскости антисимметрии, подаются дополнительные смещения потенциалов противоположного знака, обеспечивающих отклонение частиц в горизонтальной плоскости. Изобретение характеризуется повышенной чувствительностью отклонения и малыми аберрациями. 4 з.п. ф-лы, 3 ил.

Формула изобретения SU 1 557 603 A1

где A;., 1, + la + ... 1, ;

;, + 1;.

Размеры 1 и d указаны на фиг, 1. Потенциалы и + ; Vij, симметричные относительно плоскостей XOZ и YOZ и антисимметричные относительно плоскостей YOZ и XOZ соответственно обеспечивают отклонение в горизонтальном и вертикальном направлениях. Коэффициенты при первой гармонике в разложении потенциала (1) в виде ряда по степеням х, у , ответствен-

ные за чувствительность отклонения, равны:

0

к - z: г,

.v.....

i / И «

сМ V,

fl,

к

5

а

,,

(2)

Коэффициенты при высших гармониках в разложении потенциала (1), определяющие неоднородность отклоняющего поля, равны:

Jx

Коэффициенты К ss KT и т.д. записываются аналогичным образом. С ростом номера гармоник величины коэффициентов уменьшаются.

Чувствительность отклонения в перпендикулярном пластинам направлении равна чувствительности плоского конденсатора при 1,4... и 1 и ПРИ боль- i

шой ширине пластин. Так для -- 3

,а 0.9998; кзу 2,б5-Ю для

-jj- 5 К,у 1,0000, К 1.14.105

Таким образом, начиная с -:- 3,

а

составляющая поля Е и практически постоянна. Поэтому подача потенциалов +Vu на каждую пару противолежащих электродов обеспечивает высокую однородность поля в перпендикулярном электродам направлении,

Рассмотрим отклонение в направлении, параллельном электродам. Для простейшей конструкции и питания, т.е. для случая двух пар электродов, имеем: V +V ц - Vj - на противолежащих электродах слева от вертикальной плоскости симметрии и V +V u + + V,( - справа, это означает, что Ј - 1. При этом 0,996; K3lf -0,413; Ksx 0,254. Введение дополнительных пар электродов с шириной,

изменяющейся в пределах 0,2 --- i 1,

позволяет получить условия обращения в нуль коэффициентов при третьей, пятой и т.д. гармониках в разложении потенциала. Так, при трех парах элек1 п п

тродов с шириной -т- 0,57 и -j- - аа

2,, либо при -Ј 0,56 и --г- аа

4,44 (т.е. при 0,56± 0,01,

а«

-т- 2,4 -4,4) имеем из формулы (3) Kjjt 0 при JT, 0, г 1. При четыJ to

5

0 ,

рех парах электродов с шириной

d

0,85 и -1- 2,15 имеем К,х - К5А

5 0 при jf4 0,19 и fft- 1 и т,д. Таким образом, при увеличении количества пар электродов удается достичь поля любой требуемой однородQ ности.

Выход за указанные пределы ухудшает однородность поля, чувствительность отклонения. При ширине средних

электродов --- с 0,2 сильно увеличивается неоднородность поля. Так, при -- 0,16 и - 3,84 для того,

чтобы К)с было равно нулю, надо иметь -0,91 и |°2 1 , при этом 0,80, остаточный коэффициент велик (К5 -0,35), а количество пар электродов - четыре вместо трех, как в заявленном режиме. При ширине сред5 них электродов --1 1 уменьшается

чувствительность отклонения. Так, при --- 1,5 и --- 2,5 однород0 ность поля высока, К3 0, Ку 0,04, однако коэффициент К, - 0,32, т.е. чувствительность отклонения в два раза ниже, чем в предложенных режимах.

5 Режим питания, при котором | О, представляет наибольший интерес, так как в этом случае обе пары средних электродов, близлежащих к вертикальной плоскости симметрии слева и спра0,ва от нее, имеют один и тот же потенциал ±Vu, т.е. могут быть выполнены как единое целое. Режим питания „ 1 является рациональным, обеспечивая подачу на крайние пары одинако5 аых потенциалов для любого количест- ва пар электродов в виде суммы |(разности) основных задающих требуемое отклонение напряжений (±Vu VX). Выход за верхний предел

71

( ) ухудшает чувствительность отклонения в параллельном направлении, так как для достижения той же собственной чувствительности вместо 1 надо подавать } В. Выход за нижний предел ухудшает однородность поля (см. например, пример с 4 -0,91). Таким образом, при соблюдении указанных пределов изменения электрических и геометрических параметров достигается наилучший положительный эффект. При одинаковых эффективных длинах отклоняющих систем и одних и тех же ускоряющих напряжениях собственная чувствительность отклонения определяется следующим образом:

к Јikb (

0 Sdif l ;

w

где 2d - расстояние между противолежащими электродами;

L - длина системы вдоль продольной оси;

tf - ускоряющее напряжение;

К , - коэффициент при основной

гармонике, определяемый формой и расположением электродов.

Сравнение () с учетом величины -„-,Ј.а

с известными отклоняющими системами при одинаковых габаритах показывает, что чувствительность отклонения новых систем при предлагаемых способах питания в 1,6-6,6 раз больше, т.е. достигается положительный эффект, при этом количество пар электродов в новых системах меньше.либо одинаково, а однородность поля выше (оста- точные коэффициенты в разложении потенциала) по сравнению с известными.

Формула изобретения

1„ Электростатическая отклоняющая система, содержащая пару плоских про8

тиволежащих электродов, установленных параллельно один другому и обладающих плоскостью антисимметрии, о тп- лицающаяся тем, что, с це- лыо повышения чувствительности отклонения и расширения функциональных возможностей путем отклонения частиц по двум взаимно перпендикулярным направлениям, в устройство введены дополнительно/ пары плоских противолежащих электродов, обладающих дополнительной плоскостью антисимметрии, перпендикулярной к первой плоскости антисимметрии.

2, Система по п.1, отличаю- щ а я с я тем, что выполнены условия

3 Ј--{-65; 0,2

Ч1

1, где

0

s

0

2L - общая длина отклоняющей системы, а 1{ - длина пары электродов с порядковым номером i вдоль первой плоскости антисимметрии; 2d - расстояние между плоскопараллельными электродами вдоль дополнительной плоскости антисимметрии, , 2, 3,...,п - порядковый номер пар электродов при отсчете влево и вправо от дополнительной плоскости антисимметрии.

3. Система по пп.1 и 2, отличающаяся тем, что общее чиси выло пар электродов равно трем полнены условия: 1,12

1,16.

k. Система по пп.1 и 2, отличающаяся тем, что общее число пар электродов равно четырем и

выполнены условия: 0,8 ---- 0.86,

d

5. Система по пп.1 и2,отличающая ся тем, что общее число пар электродов равно пяти и выпол2iнены условия: 0,8 . ---- 0,52;

0,78

с 0,80.

f1

/

Фиг. 2

1

-X

Pi/е.З

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1990 года SU1557603A1

Страшкевич А.М, Электронная оптика электростатических полей, не обладающих осевой симметрией ФИЗМАТГИЗ, 1959, с.136-139 Авторское свидетельство СССР № 1365179, 1986.

SU 1 557 603 A1

Авторы

Овсянникова Лидия Петровна

Фишкова Татьяна Яковлевна

Мосеев Вадим Валентинович

Даты

1990-04-15Публикация

1987-10-19Подача