Фие.1
Изобретение относится к гидротехническому строительству и может быть использовано при возведении намывных плотин, дамб и других сооружений.
Цель изобретения - повышение надежности сооружения путем увеличения однородности намываемого материала. На фиг. 1 изображена схема осуг- ществления способа, разрез; на
фиг. 2 - то же, вид в плане.
Схема включает карту 1 , торцовые выпуски 2 и 3 и водосбросные колодцы А и 5.
Способ осуществляют следующим об- разом.
Намыв карты 1 начинают из торцового выпуска 2. При этом водосбросной колодец 4 закрыт, а колодец 5 открыт. Когда толщина слоя отложений у выпус- ка 3 достигнет 10см, намыв из выпуска 2 прекращают, закрывают водосбросной колодец 5 и открывают колодец 4. Далее намыв ведут из выпуска 3 до тех пор, пока толщина отложений, намытых у выпуска 2 не достигнет 10 см. Далее операции повторяют до полного замы- ва карты.
Пример. Производят намыв карты размерами 400 х 150 м. Для этого на разделительные дамбы обвалования параллельно продольной оси сооружения укладывают с обеих сторон карты два торцовых выпуска диаметром 1000 мм. У верховой дамбы обвалования равномерно размещают четыре водосбросных колодца. Расход пульпы из каждого торцового выпуска 10тыс. м/ч, пропускная способность каждого колодца соответствует половине этого расхода. Средневзвешенная крупность твердой составляющей пульпы 0,14 мм.
5
0 5
о
0
5
Вначале намыв ведут из правого торцового выпуска, открыв два колодца в левой половине карты. При достижении толщины слоя мелкодисперсных отложений у левого торцового выпуска 10 см намыв у правого выпуска прекращают. Намытый слой характеризуется следующими показателями: толщина отложений в непосредственной близости от правого выпуска 1 м, средневзвешенная крупность 0,3 мм, а у левого 10 см и 0,06 мм соответственно. Затем производят намыв из левого выпуска и сбрасывают осветленную воду из правой части карты. Распределение твердого происходит в зеркальном отображении. Намыв длится до тех пор, пока у правого выпуска слой мелкодисперсных отложений не достигнет толщины 10 см. Далее цикл повторяется. В результате образуется равнопрочный массив отложений, средневзвешенная крупность которого 0,29 мм.
Формула изобретения
Способ возведения намывного сооружения, включающий подачу пульпы в карту параллельно продольной оси сооружения с отводом осветленной воды, отличающийс я тем, что, с целью повышения надежности сооружения путем увеличения однородности намываемого материала, пульпу выпускают попеременно то с одной, то с другой стороны карты, при этом осветленную воду отводят одновременно с подачей пульпы с противоположной от места выпуска пульпы половины карты.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ намыва сооружений | 1986 |
|
SU1335627A1 |
Способ намыва гидротехнического сооружения | 1989 |
|
SU1671763A1 |
Способ намыва грунтового сооружения | 1988 |
|
SU1585445A1 |
Способ возведения намывного сооружения | 1987 |
|
SU1458484A1 |
Способ намыва грунтового сооружения и устройство для его осуществления | 1983 |
|
SU1100363A1 |
Способ намыва однородных сооружений из песчано-гравийных и гравийно-галечных грунтов | 1989 |
|
SU1677165A1 |
Намывное гидротехническое сооружение | 1982 |
|
SU1055826A1 |
Способ возведения дамбы обвалования намывного сооружения на малопрочных грунтах | 1991 |
|
SU1772306A1 |
Способ намыва грунта | 1989 |
|
SU1663098A1 |
Способ возведения хвостохранилища | 1990 |
|
SU1783045A1 |
Изобретение относится к гидротехническому строительству. Цель изобретения - повышение надежности сооружения путем увеличения однородности намываемого материала. Намыв карты 1 начинают из торцового выпуска 2. При этом водосбросный колодец 4 закрыт, а колодец 5 открыт. Когда толщина слоя отложений у выпуска 2 достигнет 10 см, намыв из выпуска 2 прекращают, закрывают водосбросный колодец 5 и открывают колодец 4. Затем намыв ведут из выпуска 3 до тех пор, пока толщина отложений, намытых у выпуска 2, не достигнет 10 см. Далее операции повторяют до полного замыва карты. 2 ил.
4-едактор Г. Герб ер
Ф№ I
Составитель В. Байдаков Техред А.КравчукКорректор Э. Лончакова
Заказ 823
Тираж 536
ВНИИПИ Государственного комитета по изобретениям и открытиям при ГКНТ СССР 113035, Москва, Ж-35, Раушская наб., д. 4/5
Подписное
Авторы
Даты
1990-04-23—Публикация
1988-06-06—Подача