РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР Советский патент 1995 года по МПК H01L29/73 

Описание патента на изобретение SU1568825A1

Изобретение относится к области электроники и может быть использовано в вычислительной технике и технике СВЧ.

Целью изобретения является повышение быстродействия транзистора.

На фиг. 1 изображена структура резонансно-туннельного транзистора; на фиг.2 энергетическая диаграмма зоны проводимости для случая, когда основными носителями заряда, инжектированными из эмиттера, являются электроны, где уровень энергии, соответствующий дну зоны проводимости, εс, уровень Ферми -ε F, дискретный уровень в квантовой яме εо.

Транзистор содержит электрод эмиттера 1, электрод базы 2, контактный эмиттерный слой 3 сильнолегированного узкозонного материала толщиной d3, нелегированный барьерный слой 4 одного широкозонного материала толщиной d4, слой 5 узкозонного материала, образующего потенциальную яму, толщиной d5, нелегированный барьерный слой 6 другого широкозонного материала толщиной d6, нелегированный слой 7 третьего широкозонного материала толщиной d7, базовый слой 8 узкозонного материала толщиной d8, коллекторный барьер из широкозонного материала 9 толщиной d9, сильнолегированный коллекторный слой 10 узкозонного материала толщиной d10, металлический электрод 11 коллектора.

Структура резонансно-туннельного транзистора обеспечивает уменьшение ширины резонансных пичков на вольт-амперной характеристике. Механизм формирования узкого пичка определяется следующими конструктивными признаками. Толщина d7 барьерного слоя 7 выбирается большей толщины d4, так, чтобы его проницаемость для электронов с энергией ε< ε7 была пренебрежимо мала по сравнению с проницаемостью барьера слой 6 для электронов с энергией ε > ε7. Материал слоя 7, образующего барьер, выбирается таким, чтобы высота этого барьера Δ ε7 удовлетворяла соотношению
εoF< (Δε7o) < εo, где εо равновесное положение резонансного энергетического уровня в квантовой яме;
εF энергия Ферми электронов в эмиттерном слое.

При выполнении этого условия резонансное туннелирование электронов начинается при большем значении разности потенциалов, приложенной к гетероструктуре. Задержка начала резонансного туннелирования обуславливает уменьшение ширины пичка тока на вольт-амперной характеристике. Изменение ширины пичка тока осуществляется изменением высоты Δ ε7 путем выбора материала слоя 7 или изменением положения резонансного уровня ε о путем, например, изменения толщины слоя 5.

Конструкция данного резонансно-туннельного транзистора позволяет в широких пределах изменять ширину пичка тока без заметного изменения максимального значения тока и получать значительно более узкие пички и, следовательно, увеличить частоту их следования, что в конечном счете ведет к увеличению частоты и повышению быстродействия устройств на его основе. Одновременно расширяются и функциональные возможности этих устройств, поскольку сужение пичков позволяет увеличить их число на вольт-амперной характеристике и создавать устройства многозначной логики.

Аналогично путем введения дополнительного слоя широкозонного материала в квантовую гетероструктуру со стороны базы или как со стороны базы, так и со стороны эмиттера может быть уменьшена ширина пичка.

П р и м е р. Резонансно-туннельный транзистор может быть изготовлен на основе арсенида галлия n-типа и нелегированных твердых растворов AlxGa1-xAs с различным содержанием алюминия Х в различных барьерных слоях. Слой 3 может быть выполнен из арсенида галлия с концентрацией активных доноров не менее 1. 1018 см-3 и толщиной d3 ≥0,3 мкм. Слой 4 может быть выполнен толщиной d4= 4 Нм из нелегированного Al0,36Ga0,65As. Слой 8 толщиной d8=25 Нм может быть выполнен из арсенида галлия. Концентрация свободных электронов в нем, превышающая 3 .1018 см-3, обеспечивается введением тонкой ( ≈5 Нм) сильнолегированной кремниевой прослойки арсенида галлия с концентрацией атомов кремния (1,5. 2) .1019 см-3. Коллекторный барьер 9 толщиной d9=300 Нм выполнен из нелегированного Al0,16Ga0,84As. Слой 10 выполнен из арсенида галлия толщиной d10=100 мкм.

Похожие патенты SU1568825A1

название год авторы номер документа
РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫЙ ПРОЛЕТНЫЙ ДИОД 1988
  • Тагер А.С.
  • Голант Е.И.
  • Снегирев В.П.
SU1558263A1
СВЕРХПРОВОДНИКОВЫЙ ТУННЕЛЬНЫЙ ДИОД 1988
  • Тагер А.С.
  • Белоусов П.С.
  • Гусельников Н.А.
  • Снегирев В.П.
SU1575858A1
ТУННЕЛЬНО-ПРОЛЕТНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД 1988
  • Голант Е.И.
  • Снегирев В.П.
  • Тагер А.С.
SU1559993A1
СТРУКТУРА ДЛЯ ГЕНЕРАЦИИ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ СУБТЕРАГЕРЦОВОГО И ТЕРАГЕРЦОВОГО ЧАСТОТНОГО ДИАПАЗОНА 2012
  • Беспалов Владимир Александрович
  • Гергель Виктор Александрович
  • Ильичев Эдуард Анатольевич
  • Черепенин Владимир Алексеевич
RU2503091C1
МУЛЬТИБАРЬЕРНАЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРА ДЛЯ ГЕНЕРАЦИИ МОЩНОГО ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ СУБ- И ТЕРАГЕРЦОВОГО ДИАПАЗОНОВ 2012
  • Бугаев Александр Степанович
  • Гергель Виктор Александрович
  • Ильичев Эдуард Анатольевич
  • Черепенин Владимир Алексеевич
RU2499339C1
ТУННЕЛЬНО-СВЯЗАННАЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРА 2009
  • Тарасов Илья Сергеевич
  • Арсентьев Иван Никитич
  • Винокуров Дмитрий Анатольевич
  • Пихтин Никита Александрович
  • Симаков Владимир Александрович
  • Коняев Вадим Павлович
  • Мармалюк Александр Анатольевич
  • Ладугин Максим Анатольевич
RU2396655C1
МОЩНЫЙ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР СВЧ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЕ 2021
  • Пашковский Андрей Борисович
  • Лапин Владимир Григорьевич
  • Лукашин Владимир Михайлович
  • Маковецкая Алена Александровна
  • Богданов Сергей Александрович
  • Терешкин Евгений Валентинович
  • Журавлев Константин Сергеевич
RU2781044C1
МОДУЛИРОВАННО-ЛЕГИРОВАННЫЙ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР 2013
  • Аветисян Грачик Хачатурович
  • Дорофеев Алексей Анатольевич
  • Колковский Юрий Владимирович
  • Миннебаев Вадим Минхатович
RU2539754C1
МОЩНЫЙ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР СВЧ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЕ 2023
  • Пашковский Андрей Борисович
  • Богданов Сергей Александрович
  • Карпов Сергей Николаевич
  • Терешкин Евгений Валентинович
RU2813354C1
МОЩНЫЙ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР СВЧ 2014
  • Лапин Владимир Григорьевич
  • Лукашин Владимир Михайлович
  • Пашковский Андрей Борисович
  • Журавлев Константин Сергеевич
RU2563319C1

Иллюстрации к изобретению SU 1 568 825 A1

Реферат патента 1995 года РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в вычислительной технике и технике СВЧ. Цель изобретения увеличение быстродействия достигается тем, что по крайней мере один из потенциальных барьеров квантовой гетероструктуры, а именно барьер, ограничивающий потенциальную яму со стороны базового слоя, выполнен из двух слоев полупроводниковых материалов, различающихся значениями ширины запрещенной зоны, которое для слоя, примыкающего к базовому, является промежуточным между значениями ширины запрещенной зоны слоя узкозонного материала, образующего потенциальную яму, и примыкающего к нему барьерного слоя. 2 ил.

Формула изобретения SU 1 568 825 A1

РЕЗОНАНСНО-ТУННЕЛЬНЫЙ ТРАНЗИСТОР, содержащий между полупроводниковыми слоями эмиттера и базы многослойную квантовую гетероструктуру из материалов с различными значениями ширины запрещенной зоны, включающую слой узкозонного материала, образующего квантовую яму для носителей заряда, ограниченную с двух сторон потенциальными барьерами, образованными слоями широкозонных материалов, отличающийся тем, что с целью повышения быстродействия транзистора, по крайней мере один из потенциальных барьеров, ограничивающих потенциальную яму со стороны базы, выполнен многослойным из полупроводниковых материалов, различающихся значениями скачка потенциалов для основных носителей заряда на гетерограницах между слоями этих материалов и узкозонным слоем, образующим потенциальную яму, причем для слоя, примыкающего к базе, упомянутый скачок потенциала меньше, чем для слоя, примыкающего к потенциальной яме, и определяется соотношением

где Δε скачок потенциала для слоя, примыкающего к базе;
eF энергия Ферми носителей заряда в эмиттере;
εo резонансное значение поперечной энергии носителей заряда в квантовой яме;
dБ1, dБ2 толщина барьерных слоев, примыкающих к квантовой яме;
dя толщина слоя узкозонного материала.

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1995 года SU1568825A1

Mori T
Кипятильник для воды 1921
  • Богач Б.И.
SU5A1
Appl
Phys
Lett
Способ смешанной растительной и животной проклейки бумаги 1922
  • Иванов Н.Д.
SU49A1

SU 1 568 825 A1

Авторы

Кальфа А.А.

Тагер А.С.

Даты

1995-07-25Публикация

1988-07-01Подача