Способ определения ориентации осей кубической кристаллографической анизотропии в доменосодержащей пленке Советский патент 1990 года по МПК G11C11/14 

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении запоминающих устройств на цилиндрических магнитных доменах на основе ионно-имплантированных монокристаллических пленок феррит-гранатов

Целью изобретения является определение ориентации осей кубической кристаллографической анизотропии в ионно- имплантированном слое доменосодержащей пленки

На фиг 1 показаны динамические доменные структуры в доменосодержащей пленке после окончания импульса пространственно-неоднородного магнитного поля, на фиг 2 - временные диаграммы поля

смещения НСм и импульсного пространственно-неоднородного магнитного поля Ни. Предлагаемый способ осуществляется следующим образом

После включения поля смещения, которое может быть как постоянным, так и импульсным, доменная структура в доменосодержащей пленке исчезает и она становится намагниченной в одном Нем направлении В результате воздействия на до- меносодержа щую пленку импульса пространственно-неоднородного магнитного поля Ни с аксиальной симметрией происходит полное перемагничивание основного объема доменосодержащей пленки в противоположном Нем направлении и вращение

сл

ON Ю

ю о о

векторов намагниченности в ионно имгии н тировэнном слое в результате которого они выстраиваются вдоль трех эквивапе гь.л направлений составляющих друг с друкм углы 120° При этом в окрестности neppr e чения осью симметрии пространс твечн неоднородного магнитного попя дом нг н держащей пленки в ионно имплантирован ном слое образуютга три л о м Р t- i разделенные доменными стенка 1 ui сгенки ориентированы под углом 120 др-у к другу вдоль трех пересек JKIL мх ч мых После окониания импульса Ни п t ходит релаксация доменной стр/пупы исходное состояние огределар. ое и м При этом сразу после ..кончайся «/ i Ни остаются перспзп )/ -, мыми i пленки Б виде исктж нн с i н v локализованная вЬл (и MJWI/I ,сч -t-t оси симметрии Ни |Л- о

ПЛеНКОИ 3 ГЭИХ05

ванные вдоль t иь t .

линий которые риг п, э i i

сгаллогрй t ti

i-ri

f 1Г-1

Регис рчциц эл.4 менных VP гп ориентацию rv5w t н )и ц фичегкои тлм ntv я«

рованном ело i p i i Точности onpi r , г

ляет до 0 5°

Регистрацию домг- чои г но ocyuiec ffiHTt f i 14 i-чог iHv« Фарадея и вы (. к ( гьо

Форму а . j о t р е т e i и н Способ определения ориентации осей куЬм 1нгчс-ч кристаллографии кои аниэо грг г HI Р доменосодеожащеи пленке вклю ч а ю i ц и и воздействие :а ломено- f ) ю пленку импульсом простран г гдрьчо неоднородного магнитного поля с чнпл i нои симметрией ось которой ориен тиосрчна перпендикулярно плоскости до -1ан1г л ржашси ппенки ii (jprwcinaunio ЛИР 1ми ескои huoti с f ( yi-т л и по Ь ( не i орси судят оц opi. чт ч i/н .f 1 к т к гкои кристаллографи - г- попии

1 Ч Т КР I М ( и rf , и Uf Л

ii правлении ориентации осмл i убичсг HI Jj п( рс,с ri гид-) ан з и -1

„1 i ; t- I M(i( i I iO -it J l

1УН1КИIГСf

iv j (. i ri ii tar г r

Г ч Pf О1Г

1f

i iч-i (-i i

iIjIt-h«Г

i; r)f J I ,)l

U (J i( L i

Г L I i4 I ( | I

tA

p , I1ohi H/ ju i j l т х

I 4.1( Й Ut i

i,

H l,J iJ I- J i- 1 (

1 , «K fVI j T

i44, c if i41 f f bd

1I Ы 4

t-I I П

t,d IHI 1

Изобретение относится к вычислительной технике и может быть использовано при изготовлении ЗУ на ЦМД на основе ионно-имплантированных монокристаллических пленок феррит-гранатов. Целью изобретения является определение ориентации осей кубической кристаллографической анизотропии в ионно-имплантированном слое доменосодержащей пленки. На доменосодержащую пленку воздействуют полем смещения, намагничивающим ее до насыщения, и противоположно направленным импульсом пространственно-неоднородного магнитного поля с аксиальной симметрией. Регистрируют динамическую доменную структуру в пленке после окончания импульса пространственно-неоднородного магнитнитного поля. Об ориентации осей кубической кристаллографической анизотропии в ионно-имплантированном слое судят по ориентации узких динамических доменных структур, локализованных вблизи трех пересекающихся прямых линий, которые имеют ориентацию [121], [112] и [211]. Точность определения ориентации составляет до 0,5°. 2 ил.

//,;

,х-/

I