СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МАГНИТОДИОДОВ Советский патент 2005 года по МПК H01L21/18 

Способ изготовления магнитодиодов, включающий формирование на лицевой стороне высокоомной полупроводниковой подложки первого типа проводимости инжекционных областей магнитодиодов второго типа проводимости, формирование приконтактных областей первого типа проводимости с повышенной концентрацией примеси и подготовку параметров магнитодиодов по чувствительности путем механической шлифовки обратной стороны подложки, отличающийся тем, что, с целью увеличения выхода годных за счет повышения точности подгонки параметров магнитодиодов по чувствительности, перед подгонкой на обратной стороне подложки между инжекционными и приконтактными областями поперек продольных осей магнитодиодов локальным травлением создают канавки глубиной 0,1-0,4 толщины подложки с соотношением ширины канавок и расстояния между ними 0,5-2.