Способ возведения круглого в плане подземного сооружения Советский патент 1990 года по МПК E02D29/00 E02D5/20 

г

сд

со ;о

о

Изобретение относится к возведению круглого в плане подземного сооружения и позволяет снизить материалоемкость сооружения за счет обеспечения равномерности обжатия его грунтом в процессе возведения. При возведении сооружения разрабатывают траншею под защитой тиксотропного раствора и затем устраивают в этой траншее стеновое ограждение 2. После возведения стенового ограждения разрабатывают дополнительные выемки в виде траншей 3 или скважин 4 вокруг стенового ограждения. После этого производят разработку грунтового ядра 5 и бетонирование днища сооружения. При этом выемки размещают на расстоянии от траншеи, равном 10-20 м, и на расстоянии друг от друга, не превышающем меньшего из значений длины выемки или удвоенного расстояния между траншеей и выемкой. 8 ил.

Фиг. 7

Изобретение относится к строительству, в частности к возведению крутлого в плане подземного сооружения.

Цель изобретения - снижение материалоемкости сооружения за счет обеспечения равномерности обжатия его грунтом в процессе возведения.

На фиг. 1 показана разработка в грунте траншеи под защитой тиксотропного раствора; на фиг. 2 - разрез А-А на

эксплуатация). Это достигается за счет наличия зазоров между дополнительными выемками 3 и 4, величина которых не должна превышать длины дополнительной выем-, ки.

Кроме того, чтобы исключить появление зон грунта, на которые не передается давление тиксотропного раствора и которые могут стать участками повышенной нерав,но- мерности бокового давления грунта, зазофиг. ; на фиг. 3 - бетонирование стенЮ ры не должны превышать удвоенного рассооружения; на фиг. 4 - разрез Б-Б настояния между траншеей и выемкой. Исфиг. 3; на фиг. 5 - разработка выемокходя из этого выемки 3 и 4 размещают

{траншей или скважин) вокруг стен соору-на расстоянии одна от другой, не превыжения; на фиг. 6 - разрез В-В нашающем меньшего из значений длины выфиг. 5; на фиг. 7 - разработка грунто-.g емки или удвоенного расстояния между транвого ядра внутри стен сооружения; нашеей и выемкой,

фиг. 8 - разрез Г-Г на фиг. 7.Оптимальное перераспределение давлеВозведение сооружения производят еле-ния грунта на сооружения, заглубленные в

дующим образом.грунт на 10-30 м, достигается при размеРазрабатывают траншею под защитой, щенки выемок 3 и 4 на расстоянии 1,0-

тиксотропного раствора, после чего устраи-20 2,0 м от траншеи 1. В этом случае маквают в этой траншее стеновое ограждениесимальное боковое давление грунта на 5-

скважин 4 с зазорами одна относи-Использование изобретения позволяет

тельно другой и заполняют их тиксотроп-обеспечить равномерное давление грунта на

ным раствором. После этого производят - - --

разработку грунтового ядра 5 и бетонируют днище сооружения.

Разработка дополнительны выемок 3 и 4, устраиваемых по периметру сооружения, изменяет характер распределения бо-- д кового давления грунта как по глубине,, так и в плане сооружения. Неравномерность бокового давления круглого сооружения приводит к появлению существенных кольцевых изгибающих моментов в стеновом ограждении. Причем после устройства35 снижения материалоемкости сооружения за днища максимальные моменты снижаются,счет обеспечения равномерности обжатия примерно, на 30-50%. Так как в стадии экс-его грунтом в пррцессе возведения, перед плуатации сооружения, после затвердеванияразработкой грунтового ядра вокруг тран- тиксотропного раствора в дополнительныхшеи образуют расположенные на расстоя- выемках, либо их тампонажа твердеющимнии одна от другой выемки глубиной, раствором, неравномерность бокового дав-40 превышающей глубину разработки грунтово- ления практически возврсицается в исход-го ядра, и заполняют их тиксотропиым

стены в процессе возведения и за счет этого снизить материалоемкость.

Формула изобретения

Способ возведения круглого в плане подземного сооружения, включающий разработку траншеи под защитой тиксотропного раствора, выполнение в траншее стенового ограждения и разработку внутреннего грунтового ядра, отличающийся тем, что, с целью

ное состояние (25%), то целесообразно уменьщить неравномерность давления грунта в период строительства сооружения только на 30-50%, чтобы получить одинаковую величину максимальных изгибающих моментов на всех стадиях (строительство.

раствором, при этом выемки размещают на расстоянии от траншеи, равном 1,0- 2,0 м, и на расстоянии одна от другой, не превышающем меньшего из значений длины выемки или удвоенного расстояния между траншеей и выемкой.

эксплуатация). Это достигается за счет наличия зазоров между дополнительными выемками 3 и 4, величина которых не должна превышать длины дополнительной выем-, ки.

Кроме того, чтобы исключить появление зон грунта, на которые не передается давление тиксотропного раствора и которые могут стать участками повышенной нерав,но- мерности бокового давления грунта, зазо ры не должны превышать удвоенного рас - - --

снижения материалоемкости сооружения за счет обеспечения равномерности обжатия его грунтом в пррцессе возведения, перед разработкой грунтового ядра вокруг тран- шеи образуют расположенные на расстоя- нии одна от другой выемки глубиной, превышающей глубину разработки грунтово- го ядра, и заполняют их тиксотропиым

стены в процессе возведения и за счет этого снизить материалоемкость.

Формула изобретения

Способ возведения круглого в плане подземного сооружения, включающий разработку траншеи под защитой тиксотропного раствора, выполнение в траншее стенового ограждения и разработку внутреннего грунтового ядра, отличающийся тем, что, с целью

раствором, при этом выемки размещают на расстоянии от траншеи, равном 1,0- 2,0 м, и на расстоянии одна от другой, не превышающем меньшего из значений длины выемки или удвоенного расстояния между траншеей и выемкой.

ui.2

фиг. 6

Фиг.д

Фиг. 5

Г-Г