Способ записи информации на магнитную пленку Советский патент 1990 года по МПК G11B7/00 

Изобретение относится к области вычислительной техники,а в частности к оптическим постоянным запоминающим устройствам.

Цель изобретения - повышение скорости записи.

Действие способа основано на обнаруженном эффекте, заключающемся в том, ЧТО лазерное излучение, воздействуя на феррит-гранатовые пленки, например (LU, ВОз(Ре, Ga)5 Oi2. помещенные в магнитное поле, вызывает в облучаемом участке прямое оптическое намагничивание, т.е. действие, обратное известному эффекту Коттона-Мутона, приводящему к изменению поляризационных характеристик света при распространении его в кристалле, помещенном в перпендикулярное направлению

светового излучения магнитное поле. Установлено, что для возникновения обратного эффекта Коттона-Мутона световое излучение не обязательно должно быть линейно поляризованным. Для осуществления записи необходимо, чтобы выполнялось условие: пленка должна быть прозрачна для данного излучения и интенсивность импульса должна превышать определенное значение.

При указанном условии и наличии внешнего магнитного поля Но, направленного противоположно намагниченности насыщения пленки, происходит перемагничивание облучаемого участка пленки, и это состояние сохраняется, т.е. происходит запись информации в виде 1 (О соответствует исходному состоянию намагниченности облучаемого участка). Считывание информаО

о

о i о

ции осуществляется так же, как и запись, при этом можно использовать, например, магнитооптический эффект Фарадея при прохождении считывающего пучка. Интенсивность считывающего луча должна иметь минимально необходимое значение для фиксации эффекта Фарадея. Быстродействие записи ограничивается временем магнитной релаксации. Для быст- рорелаксирующих пленок это время не менее чем на порядок меньше времени, лимитируемого быстродействием термомагнитной записи, и скорость достигает 10 бит/с.

В качестве регистрирующего слоя используют эпитаксиальную пленку из магнитного материала с одноосной магнитной анизотропией с известными свойствами: показателем преломления По, магнитооптическим параметром 0(Я), намагниченностью насыщения//S, коэрцитивной силой Не. Помещают ее в магнитное поле напряженностью Но, направленное противоположно намагниченности насыщения пленки, при этом должно выполняться условие Но + Н//с Не. Отсюда определяют ДН - Нс - Но - и определяют интенсивность импульса лазерного излучения для создания дополнительного магнитного поля ДН, направленного одинаково с полем Но и Н/ с. При облучении световым импульсом интенсивностью, превышающей значение I, происходит перемагничивание облучаемого участка пленки, и благодаря наличию внешнего магнитного поля и коэрцитивной силы это состояние будет стабильным. Превышение интенсивности импульса излучения Л1 должно быть минимальным, но достаточным для перемагничиванйя области засветки с учетом неравномерного распределения интенсивности по сечению лазерного пучка. Пример 1. Берут образец, содержащий эпитаксиальную пленку (Lu. Bi)3(Fe, Ga)riOi2. выращенную на подложке галий-гадолиние- вого граната ориентации 111 , толщиной 5 мкм, имеющую следующие характеристики: По-2,2. 0(Я) 10 Гс 20 Гс, Не; 40 Гс. Образец помещают во внешнее магнитное поле Но 15 Гс. Для тонких пленок Н«,. 4 ;7 s. Отсюда Л Н - Б.Гс. Полагая N 4:7Г , находим I - 33 Вт/см. Для облучения использую лазерно-отическую систему, обеспе ивающую минимально ЕЗОЗ- можный диаметр пучка для обеспечения максимальной плотности записи. Принимая

что неоднородность распределения энергии излучения по сечению пучка в области засветки составляет 30%, лазерную систему настраивают на режим, обеспечивающий рабочую интенсивно сть излучения 1р - 1 -ь 0,3 I 43 -10- Вт/см . и осуществляют запись.

П р и м е р 2. Берут образец, содержащий эпитаксиальную пленку (Yb, В1)з(Ге. Ga)50i2,

выращенную на подложке галий-гадолиние- вого граната ориентации 111 , толщи- мкм. Характеристики пленки: По--2,2, Q( Я) 5 -10 Гс , 479/S--. 30 Гс, Не-50 Гс. Образец помещают по внешнее магнитное

поле Но 17 Гс. Как и в предыдущем случае (пример 1) определяют ДН 3 Гс. Определяют 1 2 -64 10 зрг/см 2 -64 Ю Вт/см При тех же условиях, как и в примере 1, определяют рабочую интенсивность излучения IP 5-10 Вт/см и производят запись.

Формула изобретения Способ записи информации на магнитную пленку, при котором на носитель с регистрирующим слоем из материала с одноосной магнитной анизотропией воздействуют лазерным излучением во внешнем магнитном поле, направленном противоположно вектору намагниченности

насыщения пленки, о т л и ч а ю щ и и с я тем. что. с целью повышения скорости записи, используют лазерное излучение с длиной волн1,1, соответствующей области прозрачности пленки, и с интенсивностью

импульса I, превышающей величину

0

АН

5

0

N Us О Я где с - скорость света:

По - показатель преломления магнитной пленки:

N -- размагничивающий фактор области лазерной засветки:

/Is намагниченность нась1щения пленки:

0(Я) - м а г н и т о о п т и ч е с к и и параметр пленки:

АН Не - Но- Hwg

Не - коэрцитивная сила:

Не - внешнее магнитное поле:

Иис магнитостатическое поле ничивания,

а в качестве регистрирующего слоя используют эпитаксиальную феррит-гранатовую пленку.

Изобретение относится к измерительной технике и позволяет повысить скорость записи за счет эффекта прямого оптического намагничивания. Способ заключается в том, что пленку из магнитного материала с одноосной магнитной анизотропией намагниченную до насыщения, помещают во внешнее магнитное поле, направленное противоположно намагниченности насыщения пленки, облучают световым импульсом с длиной волны, соответствующей области прозрачности пленки, и с интенсивностью, превышающей значение соответствующей области прозрачности пленки, и с интенсивностью, превышающей значение I=CN_о/NM_SΘ(λ)ΔН, где C - скорость света

N_о - показатель преломления материала пленки

N - размагничивающий фактор области лазерной засветки

M_S - намагниченность насыщения пленки

Θ(λ) - магнитооптический параметр пленки

Δ(λ) - магнитооптический параметр пленки

ΔН - дополнительное магнитное поле, необходимое для перемагничивания облучаемого участка пленки.