Способ определения устойчивости магнитных коллоидов Советский патент 1991 года по МПК G01N7/10 

Изобретение относится к коллоидной химии, может быть применено при оценке устойчивости коллоидов, содержащих в качестве дисперсной фазы магнитные частицы, например железо, кобальт, ферриты и др., и является усовершенствованием изобретения по авт.св. № 922586.

Целью изобретения является повышение достоверности определения устойчивости магнитных коллоидов.

Поставленная цель достигается тем, что магнитный коллоид помещают в неоднородное магнитное поле, измеряют критический перепад давлени ДРь не разрушая связей между магнитными частицами, затем разрушают связи между магнитными частицами, например, путем наложения ультразвуковых колебаний и повторно определяют кри- тический перепад давлений ДР2, а устойчивость магнитного коллоида ДС2 определяют по формуле

где Л PI - критический перепад давлений до разрушения пространственной структурной сетки;

ДРг - критический перепад давлений после разрушения пространственной структурной сетки;

MS - намагниченность насыщения магнитного коллоида, измеренная в однородном магнитном поле;

К - постоянная прибора.

На фиг.1 изображено расположение магнитного коллоида между полюсами магнита; на фиг.2 - распределение напряженности магнитного поля.

Способ определения устойчивости магнитных коллоидов осуществляется следующим образом.

Небольшой объем магнитного коллоида 1 (магнитная пробка) помещен в трубке ( не показана) между полюсами 2 и 3 магнита. В неоднородном магнитном поле на частицу магнитного коллоида действует сила

Fm //0-m- grad H,(2)

сл

с

о го

Ю 00

о о

го

рде Fm - магнитная сила;

m - магнитный момент частицы:

Н - напряженность магнитного поля;

fi0 - магнитная постоянная.

Вследствие этого магнитная пробка удерживает определенный перепад давлений в трубке. Повышая давление с одной стороны трубчи, определяют критический перепад давлений, при котором наступает разгерметизация трубки. Значение крити- ческого перепада давлений, в свою очередь, зависит от наличия или отсутствия пространственной структурной сетки, которую образуют магнитные частицы в коллоиде.

При определении устойчивости магнит- ных коллоидов по предлагаемому способу критический перепад давлений измеряют дважды - сначала до разрушения пространственной структурной сетки, а затем после разрушения пространственной структур- ной сетки, например, воздействием ультразвуковых колебаний.

Пример. Данные определения устойчивости магнитных коллоидов по известно- му и предлагаемому способам приведены в таблице. Магнитные коллоиды по известному способу обладают практически одинаковой устойчивости ДСт. По предлагаемому способу их устойчивостью ДС2 существенно отличается. Испытания магнитных коллоидов на работоспособность в магнитожидкостных уплотнениях (МЖУ) показали, что чем больше параметр Д С2, тем меньше ресурс работы МЖУ.

Таким образом, применение предлагаемого способа позволяет повысить достоверность определения устойчивости магнитных коллоидов и их эксплуатационных характеристик в МЖУ.

Формула изобретения Способ определения устойчивости магнитных коллоидов по авт.CD. Ms 922586, о т- личающийся тем, что, с целью повышения достоверности, разрушают пространственную структурную сетку, образованную магнитными частицами коллоида, повторно создают и измеряют критический перепад давлений и рассчитывают устойчивость ДС2 магнитного коллоида по следующей формуле:

A APt-AP2

дим7к

где Д Pi - критический перепад давлений до разрушения пространственной структурной сетки;

ДР - критический перепад давлений после разрушения пространственной структурной сетки;

MS - намагниченность насыщения магнитного коллоида, измеренная в однородном магнитном поле;

К - постоянная прибора.

Изобретение относится к коллоидной химии, а именно к способам оценки устойчивости магнитных коллоидов. Цель изобретения - повышение достоверности определения устойчивости магнитных коллоидов - достигается тем, что критический перепад давлений определяют дважды: вначале с неразрушенной, а затем с разрушенной пространственной сеткой, образованной магнитными частицами в коллоиде, а устойчивость магнитного коллоида определяется по формуле, приведенной в описании изобретения. 2 ил., 1 табл.

Примечание: Постоянная прибора ,0 Тл.

ДР 0

2

Фиг. 1

йР О

(Риг. 2