Способ определения температуры структуры реверсивно включаемых динисторов Советский патент 1991 года по МПК G01R31/26 

Изобретение относится к области измерений параметров полупроводниковых приборов и может быть использовано при производстве и испытаниях быстродейг: ву- ющих полупроводниковых коммутаторов.

Целью изобретения является повыше ние точности и производительности измерений за счет выбора термочувствительного параметра (ТЧП), имеющего линейную гра- дуировочную характеристику, одинаковую для всех приборов в исследуемой партии.

Способ заключается в следующем.

В качестве термочувствительного параметра для определения температуры структуры реверсивно включаемых динисторов (РВД) измеряется падение напряжения UFR между анодом и катодом РВД при токе через РВД, лежащем в диапазоне (0.5 - 1,0) -10 2 от номинального тока накачки ц и совпадающем с ним по направлению.

Перед проведением измерений температуры проводится калибровка ТЧП, т.е. снимается зависимость величины UFR от температуры Т при помещении исследуемого РВД в термостат. В выбранном диапазоне токов наклон градуировочной

характеристики а тгт для всех образцов РВД одного типа при фиксированном измерительном токе IFR отличается незначительно, а именно разброс по о. РВД одного типа не превышает ±0,1 мВ/град. Таким образом, с достаточной для технических применений точностью градуировку можно проводить на одном РВД и пользоваться для образцов данного типа одним значением а. , что повышает производительность способа.

О

го о ю ю

о

Измерение температуры осуществляется при уровнях тока в РВД, не изменяющих существенно концентрацию носителей в базах, что приводит к повышению точности измерений. Измерение UFR осуществляется после рассасывания избыточного заряда, вызванного протеканием рабочих токов высокой плотности.

На фиг.1, 2 представлены графики калибровочных зависимостей напряжения UFR от температуры Т для двух типов РВД: мощных высоковольтных ТДП-173-1250 с IH 400 А (фиг.1), и мощных высокочастотных опытных образцов с 1н 40 А (фиг.2).

Приведенные примеры подтверждают линейность зависимостей UFR от Т в выбранном диапазоне токов IFR.

Преимущество предлагаемого способа измерения температуры структуры РВД за- ключается в том, что обеспечивается линейность градуировочной характеристики ТЧП, достигается стабильность а , что позволяет пользоваться его среднестатистическим значением, повышается точность и произ-

водительность тепловых измерений РВД, исключается возможность разрушения РВД при испытаниях, результаты измерений не зависят от предшествующих электрических режимов.

Формула изобретения Способ определения температуры структуры реверсивно включаемых динисторов, включающий измерение термочувствительного параметра исследуемого реверсивно включаемого динистора и его градуировку по температуре, отличающийся тем, что, с целью повышения точности и производительности измерений, в качестве термочувствительного параметра используют напряжение между анодом и катодом реверсивно включаемого динистора при токе через него, равном (0,5 - 1,0) от номинального тока накачки и совпадающим с ним по направлению, а температуру структуры реверсивно включаемого динистора определяют по температурной градуировке для одного реверсивно включаемого динистора.

Изобретение касается измерений параметров полупроводниковых приборов и может быть использовано при производстве и испытаниях быстродействующих полупроводниковых коммутаторов. Цель изобретения - повышение точности и производительности измерений - достигается за счет использования в качестве термочувствительного параметра напряжения между анодом и катодом реверсивно включаемого динистора. Причем это напряжение измеряется при токе через прибор, лежащем в диапазоне (0,5 - 1,0) -10 от номинального тока накачки и совпадающем с ним по направлению. В этом диапазоне токов калибровочная зависимость напряжения анод - катод от температуры линейна и не меняется от прибора к прибору для реверсивно включаемых динисторов одной партии. 2 ил. Ё

Фиг.г