Основание под возводимый на слабых грунтах центрально вертикально нагруженный фундамент Советский патент 1991 года по МПК E02D27/34 E02D3/12 

:

Г-х

II

Рыхлый песок.

О N5 Ю

Изобретение относится к строительству и касается конструкций оснований сооружений на слабых грунтах. Цель изобретения - снижение материалоемкости подушки 1 и плиты-диафрагмы 2 при сохранении несущей способности основания обеспечивается выполнением подушки 1 толщиной h, соответствующей величине предельно допустимой осадки плиты-диафрагмы 2 под суммарной нагрузкой от массы фундамента 3 и подушки 1. При этом ширина В плиты- диафрагмы 2 определяется в зависимости от ширины фундамента и коэффициента распределительной способности материала подушки. 1 ил.

/fff/ff//S///f/f/fSfStf/ff/S/WSS//f////S////S///////Sf///////S///

Изобретение относится к строительству и касается конструкций оснований сооружений на слабых грунтах.

Целью изобретения является снижение материалоемкости подушки и плиты-диафрагмы при сохранении несущей способности основания.

-. На чертеже изображено предлагаемое устройство.

Основание состоит из подфундамент- ной подушки 1 изуплотненноготрунта, подстилаемой плитой-диафрагмой 2. На подушку 1 установлен фундамент 3. Под плитой-диафрагмой 2 расположен нижний слой основания со слабыми грунтами 4. Подушка 1 выполнена толщиной h, соответствующей величине предельно допустимой осадки плиты-диафрагмы 2 под суммарной нагрузкой от веса фундамента 3 и подушки 1. Ширина В плиты-диафрагмы 2 определена зависимостью В b + К h, где b - ширина фундамента; К - коэффициент распредели- ельной способности материала подушки, определяемый экспериментально опытным нагруженном образца из этого материала с измерением распределения напряжений по аго ширине; причем толщина плиты-диафрагмы 2 определена из условия обеспечения прочности ее при давлении от фундамента, линейно возрастающем от нулевого значения на краях плиты-диафрагмы до максимального по ее продольной оси.

Основание выполняют следующим образом.

Отрывают котлован, дно которого устраивают ниже отметки подошвы фундаментов на суммарную толщину подушки h и

плиты-диафрагмы д. Далее по дну котлована, по оси фундамента, устраивают плиты- диафрагмы шириной В. Над плитами-диа фрагмами отсыпают и послойно уплотняют слой фундаментной подушки с отметкой верха слоя, равной отметке подошвы фундаментов.

Формула изобретения

Основание под возводимый на слабых грунтах центрально вертикально нагруженный фундамент, включающее подфундамен- тную подушку из уплотненного грунта, подстилаемую плитой-диафрагмой, ширина

которой превышает ширину фундамента, о г- л ича ющее с я тем, что, с целью снижо ия материалоемкости подушки и плмты-дяь рагмы при сохранении несущей способности оснсвавния, п&душка выполнена толmi ной h, соответствующей величине пре- дел-оно допустимой осадки плиты-диафрагмы под суммарной нагрузкой от веса фун- даме .та и подушки, а ширина В плиту-диа- фрагмы определена зависимостью

B b + K-h,

где b - ширина фундамента; К - коэффициент распределительной способности материала подушки, определяемый экспериментально опытным нагружением образца из этого материала с измерением распределения напряжений по его ширине, причем толщина плиты-диафрагмы определена из условия обеспечения прочности ее при давлении от фундамента, линейно возрастающем от нулевого значения на краях плиты-диафрагмы до максимального по ее продольной оси.