Способ моделирования поля давления при циркуляционном обтекании плоского профиля Советский патент 1991 года по МПК G06G7/57 

Р

I

&

00

Изобретение относится к аналогов- вой вычислительной технике, и предназ-v начено для исследования циркуляционного обтекания профиля жидкостью или газом

Цель изобретения - повышение точности и сокращение времени определения поля давлений

На фигс1 изображена геометричес- ю кая модель для давления (аналогия В); на фиг„2 - то же (аналогия А)„

Каждая из моделей содержит лист 1 электропроводной бумаги прямоуголь- нЪй формы, на котором располагаются 5 входная 2 и выходная 3 шины,, Исследуемая модель 4 профиля выполнена по аналогии Б (фиг.1) из низкоомного металла и из диэлектрика по аналогии А (фиг.2). К моделям предлагает- 20 ся щуп 5 для измерения электрического потенциала. Критическая линия тока на фиг.1 и разрез на фиг.2 обозначены позицией 6. Модели имеют источу ник 7 тока и делитель 8 напряжения 25 по аналогии Б (фиг01)о

Способ осуществляется следующим образомо

При включении источника 7 тока меж6о Затем с помощью источника 7 тока подают напряжение на вертикальные шины и щупом 5 снимают распределение давления в поле течения модели 4„

Формула изобретения

Способ моделирования поля давления при циркуляционном обтекании плоского профиля, основанный на размещении на поверхности первой полу - проводящей среды геометрической модели плоского профиля из проводящего материала, формировании в первой полупроводящей среде посредством изменения потенциала на геометрической модели плоского профиля электрического поля, соответствующего выполнению условия схода критической линии тока с острой кромки модели профиля (аналогия Б), размещении на поверхности второй полупроводящей среды геометрической модели плоского профиля из диэлектрического материала и измерении на поверхности второй полупроводящей среды заданного по- ,средством внешних электродов параметров электрического поля, отображаюлогия А), о тем, что, с

ду входной 2 и выходной 3 шинами воз- -jo щего определяемое поле давлений (ана- никает ток, моделирующий внешнее обтекание модели 4 по аналогии Б (фиг„1) без циркуляциис Регулированием величины напряжения на модели 4 с помощью делителя 8 напряжения подбирает- 35 ся циркуляция из условия схода критической линии тока с острой задней кромки профиля. Положение критической линии тока находят щупом 5 и тем самым задают граничные условия, после до чего переносят эту линию в модель по аналогии А (фигс2) в виде изолированных друг от друга частей разреза

тличающийся ., -ни, ч- целью повышения точности и сокращения времени определения поля давлений, вторую полупроводящую среду составляют из двух частей, которые изолируют одну от другой вдоль измеренной в первой полупроводящей среде критической линии тока и затем параметры электрического поля во второй полупроводящей среде .измеряют и фиксируют раздельно в обеих частях второй полупроводящей среды

-v

16299134

6о Затем с помощью источника 7 тока подают напряжение на вертикальные шины и щупом 5 снимают распределение давления в поле течения модели 4„

Формула изобретения

Способ моделирования поля давления при циркуляционном обтекании плоского профиля, основанный на размещении на поверхности первой полу - проводящей среды геометрической модели плоского профиля из проводящего материала, формировании в первой полупроводящей среде посредством изменения потенциала на геометрической модели плоского профиля электрического поля, соответствующего выполнению условия схода критической линии тока с острой кромки модели профиля (аналогия Б), размещении на поверхности второй полупроводящей среды геометрической модели плоского профиля из диэлектрического материала и измерении на поверхности второй полупроводящей среды заданного по- ,средством внешних электродов параметров электрического поля, отображаюлогия А), о тем, что, с

щего определяемое поле давлений (ана

тличающийся ., -ни, ч- целью повышения точности и сокращения времени определения поля давлений, вторую полупроводящую среду составляют из двух частей, которые изолируют одну от другой вдоль измеренной в первой полупроводящей среде критической линии тока и затем параметры электрического поля во второй полупроводящей среде .измеряют и фиксируют раздельно в обеих частях второй полупроводящей среды

-J

Фиг. 2

Изобретение относится к аналоговой вычислительной технике и предназначено для исследования циркулярного обтекания профиля жидкостью или газом. Цель изобретения - повышение точности и сокращение времени определения поля давленияо Вариант реализации способа используют две установки, выполненные соответственно по аналогии Б и по аналогии А0 Установки содержат лист электропроводной бумаги прямоугольной формы 1, на котором располагаются входная и выходная шины 2 и Зо К установкам прилагается щуп 5 для измерения электрического потенциала„ Достижение поставленной цели обеспечивается разделением второго листа электропроводной бумаги по перенесенной на него критической линии тока, изоляцией разделенных частей друг от друга и фиксацией определяемого поля давления раздельно в обеих частях второго листа электропроводной бумаги, 2 ил. ч SS (Л