Интегральный полупроводниковый преобразователь давления Советский патент 1991 года по МПК G01L9/04 

Фиг. 2

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано при разработке и изготовлении полупроводниковых преобразователей механических величин. Целью изобретения является повышение чувствительности преобразователя за счет уменьшения толщины мембраны. Преобразователь содержит профилированный чувствительный элемент 1 с мембраной 2, в которой сформированы тензорезисторы 3 толщиной, равной толщине мембраны, а распределение концентрации примеси в тензорезисторах от поверхности в глубину мембраны одинаковы с планар- ной и непланарной сторон Благодаря тому, что мембрана 2 с планарной н с непланарной сторон имеет идентичные слои, в ней отсутствуют начальные механические напряжения. Способ изготовления .преобразователя включает формирование травлением мембраны чувствительного элемента, создание в маскирующей пленке с планарной и непланарной сторон совмещенные окна под тензорезисторы и одновременное двустороннее легирование в пленарную и непланарную стороны до смыкания p-n-переходов в области мембраны 2 ил„ (Л