Способ измерения напряженности магнитного поля и датчик для его реализации Советский патент 1991 года по МПК G01R33/05 

сл

с

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения напряженности магнитного поля. Цель изобретения - повышение чувствительности измерений на линейном участке характеристики магниторезистивного датчика -достигается тем, что в известном способе до приложения измеряемого поля, воздействуют дополнительным постоянным магнитным полем, а измерения производят после выключения этого поля. Датчик, реализующий данный способ, содержит магниторе- зистивный элемент 1 в виде однослойной или многослойной ферромагнитной пленки в форме полосы или меандра и электрические контакты 2. 2 ил.

о

Јь

ю

VI

00

Фм.1.

Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для измерения напряженности магнитного поля.

Целью способа измерения магнитного поля и магниторезистивного датчика для его реализации является повышение чувствительности измерений на линейном участке характеристики датчика.

На фиг. 1 схематически изображен датчик, содержащий магниторезистивный элемент 1 в виде однослойной или многослойной ферромагнитной пленки в форме полосы или меандра, имеющий электрические контакты 2.

На фиг. 2 показаны экспериментальные кривые зависимости относительного изменения магнитосопротивления д А/э/( Др )max от напряженности измеряемого поля Нт для одной итой же пленки в случае измерения поля по предлагаемому способу (кривая 1) и по известному способу (кривая 2).

Измерение напряженности поля Нт осуществляют следующим образом. К магнито- резистивному элементу 1 предварительно прикладывают импульс постоянного поля Н0 ориентированного вдоль направления тока и достаточного для насышения магниторезистивного элемента. Магниторезистивный элемент в данном примере выполнен в виде полосы из ферромагнитной пленки, характеризующейся прямоугольной пет- лей гистерезиса в направлении поля предварительного намагничивания. В данном конкретном примере использована так называемая инверсная пленка.

После выключения поля Н0 на магнито- резистивный датчик воздействуют измеряе6 l

W

6,

мым полем Нт, составляющим угол 85° с Н0. Этот угол может изменяться в пределах от 80 до 90°. При помощи компаратора напряжений определяют изменение сопротивления магниторезистивного элемента, вызванное зарождением и ростом доменов с намагниченностью, ориентированной параллельно измеряемому полю. Затем по известной зависимости магнитосопротивления Ар магниторезистивного элемента от внешнего поля определяют величину измеряемого поля Нт,

Формула изобретения

2.Датчик для измерения напряженности магнитного поля, содержащий магниторезистивный элемент, выполненный из ферромагнитной пленки, и электрические контакты, отличающийся тем, что ферромагнитная пленка выполнена из материала с прямоугольной петлей гистерезиса в направлении предварительного намагничивания и доменной структурой в присутствии измеряемого поля.