Устройство управления силовым транзистором Советский патент 1991 года по МПК H03K17/60 

Изобретение относится к области электроники, в частности к устройствам управления ключевыми элементами, работающими в преобразователях вторичных источников питания.

Цель изобретения - увеличение надежности и КПД.

На чертеже представлена принципиальная электрическая схема предлагаемого устройства.

Устройство содержит силовой транзистор 1, отпирающий и запирающий транзисторы 2 и 3 соответственно, управляющий трансформатор 4, диод 5, резистор 6 и два конденсатора 7 и 8.

Первые обкладки конденсаторов 7 и 8 подключены к среднему выводу 9 источника постоянного напряжения, крайние выводы 10 и 11 которого соединены с вторыми обкладками конденсаторов 7 и 8. Эмиттер отпирающего транзистора 2 соединен с вторым выводом выходной обмотки управляющего трансформатора 4 и второй обкладкой конденсатора 7, а коллектор отпирающего транзистора 2 соединен с базой запирающего транзистора 3 и через обратновклю- ченный диод 5 с эмиттерами транзисторов 3 и 1.

При подаче напряжения управления от широтно-импульсного модулятооа на , база - эмиттер транзистора 2 последний, открывается, конденсатор 7 разряжается через база-эмиттерную цепь силового транзистора 1, диод 5 и коллектор - эмиттер транзистора 2. Транзистор 3 в это время закрыт. После окончания отпирающего импульса управления транзистор 2 закрывается,1 отрицательное напряжение на базе транзистора 3 изменяется на положительное и транзистор 3 открывается, давая путь разрядному току конденсатора 8 через эмиттер - база силового транзистора 1.

Приложенное напряжение конденсатора 8 к цепи эмиттер - база силового транзистора 1 закрывает переход для

прямого эмиттерного тока транзистора 1 и вытесняет его в базовую цепь. С этого момента начинается уменьшение прямого эмиттерного тока и к моменту рассасывания носителей обратное сопротивление перехода эмиттер - база восстанавливается и ток разряда конденсатора уменьшается. Таким образом,

Q время рассасывания носителей силового транзистора 1 определяется временем включения высокочастотного транзистора 3 и временем восстановления обратного сопротивления диода 5. Так

5 как уменьшается время рассасывания носителей силового транзистора 1,то увеличивается КПД и надежность устройства .

0 Формула изобретения

Устройство управления силовым транзистором, содержащее отпирающий транзистор, база которого подключена 5 к первому выводу выходной обмотки управляющего трансформатора, запирающий транзистор, база которого соединена с первым выводом резистора, два конденсатора, первые обкладки которых Q подключены к среднему выводу источника постоянного напряжения, крайние выводы которого соединены с вторыми обкладками соответствующих конденса- . торов t и диод, отличающееся тем, что, с целью увеличения надежности и КПД, эмиттер отпирающего транзистора соединен с вторым выводом выходной обмотки управляющего трансформатора и второй обкладкой первого 0 конденсатора, коллектор отпирающего транзистора соединен с базой запирающего транзистора и через обратновклю- ченныйдиод с его эмиттером и эмиттером силового транзистора,база которого под- с „кпючена к среднему выводу источника по- стоянного напряжения,а вторая обкладка второго конденсатора соединена с вторым выводом резистора и коллектором запирающего транзистора.

Изобретение относится к электронике, в частности к устройствам управления силовыми транзисторами, Ь- А А Л. Л-J-t . ботающими в преобразователях вторичных источников питания. Цель изобрег тения - увеличение надежности и КПД. Устройство содержит силовой транзистор 1, отпирающий и запирающий транзисторы 2 и 3, управляющий трансформатор 4, конденсаторы 7, 8, источник постоянного напряжения с выводами 9, 10 и 11, средним и крайними соответственно. Особенности включения отпирающего и запирающего транзисторов 2 и 3 и их соединения с силовым транзистором 1 и элементами схемы позволяют снизить время рассасывания носителей силового транзистора 1 и сократить потери в устройстве. 1 ил. -Л. ся я -о