ВЫСОКОСТАБИЛЬНЫЙ ЖДУЩИЙ БЛОКИНГ-ГЕНЕРАТОР Н.Л ДВУХ ТРАНЗИСТОРАХ Советский патент 1964 года по МПК H03K3/30 

Игт-естные ждущие блокинг-генераторы на транзисторах имеют весьма сильную зависимость параметров импульса от изменения иагрузки и смены транзисторов и низкое входное сонротивление. Также возникают трудности при запуске блокииг-генератора импульсами положительной и отрицательной полярности.

Предлагаемый высокостабильпый ждущий блокинг-генератор на транзисторах с различным типом проводимости отличается от известных тем, что времязадающая цепочка RC включена между коллектором входного транзистора и базой выходного транзистора. Такое включение позволяет обеспечить стабильность длительности импульса при изменении нагрузки и смене транзисторов.

Па чертеже изображеиа принципиальная схема описываемого устройства.

Работа ждущего блокинг-генератора осуществляется следующим образом.

В исходном состоянии транзистор / закрыт за счет ноложительного смещения, поданного с делителя 2 напряжения, состоящего из сопротивлепнй 3 и 4. Транзистор 5 закрыт за счет шунтирования базовой цепи сопротивлением 6. При этом сопротивление 7 служит для ограничения тока во входной цепи и увеличения входного сопротивления схемы. При подаче иа базу транзистора / через емкость 5 и

сонротивлеиие 7 отрицательного запускающего импульса транзистор / -открывается. На коллекторе транзистора / возникает положительный импульс, который через сопротивление 9 и конденсатор 10 передается на базу транзистора 5 и открывает его. При этом на коллекторе транзистора 5 появляется отрицательный импульс, который трансформируется через обмотки трансформатора 11, 12 и сопротивление 4 на базу транзистора /, представляющего дополните тьнь Й усилитель тока в цепи обратной связи, и увеличивает ток в базовой цепи транзистора /. Это является началом регенеративного процесса, в котором участвуют два транзистора / и 5, включенные так, что общее усилие по току в схеме В общ blSs, где Б и В-2 - соответствующие коэффициенты усиления по току транзисторов 1 и 5. За счет этого резко уменьгнается зависимость длительности импульса от величины сопротивления нагрузки.

Регенеративный процесс заканчивается тогда, когда транзистор 5 входит в режим насыщения. После этого начинается заряд конденсатора W через насын енный транзистор /, сопротивление 9 и базово-эмиттерный переход транзистора 5. Когда конденсатор 10 зарядится настолько, что транзистор 5 начнет выходить из насыщения, в схеме снова возникает регенеративный процесс, который заканчиг.аетсл запиранием транзисторов I и 5. При этом конденсатор 10, заря/дившись со премя формирования импульса, разряжается через сопротивления 9, 15 и базово-эмиттерный переход транзистора 5, ускоряя выключение транзистора 5. Запуск схемы импульсом положительной полярности производится подачей запускающего импульса на базу транзистора 5 через емкость 13 и токоограничивающее сопротивление 14.

Предмет изобретения

Высокостабильный ждущий блокинг-генератор на двух транзисторах разного типа проводимости, отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности длительности импульса при изменении нагрузки и смене транзисторов, времязадающая цепочка RC включена между коллектором входного транзистора и базой выходного транзистора.