Термомагнитный способ записи информации Советский патент 1991 года по МПК G11B9/10 

1

(21)4698499/10

(22)31.05.89

(46)07.07.91. Бюл №25

(72) А. Н. Антонец, В. В. Лысак и М В. Михайленко

(53)681.142(088.8)

(56)Патент Великобритании № 1354918, кл. Н 01 D, 1978.

(54) ТЕРМОМАГНИТНЫЙ СПОСОБ ЗАПИСИ ИНФОРМАЦИИ

(57)Изобретение относится к оптической обработке информации и вычислительной технике и быть использовано при конструировании систем оптической обработки или отображения информации, в магнитооптических запоминающих устройствах, а также в устройствах, использующих

пространственные модуляторы света. Способ основан на предварительном воздействии на ферримагнитный материал стирающим магнитным полем с последующим воздействием на него электронным лучом и записывающим магнитным полем. Цель изобретения - повышение скорости и плотности записи за счет увеличения точности адресации электронного луча, достигается за счет того, что воздействие на ферримагнитный материал электронным лучом и записывающим магнитным полем осуществляют последовательно, что позволяет воздействовать электронным лучом на ферримагнитный материал в отсутствие искажающего его траекторию сильного записывающего поля 2 ил

Изобретение относится к оптической обработке информации и вычислительной технике и может быть использовано при конструировании систем оптической обработки или отображения информации, в магнитооптических запоминающих устройствах, а также в устройствах, использующих пространственные модуляторы света. Способ основан на предварительном воздействии на ферримагнитный материал стирающим магнитным полем с последующим воздействием на него электронным лучом и записывающим магнитным полем. Цель изобретения - повышение скорости и плотности записи за счет увеличения точности адресации электронного луча достигается за счет того, что воздействие на ферримагнитный материал электронным лучом и записывающим магнитным полем осуществляют последовательно, что позволяет воздействовать электронным лучом на ферримагнитный материал в отсутствие искажающего его траекторию сильного записывающего поля. 2 ил.

Изобретение относится к электроннолучевым системам отображения информации и вычислительной технике и может быть использовано при конструировании электронно-лучевых трубок (ЭЛТ), систем оптиче- ской обработки и отображения информации, в магнитооптических запоминающих устройствах, а также в других устройствах, в которых применяются пространственные модуляторы света (ПМС).

Цель изобретения - повышение скорости и плотности записи за счет увеличения точности адресации электронного луча.

На фиг. 1 приведена схема устройства, реализующего предлагаемый способ; на фиг. 2 - фотографии доменной структуры ферримагнитного материала после воздействия стирающим магнитным полем и электронным лучом (а) и после воздействия

записывающим магнитным полем напряженностью 40 кА/м (б).

Под воздействием собственных полей рассеяния ферримагнитного материала в остывающих после окончания нагрева электронным лучом участках, площадь которых пропорциональна мощности воздействующего электронного луча, образуется доменная структура, представляющая собой ансамбль отдельных противоположно намагниченных доменов. При наложении записывающего магнитного поля происходит движение доменных стенок образованной ломенной CTDVKTVDbi. в результате чего ферримагнитный материал в области элемента записи переходит в монодоменное состояние. При этом дисторсия электронного луча, наблюдающаяся по известному способу при одновременном воздействии электронным

О

о

00 СО

со

лучом и записывающим магнитным полем, по предлагаемому способу исключена.

Устройство содержит отпаянную ЭЛТ 1 (фиг. 1), экраном которой является магнитооптическая пленка 2 феррита-граната, выращенная на подложке 3 из галийгадолиниевого кристалла, на которую напылен тонкий отражающий металлический слой 4, на противоположных краях которого размещены контактные площадки 5, анод 6, модулятор, катодно-модуляторный узел 8, фокусирующая 9, строчные 10 и кадровые 11 отклоняющие катушки, а также намагничивающую катушку 12, расположенную коаксиально экрану ЭЛТ.

Трубка 1 представляет собой отпаянную ЭЛТ с электронно-оптической системрй 6-8, ЭЛТ 1 ЗЛК16Л, экран которой выполнен из висмутсодержащей высококоэрцитивной пленки 2 феррита-граната, толщиной не более 10 мкм, выращенной на подложке 3 из галийгадолиниевого граната, поверх которой напылен тонкий слой никеля толщиной порядка 100 А с медными контактными площадками 5.

Для обеспечения нормальных условий термомагнитной записи информации электронным лучом на магнитооптическую пленку 2 на ней необходимо поддерживать температуру, меньшую температуры точки Кюри на 10-40°С, что достигается нагревом пленки током, проходящим по тонкому металлическому покрытию 4, который подают на контактные площадки 5.

Перед началом термомагнитной записи импульсом тока в намагничивающей катушке 12 создают стирающее магнитное поле, напряженность которого превышает коэрцитивную силу магнитооптической пленки 2. Магнитное поле стирает ранее записанную информацию, переводя магнитооптическую пленку 2 в монодоменное состояние.

Затем осуществляют термомагнитную запись. На модулятор 7 подают напряжение, соответствующее информации, которую необходимо записать, Электронный луч, сфокусированный фокусирующей системой 9 и адресуемый отклоняющими катушками 10 и 11, нагревает некоторую точечную область магнитооптической пленки 2 - элемент записи. При этом температура ферримагнитного слоя 2 в области элемента записи достигает значений выше, или равных температуре точки Кюри, переводя слой 2 из ферримагнитного в парамагнитное состояние. Причем линейные размеры нагреваемого элемента записи будут зависеть как от мощности и фокусировки луча, так и от времени воздействия

электронным лучом на область элемента записи,

В общем случае нагрев магнитооптического слоя 2 может быть проведен движущимся электронным лучом, при этом элемент записи будет иметь форму полосы, а не точечной области.как в случае воздействия неподвижным электронным лучом. После окончания воздействия магнито0 оптический слой 2 остывает, переходя из парамагнитного в ферримагнитное состояние. При этом под воздействием собственных полей рассеяния магнитооптической пленки в остывающих областях образуется

5 доменная структура (фиг. 2а). представляющая собой ансамбль отдельных противоположно намагниченных доменов. Это будет соответствовать минимуму потенциальной энергии доменной структуры в области эле0 мента записи.

Адресуя электронный луч отклоняющей системой 10 и 11, производят образование доменных структур по некоторой области ферримагнитного слоя 2. Управление запи5 сываемой информацией изменением мощности, фокусировки или времени воздействия ограничивает скорость записи только необходимым временем воздействия электронным лучом в область элемента

0 записи.

Током в намагничивающих катушках 12 в области пленки 2 создают записывающее магнитное поле, напряженность которого не превышает коэрцитивной силы пленки 2

5 и направление которого противоположно направлению стирающего магнитного поля. При этом происходит движение доменных стенок образованной в элементе записи доменной структуры, в результате чего ферри0 магнитный материал в области элемента записи переходит в монодоменное состояние (фиг. 26). Причем направление намагниченности каждого из образованных в элементах записи магнитооптической плен5 ки 2 монодоменах соответствует направлению записывающего магнитного поля.

За счет того, что воздействие электронным лучом можно осуществить предварительно на целый массив записываемой на

0 экран ЭЛТ информации с последующим одиночным воздействием записывающим магнитным полем на весь массив, а не на каждый элемент в отдельности, может быть достигнута высокая скорость записи.

5 Воспроизведение записанной информации осуществляют световым лучом путем преобразования угла поворота плоскости поляризации света, прошедшего через слои 2 и 3 и отраженного слоем в интенсивность.

Формула изобретения

Термомагнитный способ записи информации, заключающийся в воздействии на ферримагнитный материал стирающим магнитным полем с последующим воздействием на него электронным лучом и магнитным полем с напряженностью, противоположной направлению стирающего магнитного поля, отличающийся тем, что, с целью повышения скорости и плотности записи за счет увеличения точности адресации электронного луча, воздействие на ферримагнитВход

О)

0

ный материал электронным лучом и магнитным полем осуществляют последовательно, при этом воздействие электронным лучом производят путем управления током электронного луча записываемым сигналом, а последующее воздействие магнитным полем осуществляют с напряженностью Н, удовлетворяющей соотношению Нс-ЛН Н Нс, где Нс - средняя коэрцитивная сила ферри- магнитного материала; АН - неравномерность коэрцитивной силы по площади ферримагнитного материала.

а