ГИБРИДНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА Советский патент 1996 года по МПК H01L23/10 

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при создании гибридных интегральных схем СВЧ-диапазона (ГИС СВЧ).

Целью изобретения является улучшение электрических характеристик и повышение плотности монтажа.

На фиг. 1 приведена конструкция ГИС, вид сверху; на фиг.2 разрез А-А на фиг.1.

ГИС состоит из диэлектрической платы 1 с топологическим рисунком металлизации 2 с углублениями 3, на дне которых установлены кристаллы 4 бескорпусных электронных приборов. Крепление кристаллов 4 в углублениях 3 осуществляется с помощью связующего вещества 5.

Пример конкретной реализации.

В диэлектрической плате 1 из сапфира выполнен топологический рисунок металлизации 2 из Тi-Pd-Au, при этом толщина золотого покрытия равна 3 мкм, золотого покрытия равна 3 мкм, выполнены углубления 3 (например, методом размерной лазерной обработки) глубиной 180^-20 мкм, на дно которых с помощью клея 5 ЭЧЭ-СЫУО.028.052ТУ установлены кристаллы арсенидогаллиевых СВЧ-транзисторов ЗП325А5, ЗП326А-2, имеющих размеры 0,5х0,4х0,15 и 0,5х0,5х0,15 мм соответственно.

Заданная выше глубина углублений и толщина кристалла обеспечивают расположение поверхности кристалла с контактными площадками в одной плоскости или несколько ниже относительно поверхности платы. Аналогично кристаллам транзисторов в плату установлены кристаллы 4 емкостей типа ТС7.088.003. Электрическое соединение 6 контактных площадок 7 кристаллов 4 с металлизацией платы 2 выполнено золотой проволокой диаметром 15 мкм для кристаллов транзисторов и диаметром 30 мкм для кристаллов емкостей.

Использование изобретения позволит улучшить электрические характеристики ГИС, а также повысить плотность монтажа. Сокращение длины выводов позволит экономить драгоценные металлы.

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано при создании гибридных интегральных схем (ГИС) и микросборок СВЧ-диапазона. Целью изобретения является улучшение электрических характеристик и повышение плотности монтажа. В конструкции ГИС размещение кристаллов электронных приборов производят на дно углублений. Глубина углублений выбрана на 10 - 30 мкм больше толщины кристаллов. Зазоры между стенками каждого углубления и кристалла составляют 20 - 100 мкм. 2 ил.

Гибридная интегральная схема, содержащая диэлектрическую плату с топологическим рисунком металлизации и выемками, в которых с помощью связывающего вещества закреплены полупроводниковые кристаллы, причем поверхность кристаллов с контактными площадками лежит в одной плоскости с поверхностью платы, а контактные площади кристаллов электрически соединены с топологическим рисунком металлизации, отличающаяся тем, что, с целью улучшения электрических характеристик и повышения плотности монтажа, выемки в диэлектрической плате выполнены в виде углублений, глубина которых выбрана превышающей на 10 30 мкм толщину кристаллов, закрепленных на дне углублений, а зазоры между стенками каждого углубления и кристаллом выбраны равными 20 - 100 мкм.