Регулируемая линия задержки на поверхностных акустических волнах Советский патент 1991 года по МПК H03H9/30 

Боковая грань 5 бидоменной пластины звукопровода 1 выполнена в форме круговой цилиндрической поверхности радиуса R, сопряженной с плоскими базовыми гранями 3 и 4 звукопровода 1. Величина R выбрана из соотношения R 2:8 АО, гдеАо-Длина волны ПАВ на частоте акустического синхронизма встречно-штыревых преобразователей (ВШП) б и 7 ПАВ. Входной и выходной ВШП 6 и 7 выполнены идентичными друг другу и ориентированными своими штыревыми электродами под углом я/4 относительно плоскости доменной границы 2. Акустические оси ВШП 6 и 7 параллельны кристаллографическому направлению (010). На плоских базовых гранях 3 и 4 расположены управляющие электроды 8 и 9, подсоединенные к регулируемому источнику 10 постоянного электрическрго напряжения.

Регулируемая линия задержки на ПАВ работает следующим образом.

При приложении радиочастотного сигнала к входному ВШП 6 встречно-штыревого типа в силу обратного пьезоэффекта возбуждается поверхностная акустическая волна, распространяющаяся по поверхности плоской базовой грани 3 домена в направлении его доменной границы 2, по достижении которой ПАВ отражается от нее и распространяется по поверхности плоской базовой грани 3 домена в направлении боковой грани 5, выполненной в виде фрагмента круговой цилиндрической поверхности, сопряженной с плоскими базовыми гранями 3 и 4. Пройдя по боковой грани 5, отраженная от доменной границы 2 ПАВ попадает на противоположную плоскую базовую грань 4 и распространяется по ее поверхности в направлении доменной границы 2, а по достижении ее вновь отражается от доменной границы 2 и распространяется далее в направлении выходного ВШП 7 встречно-штыревого типа, на электродах которого в силу прямого пьезоэффекта детектируется в виде выходного радиочастотного сигнала, задержанного относительно входного. При этом время задержки выходного сигнала относительно входного определяется длиной акустического канала1 ВШП б-лдоменная граница ковзя грань 5- доменная граница 7.

При приложении от регулируемого источника 10 к управляющим электродам 8 и

9 постоянного электрического напряжения, превышающего соответствующее коэрце- тивное значение для данного монокристаллического материала, доменная граница 2

смещается по звукопроводу 1 в ту или иную сторону в зависимости от знака приложения постоянного электрического напряжения, в результате чего изменяется длина участка: ВШП 6- доменная граница 2 и доменная

граница 7 акустического канала и, как следствие, время задержки выходного радиочастотного электрического сигнала относительно входного.

Формула изобретения

Регулируемая линия задержки на поверхностных акустических волнах, содержащая звуколровод, выполненный из монокристалла в виде бидоменной пластины с двумя плоскими базовыми гранями,

параллельными полярным граням монокристалла, входной и выходной встречно-штыревые преобразователи поверхностных акустических волн, причем входной преобразователь расположен под углом я/4 относительно плоскости доменной границы бидоменной пластины, отличающаяся тем, что, с целью расширения относительного диапазона регулирования времени задержки без увеличения габаритов

звукопровода, боковая грань бидоменной пластины выполнена в форме фрагмента круговой цилиндрической поверхности, сопряженной с плоскими базовыми гранями, входной и выходной встречно-штыревые

преобразователи расположены друг под другом, а радиус кривизны круговой цилин дрической поверхности R и yronj/ между об разующей этой поверности и плоскостью доменной границы удовлетворяют соотношению

у arcsin Л2/2(); RS8Ao,

где VH и Vi-скорости распространения поверхностных акустических волн по плоским базовым граням звукопровода в направлениях, соответственно параллельном и перпендикулярном акустическим осям

встречно-штыревых преобразователей:

АО - длина поверхностной акустической волны.

w

9

Изобретение относится к акустоэлект- ронике и может быть использовано в системах связи, в устройствах обработки сигнальной информации. Целью изобретения является расширение относительного - диапазона регулирования времени задержки без увеличения габаритов звукопровода. Регулируемая линия задержки на поверхностных акустических волнах (ПАВ) содержит бидоменную пластину-звукопровод, выпол- ненную из монокристалла сегнетоэла- стика - сегнетоэлектрика редкоземельного молибдата гадолиния, тербия или других Изобретение относится к акустоэлект- ронике и может быть использовано в качестве регулируемой линии задержки (РЛЗ) на поверхностных акустических волнах (ПАВ) в различных радиоэлектронных устройствах обработки сигнальной информации. Целью изобретения является расширение относительного диапазона регулирования времени задержки без увеличения габаритов звукопровода. На чертеже схематично изображена РЛЗ на ПАВ. изоморфных редкоземельных молибдатов, два домена которой разделены плоской доменной, границей, а две нлоские базовые грани параллельны полярным граням монокристалла, имеющим кристаллографические индексы (001). Базовая грань бидоменной пластины-звукопровода выполнена в форме фрагмента круговой цилиндрической поверхности радиуса R. сопряженной с плоскими базовыми гранями звукопровода. Величина R выбрана из соотношения: R 8 АО, где До длина волны ПАВ на частоте акустического синхронизма встречно-штыревых преобразователей (ВШП)ПАВ. Входной и выходной ВШП ПАВ выполнены идентичными друг другу и ориентированными своими штыревыми электродами под углом относительно плоскости доменной границы. Акустические оси ВШП параллельны кристаллографическому направлению 010. На плоских базовых гра; нях расположены управляющие электроды, подсоединенные к регулируемому источнику постоянного электрического напряжения. 1 ил. Регулируемая линия задержки на ПАВ содержит бидоменную пластину-звукопровод 1, выполненную из монокристалла сег- нетоэластика - сегнетоэлектрика редкоземельного молибдата гадолиния, тербия или других изоморфных им редкоземельных молибдэтов, два домена которой разделены плоской доменной границей 2. а две плоские базовые грани 3 и 4 параллельны полярным граням монокристалла, имеющим кристаллофизические индексы ). С о ю ю 00

/

7

t f