СПОСОБ ИЗМЕРЕНИЯ ВНУТРЕННИХ ТЕПЛОВЫХ ПАРАМЕТРОВ ТРАНЗИСТОРОВ Советский патент 1965 года по МПК G01R31/26 

Известные способы измерения внутренних тепловых параметров транзисторов, основанные на осциллографическом определении электрических параметров термочувствительного элемента транзистора, например его коллекторного перехода, при отключенном эмиттере весьма трудоемки, так как требуют предварительного снятия температурной зависимости термочувствительного параметра.

Описываемый способ отличается от известных тем, что в качестве контролируемого параметра терцмочувствительного элемента использовано прямое падение напряжения на коллекторном р-«-переходе, которое в процессе ИСиытания различных образцов транзисторов поддерживают постоянным, регулируя величину нрямого тока через коллекторный переход. Тепловые параметры транзисторов определяют по усредненной температурной характеристике. Это позволяет упростить способ.

На чертеже изображена принципиальная схема устройства для измерения внутренних тепловых параметров транзистора.

Испытуемый транзистор / включают по схеме с общей базой. Для коммутации цепей эмиттера и коллектора служит коммутатор 2. Диод 3 при этом закрыт отрицательным напряжением источника, подключенного

к зажимам 4, а диод 5 открыт и шунтирует вход осциллографа, подключенного к зажимам 6.

Остаточное падение напряжения на диоде 5 компенсируется наиряжением, подаваемым на него от источника, подключенного к зажимам 7. Переключение транзистора / в режим измерения производится ко,ммутатором 2, контакты 8 которого размыкаются,

разрывая цепь эмиттера. При этом диод 3 открывается, а диод 5 закрывается и не шунтирует вход осциллографа. Прямое падение напряжения на коллекторном переходе измеряется по отклонению луча осциллографа, на экран которого наложена ирозрачная сетка с нанесенной на нее усредненной температурной характеристикой, справедливой для значительного числа транзисторов различных типов. Шкала сетки ироградуирована непосредственно в градусах. До начала измерений, регулируя величину прямого тока через коллекторный переход, сопротивлением 9 устанавливают луч осциллографа на риску шкалы, соответствующую окружающей температуре. Затем транзистор включают в цепь источника питания и, регулируя сопротивлением 10, получают заданную величину мощности рассеяния на коллекторе. Переключив транзистор коммутатором 2 в режим измереизображение переходного теилового процесса, по которому производят отсчет. По шкале сетки определяют разность температур коллекторного р-«-перехода и корпуса транзистора и расчетным путем находят тепловое сопротивление транзистора.

При описанном способе не требуется снимать температурную характеристику термочувствительного параметра, индивидуального для испытуемого транзи.стора, т. е. существенно упрощается процесс измерения.

Предмет изобретения

Способ измерения внутренних тепловых параметров транзисторов, основанный на осциллографическом определении электрических параметров термочувствительного элемента транзистора, например коллекторного перехода, при отключенной цепи эмиттера, отличающийся тем, что, с целью упрощения способа, в качестве контролируемого параметра термочувствительного элемента использовано прямое падение напряжения на коллекторном р-«-переходе, которое в процессе испытания различных образцов транзисторов поддерживают постоянным регулировкой величины прямого тока через коллекторный переход, а тепловые параметры транзисторов определяют по их усредненной температурной характеристике.

/О