Формирователь прямоугольных импульсов Советский патент 1991 года по МПК H03K5/12 

Описание патента на изобретение SU1698965A1

Похожие патенты SU1698965A1

название год авторы номер документа
Мультивибратор 1987
  • Нейман Юрий Леонидович
  • Кузнецов Андрей Владимирович
SU1465937A1
Повторитель однополярных импульсов 1982
  • Плотников Анатолий Иванович
SU1167695A1
Оптоэлектронный коммутатор 1973
  • Горохов Вадим Алексеевич
  • Носов Юрий Романович
  • Рыбаков Валерий Сергеевич
SU439921A1
Стабилизатор постоянного тока 1982
  • Сидоров Вячеслав Валентинович
SU1019412A1
Устройство для передачи и приема информации по согласованной двухпроводной линии связи 1986
  • Морозов Юрий Георгиевич
  • Соломеин Петр Иванович
SU1336258A1
Устройство для управления тиристором 1979
  • Воронин Валерий Георгиевич
  • Егорычев Александр Никитович
  • Соловьев Валентин Сергеевич
  • Стрижов Евгений Анатольевич
SU866739A1
Операционный усилитель 1972
  • Домнин Лев Петрович
  • Тонких Николай Никитович
  • Федоров Дмитрий Петрович
  • Хорошков Юрий Васильевич
SU468254A1
Устройство коммутации 1977
  • Васильев Виктор Серафимовмч
  • Дулин Михаил Борисович
  • Алимов Тагир Измайлович
SU632086A1
Согласующее устройство 1976
  • Гончаров Владимир Иванович
SU736376A1
Устройство для преобразования телемеханических сигналов 1977
  • Овласюк Владислав Яковлевич
  • Хальков Виктор Сергеевич
  • Выходцев Леонид Валентинович
SU660076A1

Реферат патента 1991 года Формирователь прямоугольных импульсов

Изобретение относится к импульсной технике и предназначено для формирования двух противофазных прямоугольных сигналов от сигнала любой формы и может быть использовано в вычислительной TCVJH- ке и в преобразователях перемещения. Цель изобретения - расширение области применения за счет обеспечения возможности применения в системах с плавающей амплитудой переменных сигнапов и повышение помехоустойчивости по шичаи; питания. Формирователь седерт г асинхронный транзисторный триггер i, защитные транзисторы 2, 3, составные транзисторы 4, 5, инвертирующие усилитети 3, 7, усилительные каскады 8, 9, vc-очник Ш постоянного тока, резисторы 1 i, 12,транз/- сторы 13, 14. Двойное блокирование базы закрытого составного транзистора 4 (5) повышает помехоустойчивость, 1 ия. ьл

Формула изобретения SU 1 698 965 A1

SU 1 698 965 A1

Авторы

Юодвалькис Витаутас Юргевич

Баранаускас Далюс Винценто

Шедуйкис Юргис Пятрович

Даты

1991-12-15Публикация

1989-07-19Подача