Биполярный латеральный магнитотранзистор Советский патент 1991 года по МПК H01L29/82 

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к биполярным латеральным магнитотранзисторам используемым в качестве датчиков магнитного поля.

Известны биполярные магнитотранзи- сторы содержащие эмиттер, базу и коллектор с соответствующими контактами

Недостатком такого транзистора явля- е)Ся невысокое значение магниточувстви- тельностм, обусловленное размерами базовой области и расположением коллекторной области.

Наиболее близким к предлагаемому является биполярный ла1еральиый магнито- транзистор. содержащий полупроводниковую пластину первого типа ПрОГОЛИМОС И В приповерхностной области которой сфс.- мироеаны последовательно на очсстоянии друг от друга первая контактная базовая область периоготипа проводимости, игжек- торна область второго типа проводимо тп коллекторная область второго типа проводимости и вторая контактная базовач область первого типа проводимости.

Однако известный биполярный латеральный транзистор характеризуется низ кой магниточувстви гель н остью г о и коллекторных токах, превышающих 0 5 л л

Цель изобретения - повышение магни- точувствитетьности.

г

kl

Р

И 4

СП СО

Поставленная цель достигается тем, что в биполярном латеральном магнитотран- зисторе, содержащем полупроводниковую пластину первого типа проводимости, в приповерхностной области которой сформированы последовательно на расстоянии друг от друга первая контактная базовая область первого типа проводимости, инжекторная область второго типа проводимости, коллекторная область второго типа проводимости и вторая контактная базовая область первого типа проводимости, в приповерхностной области пластины дополнительно сформирована вторая инжекторная область второго типа проводимости, расположенная с противоположной стороны от первой контактной базовой области на расстоянии большем, чем расстояние между первой контактной базовой областью и первой инжекторной областью.

На чертеже приведен биполярный латеральный магниготранзистор, поперечный разрез, со схемой его внешнего соединения.

Биполярный латеральный магнитотран- зистор состоит из полупроводниковой пластины 1 первого типа проводимости, в приповерхностной области которой сформированы посл-,:дорэтельно расположенные на расстоянии один от другого первая контактная базовая область 2 первого типа проводимости, инжекторная область 3 второго типа проводимости, коллекторная область 4 второго типа проводимости и вторая контактная базовая область 5 первого типа проводимости. С другой стороны первой контактной базовой области 2 расположена дополнительная инжекторная область 6 второго типа проводимости. Инжекторные области 3 и 6 соединены между собой и подключены в прямом направлении по отношению к второй контактной базовой области 5 с источником питания Ui. Первая контактная базовая область 2 подключена к тому же источнику питания Ui и по отношению к второй контактной базовой области той же полярности. Коллекторный р-п-пере- ход, образованный областями 4 и 1, подключен в обратном направлении по отношению к второй контактной базовой области 5 и второму источнику постоянного напряжения U2, в его цепь подсоединено сопротивление нагрузки RK. Внешнее постоянное

или переменное магнитное поле В расположено перпендикулярно со стороны маг- нитотранзистора. Выходной сигнал снимается между коллекторной областью 4

и второй контактной базовой областью 5.

Устройство работает следующим образом.

Посредством напряжения питания Ui и регулируемых сопротивлений RI и R2 выбирают режим действия прибора, при котором обе инжекторные области 3 и 6 инжектируют одновременно неосновные носители в пластине 1, при этом инжекторная область 3 работает в режиме отрицательного сопротивления. Коллекторный ток магнитотран- зистора определяется током неосновных носителей, инжектированных в пластину 1 инжекторной областью 3. Магнитное поле В воздействует на инжектированные неосновные носители инжекторных областей 3 и 6, и в зависимости от направления коллекторный ток повышается или понижается.

Введение дополнительной инжекторной областипозволяет повысить

магниточувствительность и возможность

детектирования очень слабых магнитных

полей при одновременном повышении

коллекторного тока на два-три порядка, что

способствует повышению помехозащищеннести.

Формула изобретения Биполярный латеральный магнитотран- зистор, включающий полупроводниковую

пластину первого типа проводимости, в приповерхностной области которой сформированы последовательно на расстоянии одна от другой первая контактная базовая область первого типа проводимости, инжек;орная область второго типа проводимости, коллекторная область второго типа проводимости и вторая контактная базовая область первого типа проводимости, отличающийся тем, что, с целью повышения

магниточувствительности, в приповерхностной области пластины дополнительно сформирована вторая инжекторная область второго типа проводимости, расположенная с противоположной стороны от первой контактной базовой области на расстоянии

большем, чем расстояние между первой контактной базовой областью и первой инжекторной областью.

Изобретение относится к биполярному латеральному магниготранзистору, который используется в качестве датчика магнитного поля. Цель изобретения - повышение магниточувствительности. Биполярный латеральный магтпотранзистор включает полупроводниковую пластину первого типа проводимости, в приповерхностной области которой сформированы последовательно на расстоянии дру( от друга первая контактная базовая область первого типа проводимости, инжекторная область второго типа проводимости, коллекторная область второго типа проводимости и вторая контактная базовая область первого типа проводимости. В приповерхностной области пластины дополнительно сформирована вторая инжекторная область второго типа проводимости, расположенная с противоположной сюроны от первой контактной базовой области ча расстояни,. большем, чем оассюяние между первой контактной базо&ой областью и первой инжекторной областью, Введение дополг-:.- тельной инжекторной области погоняет управлять коллекторным токлм в зависимо сти от направления магнитного поля, что позволяет детектировать г..рнь слабые магнитные поля. 1 ил. С