Изобретение относится к гидротехническому етроительству, в частности к гидравлическому складированию отходов промышленных предприятий, и может быть использовано при сооружении хвостохранилищ, гидрортвалов, золоотвалов ТЭС.
Цель изобретения - снижение трудоемкости и стоимости сооружения хвостохранилища за счет упрощения технологии создания противофильтрационного экрана.
На фиг,1 показана фаза отсыпки первичной дамбы обвалования и намыва первого яруса грунта; на фиг.2 - конечная фаза намыва первого яруса грунта, отсыпки дамб обвалования и разработки траншеи; на фиг.З фаза заполнения траншеи мелкими фракциями грунта; на фиг.4 - фаза намыва второго яруса и создания противофильтрационного экрана; на фиг.5 - конечная фаза возведения хвостохранилища и,создания противофильтрационного экрана.
Способ осуществляют следующим образом.
На основании 1 (фиг.1) отсыпают первичную дамбу 2 обвалования из приводного грунта 3. После этого осуществляют поярусный намыв крупных фракций грунта 4, например отходов обогащения горнообогатительных комбинатов, подавая их в виде пульпы 5 через выпуск 6, идущий от пульпопровода 7. После замыва яруса 8 и его консолидации приступают к устройству вторичных дамб 9 обвалования из ранее на мытого грунта 4. Для этого грунт разрабатывают землеройной техникой 10, например шагающим экскаватором, траншеями 11 (фиг.2). Траншеи располагают так, что их ось 12 параллельна оси 13 вторичной дамбы 9 обвалования, при этом глубина L траншей должна быть не менее высоты h яруса 8 намытого грунта 4. Вынутый экскаватором из траншеи грунт подают в дамбу 9 (стрелка показывает перемещение вынутого из траншеи грунта в дамбу обвалования). Если расстояние между осями 12 и 13 соответственно траншеи и вторичной дамбы обвалования превышает двойной вылет стрелы экскаватора, грунт можно складировать в промежуточные отвалы и перемещать в район дамб 9 с помощью дополнительной техники, например бульдозера (не показан). После разработки траншей 11 на всю высоту h яруса 8 грунт в дамбе 9 фо{)мируют и планируют бульдозером. Образовавшиеся траншеи 11 замыкают обладающими экранирующими свойствами мелкими фракц ями грунта 14, подаваемыми в виде пульпы 15, например, с помощью врезанного в верхней части пульпопровода 7 выпуска 16 (фиг.З).
Окружающая траншею 11 толща крупных фракций грунта 4 выполняют функцию дренажной подушки, оттягивая на себя воду. Это способствует скорейшей водоотдаче и консолидации замытых в траншею мелких фракций грунта. В случае возведения хвостохранилища их однородного грунта замыв траншей может осуществляться любым другим грунтом, обладающим экра0 нирующими свойствами.
Послеэтого намывают следующий ярус
8, в котором также разрабатывают траншею
11, вынутый из нее грунт укладывают в дамбу
обвалования (фиг.4) и замывают траншею
5 мелкими фракциями грунта 14. При этом необходимо, чтобы замытые траншеи каждого последующего яруса перекрывали траншеи каждого предыдущего яруса и при разработке траншей в каждом последующем ярусе должен вскрываться верх замытой, траншеи предь1дущего яруса. Только при таких условиях соблюдается сплошность формируемого противофильтрационного экрана 17 и обеспечивается его
5 надежная работа. Указанную последовательность отсыпки вторичных дамб обвалования, намыв ярусов грунта и замыва траншей мелкой фракцией грунта осуществляют поярусно до возведения хвостохра0 нилища на полную высоту Н (фиг.5). В результате формируется противофильтрационный экран 17с заданными свойствами, способствующий понижению депрессионной пoвepxнocfи 18, осушению низового откоса и увеличению устойчивости хвостохранилища.
Пример. Рассмотрим применение предлагаемого способа на примере возведения хвостохранилища горно-обога0 тительного комбината. Пульпа со средневзвешенным диаметром хвостовО,12 мм и консистенцией Т:Ж 1;7 подается на намыв ограждающих сооружений отсека по пульпопроводу диаметром 0,7 мм.
5 Разработка траншей и наращивание вторичных дамб по периметру замываемого отсека осуществляется шагающим экскаватором ЭШ-545 с последующим планированием бульдозером. Высота дамб 7 м,
0 ширина по верху 10 м, заложение откосов 1;1,5. Глубина траншей 8 м. В пульпе ГОКа содержатся до 30% хвостов менее 0,05 мм, т.е. обладающих экранирующими свойствами. Отбором пульпы из верхних точек сечения потока обеспечивают подачу в траншею хвостов с содержанием до 90% фракции менее 0,05 мм. В процессе возведения ограждающих дамб и замыва траншей сформирован вертикальный экран толщиной Вэк. до 10 м, расположенный на расстоянии 40-50 м от низового откоса дамбы. Коэффициент фильтрации экрана Кф 1 .
Формула изобретения Способ возведения хвостохранилища с лротивофильтрационным зкраном, включа-:ющий образование дамб обвалования из ранее намытого грунта и поярусный намыв грунта в пределах вторичных дамб обвалования, отличающийся тем. что, с целыо снижения трудоемкости и стоимости сооружения хвостохранилища за счет упрощения
технологии создания противофильтрационного экрана, образование дамб обвалования осуществляют путем разработки грунта траншеями глубиной не менее высоты яруса намыва, причем траншеи располагают параллельно продольной оси вторичных дамб обвалования, вынутый из траншей грунт укладывают в дамбы обвалования, а траншеи замывают мелкими фракциями грунта, обла0дающими экранирующими свойствами, при этом при замывании траншеи-каждого по-, следующего яруса перекрывают траншеи предыдущего яруса.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
Способ возведения хвостохранилища | 1983 |
|
SU1155663A1 |
Способ возведения гидроотвала | 1990 |
|
SU1778218A1 |
Способ возведения дамбы из местных материалов | 1990 |
|
SU1710658A1 |
Способ строительства трубчатого дренажа намывных сооружений | 1977 |
|
SU653329A1 |
Способ намыва экрана на бортах накопителя | 1990 |
|
SU1738900A1 |
Способ возведения хвостохранилища | 1990 |
|
SU1783045A1 |
Способ возведения плотин из местных материалов | 1980 |
|
SU866032A1 |
СПОСОБ ОБРАЗОВАНИЯ ТЕХНОГЕННОГО МЕСТОРОЖДЕНИЯ | 2012 |
|
RU2513816C1 |
Способ складирования отходов обогащения в хвостохранилище | 1990 |
|
SU1730346A1 |
НАМЫВНОЕ ГИДРОТЕХНИЧЕСКОЕ СООРУЖЕНИЕ | 1991 |
|
RU2039151C1 |
Изобретение Относится к области гидро- техничёскогостроитёльства. Цельизрбрете- ния - снижение трудоемкости и стоимости сооружения хвостохранилища за счет упрощения технологии создания протиаофильт- рационного экрана; На оснований 1 отсыпают первичную дамбу 2 обвалования и производят поярусный намыв крупных фракций грунта 4. Затем намытый грунт разрабатывают траншеями глубиной не менее высоты яруса 8 намыва. Вынутый из траншей грунт укладывают во вторичные дамбы 9 рбвалрванйя. а траншеи замывают обла-: дающим экранирующими свойствами мелг кими фракциями rj)yHta 14. При зтом^ замытые траншеи каж^^го пЬследукуцего' яруса перекрывают трен шеи предыдущего яруса. 5 Ил.^о ///лч-'.'Д.^^у•^ /^•'.'.•::-'^.Tt-v fv/•••.•.'••-Л'Л17 ifГУ^'У'ЛЛУ.-УУ-М/^ 7 • • ^^^^^^^^^^^^^\^.»^^*^*^^^«Т*^.*^.7'*• ' /..\.. . ,..»•,..«. .1/\/' ..'••••-V • .'.••» ••;».••// Ч*. Л ^ *. •••••.'V-•.*.•.•;•:;'^: Л./.•.• .•.v;.v\.v..v-*-::'l ^•;'/^:::-:.^.v.'/::V.^.v8^ -4~-,~T:-^zis^Оо ел41/^ ^v'ш^^ш^тщ'Е:Т:'.уу.'у:-.-;/.'.'.у>& •-•.•.•.•/ ^/у^ /VX /W/ //У' />&у /УУ: .7^иг SУ/^ /ХХ^ \fff ff'
/ // А// ///////// ////// /// /// иг.2 ///
,-,....i,-,p,
/// //л /// /// /// у// /// /// ff/ /// V//
- b,.j - « /-: . , i , / . v-V. . л . . . / . //;. %; ./ /// 777 /7/ r// ////// f/f f/f ui.fy
777 7T / / rwTT 7C .- .Л i ... ./. :-/ ;/.; ... . « . . « .. vN .... . .-.:. . . л /// / /f/ ff/ / fft fff ///I ///
Способ возведения намывных сооружений | 1982 |
|
SU1118737A1 |
кл | |||
Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов | 1917 |
|
SU2A1 |
кл | |||
Аппарат для очищения воды при помощи химических реактивов | 1917 |
|
SU2A1 |
Авторы
Даты
1992-02-07—Публикация
1990-05-21—Подача