Способ выращивания риса Советский патент 1992 года по МПК A01G25/00 A01B79/00 A01G16/00 

Описание патента на изобретение SU1711723A2

Изобретение относится к сельскому хо зяйству, может быть использовано при возделывании риса, в поливной, культуре и является усовершенствованием способа выращивания риса по основному авт. св. № 751349.V

Известный способ выращивания риса заключается в том, что поверхность почвы затопляют водой, в почву и воду устанавливают электроды и, начиная с фазы кущения; подают на них разность электрических по- тенциалов: плюс - на воду, минус - на почву, с таким расчетом, чтобы разность потенциалов между почвой и водой в любой точке рисового поля не превышала 2-6 В.

Недостатком известного способа является его низкая эффективность, связанная

со сложностью создания равномерного электрического поля в узконормируемом диапазоне разности потенциалов, что вызывает необходимость укладки в почвенный слой густой сети электродов.

Цель изобретения - повышение эффективности за счет снижения затрат электроэнергии и трудозатрат.

Поставленная цель достигается тем, что в известном способе выращивания риса предварительно перед установкой электродов проводят рыхление почвенного слоя на глубину их закладки и на поверхность поля наносят диспергированный токопроводящий материал, после чего под слоем воды проводят фрезерование почвы до образования гидросмеси с последующим отстаиваV|

ю

кием и сбросом осветленной воды, а в образованный токопроводящий слой устанавливают электроды.

Отличительными признаками от основного изобретения являются следующие. Предварительно перед установкой электродов проводят рыхление почвенного слоя на глубину их закладки. Предварительно перед установкой электродов наяоверхность поля наносят диспергированный токопроводящий материал, после чего под слоем воды проводят фрезерование почвы. Проводят фрезерование почвы до образования гидросмеси с последующим отстаиванием и сбросом осветленной воды. В образованный токопроводящий слой устанавливают электроды.

Наличие отличительных признаков в предлагаемом техническом решении позволяет получить следующий положительный эффект: упрощается создание равномерного электрического поля в диапазоне 4-6 В, уменьшается более чем в два раза количество электродов, устанавливаемых в почвенном слое, так как электрическое сопротивление токопроводящего слоя значительно меньше сопротивления почвы, при этом напряжение источника питания не превышает 6 В.

Отличительные признаки предлагаемого объекта не обладают функциональной са- мостоятельностью, так как функцией является образовать токопроводящий слой под пахотным горизонтом с подводом к нему электрического питания посредством ус- тановленных в этом слое электродов. Указанная функция выполняется только при наличии всей совокупности отличительных признаков и только в этом случае достигается поставленная цель.

На чертежах изображены поперечные профили чека рисовой оросительной системы на различных стадиях осуществления способа. На фиг.1 изображено нанесение токопроводящего материала на поверхность разрыхленного слоя почвы; на фиг.2 - проведение фрезерования почвенного слоя под слоем воды и образование токопроводящего слоя; на фиг.З - закладка электродов и заполнение чека водой после посадки риса.

На чертежах обозначены слои почвы 1 и воды 2. электроды 3, устанавливаемые в слой почвы 1, объединенные изолированным выводом 4, подсоединенным к источнику 5 питания, электроды 6, устанавливаемые в слой воды 2, объединенные изолированным выводом 4, также подсоединенные к источнику 5 питания, разрыхленный слой 7 почвы 1 с нанесенным на него диспергированным токопроводящим материалом 8, гидросмесь 9, образующаяся после фрезерования разрыхленного слоя 7 почвы 1 под слоем воды, токопроводящий слой 10, образующийся в процессе фрезерования и отстаивания гидросмеси 9, защитная стенка 11, устанавливаемая до фрезерования почвенного слоя для предотвращения попадания гидросмеси 9 в канал. Пунктиром

показана глубина рыхления почвы 1, соответствующая глубине фрезерования и глубине установки электродов 3.

Способ осуществляют следующим образом.

При строительстве или реконструкции рисовой оросительной системы проводят выравнивание поверхности, например, с помощью скрепера и рыхление почвы 1 на глубину предполагаемой закладки электродов (показано пунктиром). На поверхность разрыхленного почвенного слоя 7 наносят диспергированный токопроводящий материал 8, например отходы абразивной обработки металлических изделий, в объеме,

например, 0,15% к объему почвенного слоя 7 (фиг.1). Доза внесения токопроводящего материала при этом составляет 4,5м /га. На поверхность подают воду из канала оросителя, обеспечивая полное водонасыщение

разрыхленного почвенного слоя 7, устанавливают защитную стенку 11, предотвращающую попадание гидросмеси в канал, и проводят его фрезерование, например, с помощью фрезы ФБЙ-2,8 под слоем воды по

известной технологии. Фрезерование почвенного слоя 7 проводят до образования гидросмеси 9 (фиг.2). При этом за счет того, что плотность токопроводящего материала, например алюминия 2,7 г/см3, стали 7,8

г/ем3, а плотность гидросмеси 1,20-1,30 г/см и размера частиц токопроводящего материала не меньше размельченных частиц почвы гидросмеси 9 при фрезеровании слоя почвы 7, они имеют большую гидравлическую крупность, скорость оседания и, следовательно, концентрируются в нижней части слоя гидросмеси 9, образуя токопроводящий экран 10 {фиг.З} мощность 3-5 ем. Концентрация токопроводяшего материала

в экране 10 составляет 1,0-1,5%. Исследования показали, что при такой концентрации токопроводящего материала (алюминиевые опилки) электрическое сопротивление по сравнению с чистой почвой при

естественной влажности снижается на 40- 60%, Дальнейшее увеличение концентрации (в опытах до 80%) не дает существенного снижения электрического сопротивления. После образования токопроводящего экрана 10 гидросмесь 9 отстаивается избыточная вода по мере ее освет- ления сбрасывается в канал-ороситель. До залива почвы 1 слоем воды 2 производят закладку электродов 3 токопроводящий слой 10, например, с помощью электрозаде- лыеающего агрегата, обеспечивающего размотку проволоки с катушки и подачу через отверстие в лапе-рыхлителе на заданную глубину (фиг.З). 8 токопроводящем слое их располагают на расстоянии 12-16 м друг от друга, поскольку при внесении, например, 0,15% к объему почвы 1 металлических опилок удельное электрическое сопротивление образующегося токопроводящего слоя 10 по сравнению с сопротивлением почвы уменьшается примерно в два раза, напряжение источника 5 питания поддерживают на уровне не более 6 В. После закладки электродов 3 их объединяют общим изолированным выводом 4 и выводят к ис- точиику 5 питания. Электроды 6, размещае- мые на поверхности почвы 1, устанавливают одновременно с посадкой семян. Для этого на сеялке закрепляют катушку с электропроводом. При движении сеялки провод разматывается с катушки и укладывается на поверхность рисового поля. Укладка электродов 6 производится в промежутках между электродами 3, уложенными в токопроводящем блоке 10. От повер- хностных электродов 6 также делают вывод 4 к источнику 5 питания. Ток на электроды: плюс - на воду, минус - на почву, подают, начиная с фазы кущения растений. До куще

ния режим орошения обычный, после нача- ла электростимулирования уровень поливной воды можно без ущерба для урожая снизить вдвое.

Экономический эффект предлагаемого технического решения достигается за счет сокращения расхода электроэнергии, так как образуемый токопроводящий слой позволяет поддерживать напряжение не выше б В. При этом обеспечивается создание более равномерного электрического поля. Кроме того, вдвое уменьшается длина электродов. Образование токопроводящего экрана наиболее эффективно при необходимости одновременного проведения планировки, например, с использованием способа планировки поверхности поля мелиоративной системы.

Формула изобретения Способ выращивания риса по авт. св. № 751349, о т л и ч а ю щи и с я тем, что. с целью повышения эффективности за счет снижения затрат электроэнергии и трудозатрат, предварительно перед установкой электродов проводят рыхление почвенного слоя на глубину их закладки и на поверхность поля наносят диспергированный токопроводящий материал, после чего под слоем воды проводят фрезерование почвы до образования гидросмеси с последующим отстаиванием и сбросом осветленной воды, а в образованный токопроводящий слой устанавливают электроды.

Похожие патенты SU1711723A2

название год авторы номер документа
Способ планировки поверхности поля мелиоративной системы 1988
  • Хохлюк Александр Павлович
  • Гузев Николай Александрович
  • Кузьменко Леонтий Никифорович
  • Тур Алексей Серафимович
SU1544219A1
Способ планировки поверхности поля мелиоративной системы 1989
  • Головин Виктор Леонтьевич
  • Гузев Николай Александрович
  • Хохлюк Александр Павлович
  • Кузьменко Леонтий Никифорович
SU1639451A2
СПОСОБ РЕМОНТНОЙ ПЛАНИРОВКИ ПОВЕРХНОСТИ ПОЛЯ МЕЛИОРАТИВНОЙ СИСТЕМЫ 2006
  • Головин Виктор Леонтьевич
  • Некрас Юрий Васильевич
  • Хохлюк Александр Павлович
RU2329632C2
Способ грядового возделывания риса на землях сельскохозяйственного назначения, не относящихся к рисовым оросительным системам, на капельном орошении под мульчирующей пленкой 2021
  • Приходько Игорь Александрович
  • Владимиров Станислав Алексеевич
  • Бандурин Михаил Александрович
  • Александров Даниил Александрович
RU2780841C1
Способ грядового возделывания риса на землях сельскохозяйственного назначения, не относящихся к рисовым оросительным системам на подземном капельном орошении под мульчирующей пленкой 2021
  • Приходько Игорь Александрович
  • Владимиров Станислав Алексеевич
  • Бандурин Михаил Александрович
  • Александров Даниил Александрович
RU2777465C1
Способ возделывания риса на грядах при поверхностном капельном поливе под мульчирующей пленкой 2021
  • Приходько Игорь Александрович
RU2775557C1
Способ возделывания риса на грядках при поверхностном капельном поливе под мульчирующей пленкой на рисовых оросительных системах 2021
  • Приходько Игорь Александрович
  • Владимиров Станислав Алексеевич
  • Бандурин Михаил Александрович
  • Александров Даниил Александрович
RU2775405C1
Способ возделывания риса на грядах при подземном капельном поливе под мульчирующей пленкой на рисовых оросительных системах 2021
  • Приходько Игорь Александрович
  • Владимиров Станислав Алексеевич
  • Бандурин Михаил Александрович
  • Александров Даниил Александрович
RU2775577C1
Способ возделывания риса на землях сельскохозяйственного назначения, не относящихся к рисовым оросительным системам, на подземном капельном орошении под мульчирующей пленкой 2021
  • Приходько Игорь Александрович
  • Владимиров Станислав Алексеевич
  • Александров Даниил Александрович
RU2774903C1
Способ возделывания риса на землях сельскохозяйственного назначения, не относящихся к рисовым оросительным системам, на капельном орошении под мульчирующей пленкой 2021
  • Приходько Игорь Александрович
  • Владимиров Станислав Алексеевич
  • Александров Даниил Александрович
RU2776320C1

Иллюстрации к изобретению SU 1 711 723 A2

Реферат патента 1992 года Способ выращивания риса

Изобретение относится к сельскому хозяйству и может быть использовано при возделывании риса в поливной культуре. Цель изобретения - повышение эффективности за счет снижения затрат электроэнергии и трудозатрат. При строительстве или реконструкции рисовой оросительной системы проводят рыхление поверхности почвы на глубину закладки электродов, наносят на разрыхленный слой токопроводящий материал (в объеме 0,15% к объему почвенного слоя), подают воду до полного насыщения разрыхленного почвенного слоя и под слоем воды проводят фрезерование почвенного слоя до образования гидросмеси. После образования то коп ро водящего слоя гидросмесь отстаивают, осветленную воду сбрасывают, а в токопроводящем слое размещают электроды. Напряжение электрического поля составляет 4-6 В, количество электродов уменьшается по сравнению с известным способом (без создания токопро- водяшего слоя) в два раза, что обуславливает и сокращение трудозатрат на эту же величину. 3 ил.

Формула изобретения SU 1 711 723 A2

// /// /// /// /// /// /// /// /// , /// /// //,

Фиг. I

ФИГ. 2

Ф0Г. 3

Документы, цитированные в отчете о поиске Патент 1992 года SU1711723A2

Способ выращивания риса 1978
  • Пивоваров Лев Павлович
  • Корниенко Виктор Артемьевич
  • Боровский Владимир Михайлович
SU751349A1
Печь для непрерывного получения сернистого натрия 1921
  • Настюков А.М.
  • Настюков К.И.
SU1A1

SU 1 711 723 A2

Авторы

Головин Виктор Леонтьевич

Гузев Николай Александрович

Кузьменко Леонтий Никифорович

Хохлюк Александр Павлович

Даты

1992-02-15Публикация

1989-06-19Подача