СПОСОБ ОПРЕДЕЛЕНИЯ КОНЦЕНТРАЦИИ НОСИТЕЛЕЙ ТОКА В ПРИПОВЕРХНОСТНОМ СЛОЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХМАТЕРИАЛОВ Советский патент 1965 года по МПК G01N27/00 

Известны способы для определения концентрации носителей тока в тонких припо-верхностных слоях, осуществляемые зондовым методом и методом измерения пробивного напряжения контакта металл-полупроводник.

Предложенный способ определения концентрации носителей тока в приповерхностном слое полупроводниковых материалов отличается от известных тем, что для обеспечения возможности контроля концентрации носителей тока тонких слоев независимо от абсолютной толщины пленки, повышения точности и упрощения измерений образец помещают в электролит, через границу раздела электролит-полупроводник пропускают постоянный ток и определяют величину тока, при аштором величина фото-э.д.с., возбуждаемой при импульсном освещении границы раздела полупроводник- электролит, равна нулю.

Для предварительной обработки поверхности эпитаксиальных пленок германия и кремния -предложены травители и составы электролитов: для германия 15-18% HF и для кремния 5-180/0 HF.

Эпитаксиальные пленки предварительно обрабатывают: кремний в травителе, содержащем 1 г HF (42%)+4 г HNOs (65о/о), и германий в травителе, содержащем 15 г HaCHsCOOH-f 10 г UNO-, (65а/о)-+-5 г HF (42%).

Лаком ХСЛ наклеивают кольцо из фторопласта, в которое заливают каплю электролита и опускают в нее два платиновых электрода. Один из электродов служит для пропускания ностоянного тока, а другой - фиксирует фотопотенциал. Контакт с низкоомной подложкой осуществляется через электролит.

Граница раздела пленка-электролит освещается импульсами света от лампы-вопыщки

с применением фильтра, создающего поверхностное возбуждение. Измерение производят, подавляя фото-э.д.с. постояниым током, пропускаемым через границу раздела полупроводник - электролит. Наблюдение фотоиотенцна.ла и момент его исчезновения производят по переднему фронту импульса, возннкающего на экране осциллографа. Это исключает влияние ошибок вслелЧствие дембер-эффекта или эффекта на границе раздела электролит -

подложка.

Предмет изобретения

Способ определения концентрацни носителей тока в нриповерхностном слое полупроводниковых материалов с использованием светового импульсного возбуладения, отличающийся тем, что, с целью обеспечения возможности контроля концентрации носителей тока тонких слоев (порядка микропа) незави3шеиия точности и упрощения измерений, испытуемый образец помещают в электролит, через границу раздела полуцроводник-электролит пропускают постоянный ток и опреде4ляют величищу тока, при котором величина фото-э.д.с., возбуждаемой нри импульсном освещении границы раздела полупроводник- электролит, равна нулю.