Устройство с отрицательной проводимостью Советский патент 1992 года по МПК H03K3/281 

ё

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в генераторах импульсов, в частности в кабельных автогенераторах. Целью изобретения является повышение широкополосности без увеличения динамического сопротивления. Устройство с отрицательной проводимостью содержит два транзистора разного типа проводимости, резистор отрицательной обратной связи, эмиттер первого транзистора соединен с выходной шиной устройства, через соединенные последовательно резистор и цепочку диодов с базой первого транзистора, эмиттер второго транзистора соединен с второй шиной устройства. 1 ил.

Изобретение относится к импульсной технике и может быть использовано в генераторах импульсов, в частности, в кабельных автогенераторах.

Цель изобретения - повышение широкополосности без увеличения динамического сопротивления.

На чертеже представлена принципиальная схема предлагаемого устройства с отрицательной проводимостью, двухполюсника с ВАХ S-вида.

Устройство содержит транзистор 1 второго типа проводимости, транзистор 2 первого типа проводимости, резистор 3 отрицательной обратной связи, эмиттер первого транзистора соединен с выходной шиной 4 устройства, через соединенные последовательно резистор 5 и цепочку диодов 6 с базой первого транзистора, эмиттер второго транзистора 2 соединен с второй шиной 7 устройства.

Устройство работает следующим образом.

При питании его от источника тока, втекающего в вывод 4 и величине которой падение напряжения на резистор 5 недостаточно для отпирания транзистора 1, формируется растущий участок ВАХ. Транзистор 2 открыт током через резистор 3. При открывании транзистора 1 через элементы 5 и 6 базовый ток транзистора 2 увеличивается и падение напряжения на этом транзисторе уменьшается.

Формируется падающий участок ВАХ. Параметры точки перегиба ВАХ устанавливаются в зависимости от величины резистора 5 и количества диодов в цепочке 6. Наклон падающего участка ВАХ определяется типом диодов и транзисторов.

VI

CJ

- ю

GJ

Формула изобретения

Устройство с отрицательной проводимостью, содержащее два транзистора разного типа проводимости, эмиттеры которых соединены соответственно с первой и второй выходными шинами устройства, коллекторы соединены через первый резистор, эмиттер первого транзистора второго типа проводимости через второй резистор сое0

динен с коллектором второго транзистора первого типа проводимости, коллектор первого соединен с базой второго, отличающееся тем, что, с целью повышения широкополосное™ без увеличения динамического сопротивления, в него введена цепочка соединенных последовательно диодов, включенных в прямой проводимости между базой первого и коллектором второго транзисторов.