При известных способах определения температурного коэффициента стабилизации напряжения полупроводниковых стабилитронов измеряют тепловую составляющую приращения напряжения на стабилитроне по изменению напряжения на нем в зависимости от повышения или понижения температуры окружающей среды. При подобных способах требуется термостатировать стабилитрон, что усложняет процесс измерения. По предлагаемому способу, с целью упрощения процесса измерения, через стабилитрон пропускают импульс тока и измеряют приращение напряжения от значения, соответствующего напряжению после прохождения импульса тока, до установивщейся величины. Значение температурного коэффициента напряжения Y определяют по формуле Д / . где: At/ - измеренное приращение напряжения;А/ - амплитуда импульса тока; VCT -напряжение стабилизации стабилитрона;R-J - тепловое сопротивление стабилитрона. Предлагаемым способом можно также определять температурный коэффициент падения напряжения на р-/г-переходах полупроводпиковых приборов. Предмет изобретения 1.Способ определения температурного коэффициента стабилизации напряжения полупроводниковых стабилитронов, основанный на измерении тепловой составляющей приращения напряжения на стабилитроне, отличающийся тем, что, с целью упрощения процесса измерения, через стабилитрон пропускают импульс тока и определяют изменение напряжения па стабилитроне от исходного зиачения, соответствующего напряжению после скачкообразного изменения тока, до значения, соответствующего установивщемуся режиму. 2.Применение способа по п. 1 для определения температурного коэффициента падения напряжения на р-п-переходах полупроводниковых приборов.
