СПОСОБ ПОДСТРОЙКИ ЦЕНТРАЛЬНОЙ ЧАСТОТЫ РЕЗОНАТОРОВ НА ПОВЕРХНОСТНЫХ АКУСТИЧЕСКИХ ВОЛНАХ Советский патент 1997 года по МПК H03H3/08 

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах.

Известен способ подстройки центральной частоты путем отжига собранного прибора при температуре, превышающей 250^oC.

Недостатком такого способа является малое изменение центральной частоты, невозможность повышения температуры обработки для приборов, кристалл в которых приклеивается в корпус, необходимость проведения пробного процесса.

Наиболее близким к предлагаемому изобретению является способ финишной подстройки центральной частоты путем плазмохимического травления резонаторов при использовании в качестве рабочего газа фтор- или хлорсодержащих соединений.

Недостатком известного способа является ограниченный процент выхода годных резонаторов из-за малого диапазона возможностей подстройки центральной частоты. Действительно, сам процесс подстройки частоты заключается в селективном травлении (например, кварца во фторсодержащей плазме) материала кристалла резонатора и приводит к образованию рельефа на встречно-штыревом преобразователе и частичному травлению металла электрода, что дает искажения АЧХ возрастание уровня высокочастотного бокового лепестка и увеличение вносимых потерь. Поэтому на практике такой способ в диапазоне центральных частот 500 900 МГц можно использовать для подстройки частоты на величину порядка 250 300 кГц. Большая величина подстройки приводит к быстрому ухудшению остальных электрических параметров.

Цель изобретения повышение процента выхода годных резонаторов.

Цель достигается тем, что в способе подстройки центральной частоты резонаторов на поверхностных акустических волнах, включающем плазмохимическое травление кристалла резонатора при использовании в качестве рабочего газа соединений фтора, перед плазмохимическим травлением обрабатывают рабочую поверхность кристалла резонатора пучком ионов аргона при энергии 4 5 кэВ в течение 2 15 мин, а плазмохимическое травление проводят в течение 1 8 мин.

Пример. Были изготовлены резонаторы на поверхностных акустических волнах на пьезокварцевых подложках ST-среза на центральную частоту около 750 МГц. На пластине методом обратной фотолитографии при использовании ионно-химического травления во фреоне изготавливались встречно-штыревые преобразователи и отражательные решетки в виде канавок. Пластины разрезались на отдельные кристаллы, отмывались в органических растворителях и деионизированной воде и приклеивались эпоксидным клеем в металлокерамический золоченый держатель типа "Премис". С помощью алюминиевой проволоки контактные площадки на кристалле соединялись с контактными площадками держателя. На кристаллах, разваренных в держатель, измеряли центральную частоту и величину вносимых потерь. После этого держатели с кристаллом закрепляли на планетарном механизме вакуумной установки (той же самой, на которой изготавливались пластины резонаторов) и обрабатывались пучком ионов аргона (источник "Радикал") в различных режимах, после чего снова измерялись центральная частота и вносимые потери, а затем образцы подвергались процессу плазмохимического травления во фреоне на установке "Плазма-600Т". После этого измеряли электрические параметры, образцы герметизировали конденсаторной сваркой и хранили в течение от нескольких месяцев до двух лет.

Величина уменьшения частоты при различных режимах обработки приведена в таблице. Из анализа данных, приведенных в таблице, видно, что положительный эффект достигается во всем диапазоне изменения параметров, определяемом формулой изобретения, и не достигается при выходе хотя бы одного из них за пределы формулы изображения.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к технологии изготовления резонаторов на поверхностных акустических волнах. Целью изобретения является повышение процента выхода годных резонаторов. Обработку рабочей поверхности кристалла резонаторов пучком ионов аргона ведут при энергии 4 - 5 кэВ в течение 2 - 15 мин, а плазмохимическое травление проводят в течение 1 - 8 мин. 1 табл.

Способ подстройки центральной частоты резонаторов на поверхностных акустических волнах, включающий плазмохимическое травление рабочей поверхности кристалла резонатора при использовании в качестве рабочего газа соединений фтора, отличающийся тем, что, с целью повышения процента выхода годных резонаторов, перед плазмохимическим травлением обрабатывают рабочую поверхность кристалла резонатора пучком ионов аргона при энергии 4 5 кэВ в течение 2 15 мин, а плазмохимическое травление проводят в течение 1 8 мин.