Изобретение относится к полупроводниковой электронике, в частности к конструкции мощных СВЧ-полупроводниковых приборов.
Цель изобретения - увеличение выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и КПД транзисторной структуры за счет повышения равномерности тепловыделения.
Изобретение поясняется чертежом.
На чертеже представлена ВЧ (СВЧ) транзисторная структура, которая включает в себя полупроводниковую подложку 1, являющуюся телом коллектора. На подложке сформированы базовые и эмиттерные области (соответственно 2 и 3). Базовые области котактируют с базовой металлизацией 4. Контакты эмиттерных областей, выполненных в виде полосок длиной l и шириной h, с эмиттерной металлизацией 5 расположены на противоположных по длине краях полосок. Последовательно с контактами к эмиттерным областям подключены балластные резисторы 6. Базовые области 2 и сгруппированные в их пределах эмиттерные области 3 образуют транзисторные ячейки 7.
Поверхностное сопротивление Rs эмиттерных полосок удовлетворяет условию
≅ Rs ≅ , (1) где h - усредненная ширина полосок;
l - длина полоски, находящаяся между контактами полоски с металлизацией или удвоенная длина между контактом и разрывом посередине полоски при наличии последнего, k=1 Ом/□.
В случае, если эмиттерные полоски соединены одна с другой перемычками и образуют сетку,
h = где lihi - соответственно длина и ширина i-го участка (из общего числа N), элементарного фрагмента эмиттерной технологии длиной l.
Расположение контактов к эмиттерным полоскам 3 на их противоположных по длине краях позволяет перераспределить эмиттерный ток и выделяющуюся тепловую мощность в транзисторной ячейке 7 за счет оптимального выбора распределенного сопротивления эмиттерных полосок путем изменения их поверхностного сопротивления Rs, в пределах неравенства (1). Выполнение условия (1) приводит к тому, что Rs с одной стороны, достаточно мало, чтобы обеспечить растение эмиттерного тока от краев полоски 3 к ее середине, а с другой стороны, достаточно велико, чтобы уменьшить плотность тока в середине полоски по сравнению с краями и тем самым максимально приблизить температуру разогрева центра транзисторной ячейки к температуре разогрева ее периферии. Повышение однородности разогрева каждой транзисторной ячейки 7 приводит к повышению энергетических параметров транзисторной структуры в целом.
П р и м е р. Транзисторная структура содержит 20 ячеек с размерами базовых областей 400х46 мкм2, внутри каждой из которых сформирован ряд эмиттерных полосок с размерами 30х3 мкм2. Балластные резисторы клиновидной формы, имеющие длину в центре 10 мкм и на краях 6 мкм, расположены в разрывах эмиттерной металлизации с двух противоположных сторон каждой ячейки. Поверхностное сопротивление эмиттерных областей Rs=3± 0,2 Ом/□ (за счет формирования на поверхности эмиттеров слоя PtSi). В схеме с общим эмиттером на частоте 600 МГц при напряжении питания Ек=40 В такая транзисторная структура имеет выходную мощность Рвых=66 Вт, коэффициент усиления по мощности Кур=6,5 и КПД=56%.
Для сравнения, аналогичная транзисторная стpуктура, отличающаяся тем, что эмиттерная и базовая металлизации каждой ячейки представляют собой две вложенные друг в друга гребенки с основаниями из противоположных сторон ячейки, а балластные резисторы, расположенные со стороны эмиттерной металлизации, имеют вдвое больший номинал, при тех же условиях измерения имеем Рвых=60 Вт, Кур=5,8 и КПД=49%.
Использование изобретения позволяет на 5-10% повысить выходную мощность, коэффициент усиления по мощности и КПД мощных СВЧ-транзисторов.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
МОЩНЫЙ ВЧ И СВЧ ТРАНЗИСТОР | 2009 |
|
RU2403650C1 |
Мощная ВЧ- и СВЧ-транзисторная структура | 2020 |
|
RU2743674C1 |
МОЩНАЯ ВЫСОКОЧАСТОТНАЯ ТРАНЗИСТОРНАЯ СТРУКТУРА | 2009 |
|
RU2403651C1 |
МОЩНЫЙ ВЧ- И СВЧ-ТРАНЗИСТОР | 1990 |
|
SU1679922A1 |
Мощная ВЧ- и СВЧ-транзисторная структура | 2020 |
|
RU2743673C1 |
Мощная ВЧ- и СВЧ-транзисторная структура | 2022 |
|
RU2789511C1 |
МОЩНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ ВЧ- И СВЧ-ТРАНЗИСТОР | 2003 |
|
RU2229183C1 |
Мощная ВЧ- и СВЧ-транзисторная структура | 2022 |
|
RU2791863C1 |
Мощная ВЧ (СВЧ) транзисторная структура | 1977 |
|
SU656432A1 |
Мощная ВЧ- и СВЧ-транзисторная структура | 2020 |
|
RU2743675C1 |
Использование: конструкции мощных ВЧ- и СВЧ- полупроводниковых приборов, обеспечивающих равномерность распределенного тепла. Сущность изобретения: контакты эмиттерных полосок с металлизацией сформированы на противоположных краях полосок, а поверхностное сопротивление RS эмиттерных полосок удовлетворяет определенному условию. 1 ил.
МОЩНАЯ ВЧ И СВЧ ТРАНЗИСТОРНАЯ СТРУКТУРА, содержащая полупроводниковую подложку с коллекторными и базовыми областями, в пределах каждой из базовых областей размещены расположенные в ряд эмиттерные области, сформированные в виде непрерывных или имеющих посередине разрывы полосок, включающие области контактов с металлизацией, отличающаяся тем, что, с целью увеличения выходной мощности, коэффициента усиления по мощности и КПД за счет повышения равномерности тепловыделения, области контактов с металлизацией каждой эмиттерной полости расположены на противоположных по длине полоски краях, а поверхностное сопротивление Rs полосок удовлетворяет условию
≅ Rs ≅ , ,
где h - усредненная ширина полосок;
l - длина полоски, находящаяся между контактами
с металлизацией данной полоски или удвоенная длина между контактом и разрывом при наличии последнего, k = 1 Ом/□.
Мощная ВЧ (СВЧ) транзисторная структура | 1977 |
|
SU656432A1 |
Печь для непрерывного получения сернистого натрия | 1921 |
|
SU1A1 |
Авторы
Даты
1994-11-15—Публикация
1990-05-30—Подача