ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ СТАБИЛИТРОН Советский патент 1965 года по МПК H01L29/88 

Известны полупроводниковые стабилитроны, выполненные в виде п-р-л-структур с температурной компенсацией, конструкция которых ограничивает их мощность.

Предложенный полупроводниковый стабилитрон отличается от известных телг, что в коллекторном переходе триодной структуры типа п-р-п создан стабилитронный участок одного с базой типа проводимости, площадь которого и напряжение пробоя меньше нлощади и напряжения пробоя всего коллекторного перехода. Этот участок расположен на меньшей глубине от поверхности структуры со сто РОНЫ коллектора, чем весь коллекторный переход.

В результате этого значительно повышается мощность полупроводниковых стабилитронов.

Па чертеже схематически изображен предложенный стабилитрон.

Он представляет собой мощный полупроводниковый триод типа п-р-п с эмиттерным переходом / и диффузионным коллекторным переходом 2. В коллекторном переходе имеется участок 3 одного с базой типа проводимости

малой площади со значительно Меньщей глубиной перехода и меньшим напряжением пробоя, чем весь переход 2.

Стабилитронный участок 5 коллекторного перехода может быть рассчитан на малые токи и выполнен с малой площадью, в то время как общий ток через стабилитрон будет достаточно больщим. Допускаемая мощность стабилитрона в этом случае определяется мощностью рассеивания триода.

Предмет изобретения

Полупроводниковый стабилитрон, выполненный в виде триодной структуры типа п- -р-п, отличающийся тем, что, с целью повышения мощности прибора, в коллекторном переходе структуры создан стабилитронный участок одного с базой типа проводимости, площадь которого и напряжение пробоя меньше площади и напряжения пробоя всего коллекторного перехода и который расположен на меньшей глубине от поверхности структуры со стороны коллектора, чем весь коллекторный переход.

r