Способ определения полей анизитропии эпитаксиальной ферритовой пленки Советский патент 1992 года по МПК G01R33/05 

N3 v| v|

Изобретение относится к твердотельной СВЧ-электронике, и может быть использовано для измерения полей (констант) анизотропии эпитаксиальных ферритовых пленок. Исследуемую пленку 1 размещают на входном 2 и выходном 3 преобразователях и помещают между полюсами электромагнита 4 с возможностью вращения пленки относительно преобразователей. При этом изменяется угол р между кристаллографическим направлением и проекцией поля в плоскости пленки. Сигнал от генератора 5 через аттенюатор 6 поступает на входной преобразователь 2, где преобразуется в магнитостатическую волну, которая распространяется в пленке 1 до выходного преобразователя 3. С помощью аттенюатора 6 увеличивают мощность входного сигнала до тех пор, поха в спектре сигнала, снимаемого с выходного преобразователи, появится и достигнет максимума по амплитуде шумоподобный сигнал с нижней границей на частоте ftu 2fH. По зависимости частоты нижней границы шумоподобного сигнала в качестве выходной характеристики от угла поворота пленки судят об искомых величинах. 3 ил. СЛ С

Изобретение относится к твердотельной СВЧ-злектронике и может быть использовано для измерения полей (констант) анизотропии эпитаксиальных ферритооых пленок,

Целью настоящего изобретения является повышение чувствительности определения полей анизотропии.

На фиг. 1 представлена схема устройства для осуществлении способа; на фиг. 2 схематично приведен спектр входного сигнала при различных поворотах; на фиг, 3 показан спектр магнитостатических волн (МСВ) для случая касательно намагниченной пленки, поясняющий положение минимальной частоты t n спектра МСВ о ферритовой пленке и процесс появления шумоподобногосигнала с нижней границей на частоте тш.

Способ заключается п следующем.

Исследуемую пленку 1 (фиг. 1) размещают на входном 2 и выходном 3 преобразователях и помещают между полюсами электромагнита 4 так, что имеется возможность вращения пленки относительно преобразователей. При этом изменяется угол р между кристаллографическим направлением (1, т,к)и проекцией поля ьГв плоскости пленки. Сигнал с частотой f от генератора 5 через аттенюатор 6 поступает на входной преобразователь 2, где преобразуется в МСВ, которая распространяется в пленке 1 до выходного преобразователя 3. Сигнал с преобразователя 3 поступает на анализатор спектра 7. С помощью аттенюатора б увеличивают мощность входного сигнала до тех пор, пока ее величин; не вызовет трехмаг- нонный распад МСВ, Интенсивность этого распада с голь высока, что взаимодействие продуктов распада МСВ между собой приводит к образованию кинетической неустойчивости, которая проявляется в спектре прошедшего сигнала в виде шумоподобного пика с нижней границей на частоте:

ftu - 2fn.

где fH - минимальная частота спектра МСВ в пленке 1 (см. фиг. 2).

Вращением пленки 1 мы изменяем угол f/(cM. фиг. 1) и тем самым меняем величину поля анизотропии НА в пленке, которое определяет вместе с полем Н спектр МСВ- пленки, а значит, и частоту fH (см. фиг. 3). Эта частота практически не зависят от вопново- го числа МСВ. а определяется лишь собственными параметрами пленки и внешним

полем. Поскольку частота flu образуется в результате слияния двух МСВ с законом сохранения энергии:

5fш f н + TH

и импульса:

Кш Кн. + Кн

- где К - волновой вектор соответствующей

МСВ, тш и Кш удовлетворяют спектру МСВ, возбуждаемой непосредственно преобразователем, то совершенно очевидно, что величина изменения частоты тш при вращении пленки:

5гш тштах() -fu,

min

Р2}

0

5

0

0

5

0

5

вдвое больше величины

6 fH fl(maX((Pl) -fHmln().

Отметим также, что а данном случае нет необходимости измерять волновое число МСВ, поскольку частота fH является предельной граничной частотой спектра МСВ,

Кроме того, поскольку частота входного сигнала f фиксирована в процессе измерения, а значения ш не совпадают с f, то прямая электромагнитная наводка с входного преобразователя 2 на выходной преоб- раэователь 3, имеющая частоту f, не оказывает влияния на результат измерения.

Формула изобретения Способ определения полей анизотропии зпитаксиальной ферритовой пленки, включающий намагничивание пленки, воздействие частоты, превышающей удвоенное произведение гиромагнитного отношения и напряженности магнитного поля, сращение пленки вокруг оси, совпадающей с нормалью к ней, и определение из зависимости выходной характеристики от угла поворота пленки искомых параметров, отличающийся тем, что, с целью повышения чувствительности определения полей анизотропии, мощность входного сигнала увеличивают до появления и достижения

в спектре максимума по амплитуде шумоподобного сигнала с нижней границей, соот- ветствуюгцей удвоенной минимальной частоте спектра магнитостатических волн в ферритовой пленке, по зависимости частоты нижней границы шумоподобного сигнала от угла поворота пленки определяют искомые величины.

ЛиМ/шП) h

#ш (-%) $() (f( t -ЬМ)

Фиг.З