Изобретение относится к газоразрядным источникам ионов.
Целью изобретения является повышение плотности ионного тока и однородности ионного пуска
Ионно-оптическая система в составе газоразрядного источника ионов схематично показана на чертеже. Источник содержит плазменный эмиттер 1 и ионно-оптическую систему, образованную ускоряющим электродом 2, выполненным в виде сеток 3 и 4, а также коллектором 5 ионов. Между ускоряющим электродом 2 и коллектором 5 включен источник напряжения 6, а между плазменным эмиттером 1 и коллектором 5 ионов высоковольтный источник питания 7.
Ионно-оптическая система работает следующим образом.
В плазменном эмиттере 1 ионов генерируется разрядная плазма, с поверхности которой ионы ускоряются электрическим полем, создаваемым первой сеткой 3 ускоряющего электрода 2, проходят через сетки 3 и 4 формируют ионный пучок, достигающий коллектор 5 ионов. Обрабатываемую деталь располагают на коллекторе. Образующиеся в результате ионной бомбардировки коллектора вторичные электроды не могут преодолеть потенциальный барьер, создаваемый разностью потенциалов коллектора 5 и второй сетки 4 ускоряющего электрода. Вторичные электроны, рождающиеся на сетках 3 и 4, уходят на плазменный эмиттер. Для того, чтобы доля вторичных электронов была бы мала по отношению к току ионов, прозрачность сеток должна быть не менее 95% Таким образом, сетка 3 служит для извлечения и формирования ионного пучка, а сетка 4 для подавления электронной эмиссии на коллекторе.
В экспериментах использовались сетки, изготовленные из проволоки диаметром 2 ρ= 0,2 мм с шагом S 10 мкм и расположенные на расстоянии друг от друга d 40 мм. Расстояние сетки 4 ускоряющего электрода 2 до коллектора 5dск 150 мм, а расстояние от эмиттера ионов 1 до сетки 3 извлекающего электрода 2dса 20 мм.
Даже при высокой геометрической прозрачности и большой электрической проницаемости подавление вторичной эмиссии сетки 4 происходит при потенциале Uс ≥ 300 В, при энергии ионов Uа ≥100 кВ и ji 5˙10-3 А/см2 (по водороду) за счет того, что поле, ускоряющее ионы, сильно ослаблено сеткой 3 и удалением сетки 4 от сетки 3 на расстояние d > S. Эквивалентный потенциал в области сетки можно найти из соотношения Uэ Uc + DUa, где Uа и Uс потенциал анода и сетки, D электрическая проницаемость сетки.
D ln
Для подавления вторичной эмиссии с коллектора при больших плотностях тока пучка и больших Uа необходимо иметь большую Uс и малую D. Напряжение смещения Uс ограничено потенциалом зажигания разряда Uз.р., а уменьшение D связано с уменьшением шага S или увеличением радиуса ρ Последнее невозможно, так как приводит к увеличению тока вторичных электронов с сетки. Однако, если использовать две сетки, как в изобретении, геометрическая прозрачность упадет менее чем в два раза, а электрическая проницаемость-во много раз. Расчет показывает, что эквивалентный потенциал для подавления вторичной эмиссии при наличии двух сеток Uэ2 может быть рассчитан по формуле
-Uэ2 Uс + DUc + D2Uа.
Для упрощения расчетов принято dсаd.
Выбирая
Uвэ < Uэ2, Uэр > Uс, где Uвэ минимальный потенциал, необходимый для подавления вторичной эмиссии (Uвэ > 30В, Uэр ≅ 103В),можно рассчитать все геометрические параметры сетки. Конструкция ИОС позволяет в 3 раза увеличить плотность ионного тока, а также повысить однородность ионного пучка.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
ЛЕНТОЧНЫЙ ПЛАЗМЕННЫЙ ЭМИТТЕР ИОНОВ | 2005 |
|
RU2294578C1 |
ИОННЫЙ ИСТОЧНИК С ХОЛОДНЫМ КАТОДОМ | 2005 |
|
RU2299489C1 |
ШИРОКОАПЕРТУРНЫЙ ИСТОЧНИК ГАЗОВЫХ ИОНОВ | 2007 |
|
RU2338294C1 |
Способ получения тока эмиссии ионов | 1980 |
|
SU964786A1 |
ПЛАЗМЕННЫЙ ЭМИТТЕР ИОНОВ | 1996 |
|
RU2110867C1 |
ИНЖЕКТОР ПУЧКА НЕЙТРАЛЬНЫХ ЧАСТИЦ НА ОСНОВЕ ОТРИЦАТЕЛЬНЫХ ИОНОВ | 2012 |
|
RU2619923C2 |
ПЛАЗМЕННЫЙ ЭМИТТЕР ИОНОВ | 1998 |
|
RU2150156C1 |
ИНЖЕКТОР ПУЧКА НЕЙТРАЛЬНЫХ ЧАСТИЦ НА ОСНОВЕ ОТРИЦАТЕЛЬНЫХ ИОНОВ | 2017 |
|
RU2741793C2 |
ИОННЫЙ ИСТОЧНИК С ХОЛОДНЫМ КАТОДОМ | 2003 |
|
RU2240627C1 |
ГАЗОРАЗРЯДНАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ ПУШКА, УПРАВЛЯЕМАЯ ИСТОЧНИКОМ ИОНОВ С ЗАМКНУТЫМ ДРЕЙФОМ ЭЛЕКТРОНОВ | 2022 |
|
RU2792344C1 |
Изобретение относится к газоразрядным источникам ионов. Целью изобретения является повышение плотности ионного тока и однородности ионного пучка. Ускоряющий электрод 2 выполнен в виде сеток 3 и 4. Ионы из плазменного эмиттера 1 проходят через сетки и попадают на коллектор 5 ионов. Вторичные электроны с коллектора отражаются сеткой 4. Ток вторичных электронов с сеток 3 и 4 мал из-за высокой прозрачности сеток. 1 ил.
ШИРОКОАПЕРТУРНАЯ ИОННО-ОПТИЧЕСКАЯ СИСТЕМА ГАЗОРАЗРЯДНОГО ИСТОЧНИКА ИОНОВ, содержащая сеточный ускоряющий электрод, коллектор ионов, электрод-эмиттер и высоковольтный источник напряжения, положительный полюс которого подключен к электроду-эмиттеру, а отрицательный к ускоряющему электроду, отличающаяся тем, что, с целью повышения плотности ионного тока и однородности ионного пучка, ускоряющий электрод выполнен в виде двух сеток с прозрачностью не менее 95% установленных друг от друга на расстоянии не менее шага сетки, при этом сетки электрически соединены друг с другом и подключены к отрицательному полюсу дополнительного источника напряжения, положительный полюс которого подключен к коллектору.
Источник ионов | 1987 |
|
SU1718297A1 |
Авторы
Даты
1995-11-27—Публикация
1988-06-15—Подача