Кремниевый высоковольтный диод Советский патент 1993 года по МПК H01L23/00 

Изобретение относится к области конструирования и производства полупроводниковых приборов.

Целью изобретения является повышение устойчивости диода к пробивному напряжению.

На фиг. 1 и 2 представлена схема диода.

В пластмассовом корпусе на металличе- скрм основании 1 смонтирован столик 2. Между компенсаторами 3 и 4 размещен кристалл 10 с p-n-переходом. Эмиттерный вывод 5, приваренный к верхнему компенсатору, и коллекторный вывод 6, приваренный к основанию, выходят с одного торца пластмассового корпуса 7. Вырез 8 в металлическом основании заливается вровень с нижней поверхностью основания герметизирующим компаундом при формировании корпуса. 9 - защитный компаунд (силиконовый каучук).

В таблице представлены результаты испытаний диодов (после технологических обработок, в том числе камера влаги, термоциклы и др. операции).

Использование предложенного изобретения позволило разработать импульсный высоковольтный термоустойчивый диод с паоаметоами: 1Прям ЗА, tBoc.o6p 150 не; ТКор 100°С (или 2А при Ткор 125° С), В.

Формула изобретения Кремниевый высоковольтный диод, содержащий пластмассовый корпус с металлическим основанием, на котором последовательно размещены металлический столик, нижний компенсатор, кристалл с p-n-p-переходом, верхний компенсатор с эмиттерным выводом и ориентированный в параллельном направлении коллекторный вывод, соединенный с металлическим основанием, отличающийся тем, что, с целью повышения устойчивости диода к пробивному напряжению, в металлическом основании под эмиттерным выводом выполнен заполненный пластмассой вырез, размеры которого выбраны так, что минималь- ioe расстояние по поверхности корпуса :т эмиттерного вывода в месте его выхот

Ё

00

о со ю

N CJ

да из корпуса до кромок выреза равно не менее половины расстояния между эмиттерным и коллекторным выводами в том же сечении.

Сущность изобретения: в кремниевом высоковольтном диоде с коллекторным и эмиттерным выводами, ориентированными в параллельных направлениях, под эмиттерным выводом в металлическом основании сделан вырез размерами, обеспечивающими расстояние от эмиттерного вывода до кромок выреза, равное не менее половины расстояния между эмиттерным и коллекторным выводом в том же сочетании. 1 табл.

S - расстояние между эмиттерным выводом и металлическим основанием, d - расстояние между эмиттерным и коллекторным выводами.

фиг.-/