Изобретение относится к полупроводниковым приборам, чувствительным к ИК-излучению.
Целью изобретения является повышение коэффициента фотоэлектрического усиления при сохранении высокого значения квантовой эффективности при малом времени жизни носителей заряда.
Для этого в фотоприемнике на основе примесного компенсированного полупроводника, содержащем активный слой и два контакта с электрическими выводами, один из контактов выполнен в виде двух или более элементов, размещенных один от другого на расстоянии, обеспечивающем смыкание областей объемного заряда элементов.
На фиг.1 изображена структура фотоприемника; на фиг.2 параллельное включение указанной структуры; на фиг.3 последовательное включение структуры.
Фотоприемник содержит активный слой 1, контакт 2 и контакт, выполненный из двух элементов 3 и 4; цифрой 5 обозначено сопротивление нагрузки.
Фотоприемник работает следующим образом.
При приложении рабочего напряжения между элементами контакта 3 и 4 смыкаются области объемного заряда, прилегающие к указанным элементам контакта, и между последними будет протекать ток, ограниченный объемным зарядом. Величина этого тока при заданной конфигурации элементов контакта 3 и 4 определяется напряжение Uк, а также потенциалами и зарядами, окружающими область протекания тока, ограниченного объемным зарядом. Напряжение Uфр на контакте 2 (отрицательной полярности относительно элементов контакта 3 и 4 в случае, если активный слой имеет p-тип проводимости, и положительной если n-тип) вызывает также инжекцию носителей из элементов контакта 3 и 4 в объем активного слоя 1. Ток инжекции в объем активного слоя определяется процессами генерации и рекомбинации в объеме и зависит от освещения фотоприемника. При изменении величины светового потока, падающего на фотоприемник, в объеме активного слоя 1 проходят процессы перезарядки примесных центров, приводящие при достаточно большом напряжении Uфр к возникновению нестационарного объемного заряда. Возникающий в активном слое 1 объемный заряд изменяет величину заряда свободных носителей в промежутке между элементами контакта 3 и 4 и, следовательно, величину тока между ними.
П р и м е р. Фотоприемник выполнен на кремнии, легированном галлием (p-тип проводимости). Рабочее напряжение между элементами контакта 3 и 4 Uк равно 0,2 В, падением напряжения на сопротивлении нагрузки Rн пренебрегаем, полагая Rн много меньшим сопротивления между элементами контакта 3 и 4 при рабочем напряжении, суммарная концентрация остаточных компенсирующих примесей в активном слое Nк равна 1013 см-3, определяемая фоновой освещенностью концентрация свободных носителей тока в активном слое вне области объемного заряда при Uк OPo равна 104 см-3, температура фотоприемника Т равна 10 К. В соответствии с формулой
d ≃ +
где d расстояние между элементами контакта 3 и 4,
εо диэлектрическая проницаемость вакуума, равна 8,85·10-12 Ф/м,
ε- относительная диэлектрическая проницаемость активного слоя,
q заряд электрона, равный 1,6·1019 К,
Uт lп и (K=1,38•10-23 Дж/град постоянная Больцмана), получим d 6,5 мкм. Для типичного значения подвижности дырок в примесном кремнии при низкой температуре μ= 3·103 см2/В·с, напряжении Uк 0,2 В время пролета дырок через промежуток между элементами контакта 3 и 4 составит
τп=d2/μUк=7•10-10с
При ширине контакта l 6,5 мкм коэффициент A, определяющий, какая часть нестационарного объемного заряда экранируется в зонах смыкания приконтактных областей объемного заряда, равен
A ≃ 0,5
С учетом времени релаксации объемного заряда в фотоприемнике τрел., равного 10-2 с, коэффициент фотоэлектрического усиления k составит
k=A 7,1•106. Коэффициент усиления фоторезистора-прототипа не превосходит 10.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ИЗЛУЧАТЕЛЬ ИК-ДИАПАЗОНА | 2015 |
|
RU2596773C1 |
ФОТОДЕТЕКТОР | 2003 |
|
RU2240631C1 |
СПОСОБ ДЕТЕКТИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ И УСТРОЙСТВО ДЛЯ ЕГО ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ | 2012 |
|
RU2503090C1 |
ФОТОПРИЕМНОЕ УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИК-ОБЛАСТИ СПЕКТРА | 1992 |
|
RU2069922C1 |
ИНЖЕКТИРУЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ИНЖЕКТИРУЮЩИХ ЭЛЕМЕНТОВ | 1992 |
|
RU2115270C1 |
ТИРИСТОРНЫЙ ТРИОД-ТИРОД | 2005 |
|
RU2306632C1 |
ДАТЧИК МАГНИТНОГО ПОЛЯ | 2001 |
|
RU2238571C2 |
СПОСОБ УПРАВЛЕНИЯ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬЮ ДЕТЕКТОРА ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ В ИК-ДИАПАЗОНЕ | 2009 |
|
RU2418344C1 |
Способ определения профиля распределения концентрации основных носителей заряда по глубине в полупроводниковых гетероструктурах | 2023 |
|
RU2802862C1 |
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДЕТЕКТОР С ВНУТРЕННИМ УСИЛЕНИЕМ НА ОСНОВЕ ПОЛУИЗОЛИРУЮЩЕГО АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ | 2015 |
|
RU2586081C1 |
Использование: изобретение относится к полупроводниковой фотоэлектронике и может быть использовано в фотоприемных устройствах для регистрации инфракрасного излучения. Сущность: в фотоприемнике на основе примесного компенсированного полупроводника один из двух контактов выполнен в виде двух или более элементов, размещенных один от другого на расстоянии, обеспечивающем смыкание областей объемного заряда. При этом в рабочем режиме между элементами протекает ток, управляемый нестационарным зарядом в объеме полупроводника, что приводит к повышению коэффициента фотоэлектрического усиления при сохранении высокого значения квантовой эффективности. 3 ил.
ФОТОПРИЕМНИК на основе примесного компенсированного полупроводника, содержащий активный слой и два контакта с электрическими выводами, отличающийся тем, что, с целью повышения коэффициента фотоэлектрического усиления при сохранении высокого значения квантовой эффективности при малом времени жизни носителей заряда, один из контактов выполнен в виде двух или более элементов, размещенных один от другого на расстоянии, обеспечивающем смыкание областей объемного заряда элементов.
Полупроводниковые фотоприемники: ультрафиолетовый, видимый и ближний ИК-диапазоны /Под ред | |||
Стафеева В.И., М.: Радио и связь, 1984, с.53-57 | |||
Sclar.N.Properties of doped silicon and germanium infrared detectors Prog | |||
Quantum Electr, 1984, v.9, p.150-244. |
Авторы
Даты
1996-04-20—Публикация
1989-12-08—Подача