ЯЧЕЙКА ПАМЯТИ СО СЧИТЫВАНИЕМ ИНФОРМАЦИИ БЕЗ РАЗРУШЕНИЯ Советский патент 1966 года по МПК G11C11/14 

Известны ячейки памяти со считыванием информации без разрушения, состоящие из нанесенной на подложку пермаллоевой пленки, провода записи, провода съема и провода считывания. Предложенная ячейка отличается от известной тем, что для увеличения амплитуды считанного сигнала и надежности хранения информации пермаллоевая пленка покрыта слоем из никеля без промежуточной изоляции. На чертелсе показана предлол енная ячейка памяти. Она содерл ит пленку 1 никеля, пленку 2 FeNiCo, подложку 3, провод 4 записи, провод 5 считывания, провод 6 съема. На чертеже обозначено: А - ось трудного намагничивания, Б - ось легкого намагничивания, Ai-АЗ - новое направление оси легкого намагничивания, Б - новое направление оси трудного намагничивания. При записи информации в ячейку памяти используются два поля: поле считывания и продольное поле записи. При записи «1 под воздействием этих нолей ось легкого намагничивания нленки поворачивается на угол р по часовой стрелке от оси легкого намагничивания, заданной магнитным отжигом, и устанавливается в направлении Л После отключения поля считывания вектор намагниченности пленки / ориентируется вдоль направления Ai и остается в этом положении сколь угодно долго. Такой поворот оси анизотропии ячейки объясняется следующим образом. В пленке никеля существуют микроскопические центры неоднородностей с больщими величинами хаотично ориентированной анизотропии. Центры анизотропии содержат настолько большую анизотропию, что намагниченность взятой в отдельности никелевой пленки определяется этими центрами, а не наведенной в процессе магнитного анизотропией. Вследствие этого, при приложении поля в произвольног направлении ко взятой в отдельности никелевой пленке и после его снятия намагниченность последней остается в направлении приложенного поля, так как было достигнуто локальное состояние минимальной энергии. Неоднородные деформации в сочетании с магнитострикцией являются причиной возникновения центров анизотропии в пленке Ni. В двухслойной пленке, состоящей из обычной, не обладающей вращательной анизотропией пленки FeNiCo и пленки Ni, анизотропия центров неоднородностей никелевой пленки сильно ослабляется, вследствие чего при записи информации в ячейку из такой двухслойной пленки ось анизотропии последней поворачивается лишь в пределах небольших углов, онределяемых соотношением толщин пленок.

При считывании информации используется только поле считывания, которое устанавливает вектор намагниченности пленки 1 в направлении А. В этом случае угол а между направлением намагниченности и иовым направлением AI оси легкого намагничивания меньше 90°, и после отключения поля считывания намагниченность возвратится в предыдущее состояние Ai. При считывании информации в этой ячейке наблюдается явление, напоминающее процесс самозаииси в обычнь1х пленках при перекосе осей. Считывание информации в такой ячейке осуществляется полным адресным током, и амплитуда сигна: ла неразрущающего считывания фактически не отличается от амплитуды полного сигнала. Поскольку .ири считывании намагниченность пленки насыщается в направлении поля считывания и при этом информация не разрут щает(;я, то она;не ;разрущится при любых других полях считывания, отличных по величине от полфшасыщёния.; Следовательно, ячейка обладает вйеодо- -наделсностью работы.

Запись и считывание «О происходит в той же последовательности с той лищь разницей, что направление поля записи изменяется на противоположное. В этом случае ось легкого намагничивания поворачивается на угол р против часовой стрелки и устанавливается в направлении Да. Вектор намагниченности пленки / после записи и последующих считываний устанавливается вдоль нового направления оси легкого намагничивания.

Сигналы считанных «1 и «О различаются по фазам.

Предмет изобретения

Ячейка памяти со считыванием информации без разрущения, состоящая из нанесенной на подложку пермаллоевой пленки, провода записи, провода съема и провода считывания, отличающаяся тем, что, с целью увеличения амплитуды считанного сигнала и надежности хранения информации, пермаллоевая пленка покрыта слоем из никеля без промежуточной изоляции.