ФОРМИРОВАТЕЛЬ ИМПУЛЬСОВ Советский патент 1967 года по МПК H03K3/315 H03K3/26 

Известны формирователи импульсов, содержащие два транзистора и два туннельных диода.

Предлагаемый формирователь отличается тем, что в эмиттер формирующего транзистора включен защунтированный сопротивлением туннельный диод, анод которого через диод подключен к базе транзистора обратной. связи, а коллектор этого транзистора так же через диод соединен с базой формирующего транзистора. Это позволяет повысить стабильность параметров формирующего импульса.

На чертеже изображена схема предлагаемого формирователя импульсов.

Он состоит из двух транзисторов - формирующего / и обратной связи 2 и двух туннельных диода 3 W 4. Причем пиковый ток туннельного диода 4 превьпнает пиковый ток туннельного диода 3.

В исходном состоянии по цепи (резистор 5, диод 6, туннельный диод 5 и туннельный диод 4, шунтированный резистором 7) протекает ток смещения, меньщий пикового тока туннельного диода 3 и одноврелгенно меньщий тока гзпадины суммарной вольт-амперной характеристики туннельного диода 4 и резистора 7. Рабочие точки обоих диодов находятся на восходящей туннельной ветви, и оба транзистора закрыты.

При подаче на вход формирователя импульса тока положительной полярности такой амплитуды, чтобы сумма входного тока и тока смещения превыщала пиковый ток

туннельного диода 3, последний переключается и в базу формирующего транзистора поступает импульс тока. Ток в коллекторной цепи формирующего транзистора начинает возрастать, а следовательно, и ток в эмиттере транзистора, равный сумме базового и коллекторного токов, также увеличивается.

При достижении эмиттерным током величины пикового тока туннельного диода 4 диод переключается и открывает транзистор

обратной связи, переводя его в область насыщения. Открываясь, транзистор переключает на себя ток, ранее протекавший через диод 6 в базу формирующего транзистора. Диод 6 запирается, и ток в базу транзистора прекращается, вследствие чего формируется спад импульса.

Время восстановления схемы определяется временем насьицения транзистора обратной связи.

Предмет изобретения

отличающийся тем, что, с целью повышения стабильности параметров импульса, в эмиттер формирующего транзистора включен зашунтированный сопротивлением туннельный

диод, анод которого через диод подключен к базе транзистора обратной связи, а коллектор этого транзистора через диод соединен с базой формирующего транзистора.