ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ПРИЕМНИК Советский патент 1967 года по МПК H01J40/20 

Изобретение относится к конструкции фотоэлектрического приемника.

Известна конструкция фотоэлектрического приемника, содержащего фоточувствительный слой, нанесенный на массивную стеклянную подложку, имеющую выступы в виде конусов, пирамид или призм, причем между фоточувствительным слоем и массивной стеклянной подложкой расположена промежуточная просветляющая пленка, что приводит к увеличению чувствительности фотоэлектрического приемника из-за уменьшения отраженной составляющей светового потока за счет интерференции лучей, отраженных от двух граней промежуточной просветляющей пленки.

Недостаток известной конструкции заключается в том, что наличие промежуточной просветляющей нленки усложняет технологию изготовления фотоэлектрического приемника, так как промежуточная просветляющая пленка должна обеспечивать выполнение ряда требований: отсутствие взаимодействия с материалом фотокатода, определенная толщина, высокая нрочность.

Предложенная конструкция фотоэлектрического приемника отличается от известной тем, что минимальные потери света обеспечиваются за счет выбора угла у основания фигуры стеклянной подложки, который должен быть

больше угла полного внутреннего отражения материала подложки.

Проведенная экспериментальная проверка показала, что с углами при основании KOMVсов, пирамид или призм, составляющими бС- 80°С, интегральная чувствительность прибора возрастает более, чем в 2 раза по сравнению с известными фотоэлектрическими приемниками.

Увеличение угла при основании конусов, пирамид или призм свыше 80°С приведет к резкому увеличению потерь света.

Таким образом предложенная конструкция фотоэлектрического приемника обеспечивает

высокое повышение чувствительности фотокатода, работающего на просвет, при устранении технологических трудностей изготовления, имеющих место в приборах с промежуточной просветляющей пленкой.

Предложенное устройство может быть использовано принципиально в фотоприемнике любого типа, работающем на просвет: в фотоэлементах, фэу, фото- лбв, в передающих трубках и преобразователях изображения, а также в тонкопленочных полупроводниковых фотодетекторах.

Па чертеже изображен фотоэлектрический приемник, состоящий из полупрозрачного фотослоя /, нанесенного на прозрачную подлож, jj,

гой (состороны фотослоя) имеются выступы 3 в виде конусов, пирамид или призм.

Экспериментальный макет представляет собой мультищелочной фотокатод, нанесенный на стеклянную подложку, имеющую выступ в виде конуса с диаметром основания 3 мм и углом при основании .

Предмет изобретения Фотоэлектрический приемник, содержащий

полупрозрачный фоточувствите.льный слой, иапесеипый на прозрачную подложку, имеющую со стороны с|)оточувств1 тельного слоя выступы в виде конусов, пирамид или призм, отличающийся тем, что, с целью увеличения чувствительности прпемника и упрощения технологии cio и.чготовления, угол при основании конусов, пирамид или призм составляет 60-