СПЕКТРОТРОН Советский патент 1968 года по МПК G11C11/56 

Известен спектротрон ио основным авт. св № 219874 и 219875 с несколькими различными . частотными и токовыми устойчивыми состояниями, состоящий из нелинейного контура, выпрямителя и усилителя ностоянного тока с выходом, подключенным к обмотке нодмагничивания нелинейного контура.

С целью увеличения числа устойчивых состояний предложен спектротрон, отличающийся от известного тем, что в трансформатор колебательного контура введена дополнительная обмотка, которая включена встречно по отнощению к обмотке обратной связи и подключена к источнику постоянного тока.

В колебательный контур встречно включены два диода с нелинейной зависимостью емкости р-п-перехода от приложенного напряжения. Диоды подключены к источнику постоянного напряжения, полярность которого противоположна полярности сигнала обратной связи.

На фиг. 1 дана принципиальная схема описываемого спектротрона; на фиг. 2 - схема контура с встречным включением диодов.

На контур, образованный обмотками LI и LZ и емкостью Со через корректирующую емкость Сь подается переменное напряжение с линейчатым спектром. Собственная частота контура зависит от величины тока подмагничивания, протекающего через обмотки LZ и /-4В обмотки подан постоянный ток смещения. При совпадении токов смещения и подмагничивапия частота настройки контура минимальна и увеличивается при изменении тока подматничивания в любую сторону.

При настройке контура в полосу его пропускания поочередно попадают составляющие спектра напряжения питания. Напряжение на выходе контура принимает максимальные значения при совпадении собственной частоты контура с одной из составляющих спектра.

При включении ключа К в положение / замыкается цепь обратной связи, и выходной ток усилителя иерестраивает контур.

В устойчивых состояниях при любом изменении частоты контура на выходе усилителя возникает приращение тока, препятствующее измененпю частоты контура.

Таким образом, использование немонотонной зависимости собственной частоты контура от величины тока подмагничивания позволяет вдвое увеличить число устойчивых состояний системы.

Управляемым элементом контура, показанного на фиг. 2, нелинейная емкость р-rt-перехода диода. С целью получения немонотонной зависимости собственной частоты контура от величины управляющего напряжения, диоды Д и Да включены встречно и к ним прплол ено напряжение смещения поляр