ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ Советский патент 1969 года по МПК G11B11/10 

Описание патента на изобретение SU223149A1

Известны элементы памяти на магнитопроводе типа «биакс», содержащие шину записи, прошивающую первое отверстие, выходную шину и шину опроса.

Предложенный элемент отличается тем, что, с целью осуществления хранения дополнительного бита информации с разрушающим считыванием при работе на несимметричном частном цикле петли гистерезиса, в него введены дополнительные шины записи и считывания, прошивающие второе отделение.

На фиг. 1 изображен предложенный элемент памяти; на фиг. 2 - предельный несимметричный частный цикл петли гистерезиса.

В магнитопроводе 1 выполнены взаимно перпендикулярные непересекающиеся отверстия 2 и 3. Обмотка записи 4 и выходная 5, пропущенные через отверстие 2, и обмотка 6 опроса, пропущенная через отверстие 3, служат для записи и неразрушающего считывания. Обмотка 7 записи и выходная обмотка 8 служат для записи и разрушающего считывания.

По обмотке 4 пропускают импульс тока, устанавливающий поток вокруг отверстия 2 в состояние положительной или отрицательной остаточной намагниченности в зависимости от записываемой информации.

При прохождении импульса тока опроса по обмотке 6 на обмотке 5 возникает э.д.с. считанного сигнала, полярность которой определяется записанной информацией.

При этом амплитуда тока опроса не должна превышать некоторой величины, при которой происходит разрушение остаточного магнитного потока вокруг отверстия 3. Так происходит запись и считывание в режиме неразрушающего считывания.

В режиме разрушающего считывания запись «единицы» осуществляется подачей по обмотке 7 импульса тока записи, устанавливающего магнитный поток вокруг отверстия 3 в состояние Ф1. При подаче импульса тока считывания по обмотке 6 магнитный поток переключается в состояние Ф2, соответствующее записи «нуля». При этом в обмотке 8 наводится импульс э.д.с., пропорциональный приращению потока Фm1 и соответствующий считыванию «единицы». В случае считывания «нуля» в обмотке 8 наводится импульс э.д.с., пропорциональный приращению потока Фm2.

Таким образом, считанная информация «нуля» и «единицы» отличается только амплитудой выходных сигналов, и в каждом такте необходимо производить регенерацию считанной «единицы».

Величина э.д.с., наводимой в обмотке 6 при неразрушающем считывании, зависит от состояния магнитного потока вокруг отверстия 3 (Ф2 или Ф1), но знак ее сохраняется до тех пор, пока сохраняется знак потока вокруг отверстия 3.

Похожие патенты SU223149A1

название год авторы номер документа
МАТРИЦА ЗАПОМИНАЮЩЕГО УСТРОЙСТВА 1970
SU261463A1
ДВУХДЫРОЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ ИЗ ФЕРРИТОВОГОМАТЕРИАЛА 1969
SU238596A1
Матрица для запоминающего устройства 1974
  • Авсеев Владимир Зусевич
  • Бобров Сергей Алексеевич
  • Милославов Вадим Александрович
SU540295A1
Магнитный элемент с неразрушающим считыванием информации 1974
  • Шойфер Юрий Исаакович
  • Погребной Юрий Лаврентьевич
  • Родин Евгений Васильевич
SU482809A1
Запоминающая матрица 1985
  • Яблонский Александр Абрамович
  • Олейник Анатолий Павлович
  • Толочек Валерий Николаевич
SU1298798A2
МАГНИТНЫЙ ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ С НЕРАЗРУШАЮЩИМ СЧИТЫВАНИЕМ ИНФОРМАЦИИ 1967
SU193782A1
Способ записи информации в магнитные элементы типа биакс 1975
  • Погребной Юрий Лаврентьевич
  • Шойфер Юрий Исаакович
SU553678A1
Магнитный элемент с неразрушающим считыванием информации 1981
  • Пивоваров Леонид Зиновьевич
  • Добролюбов Евгений Петрович
SU968853A1
МАГНИТНЫЙ ЗАПОМИНАЮЩИЙ ЭЛЕМЕНТ 1968
SU206641A1
МАГНИТНЫЙ ЭЛЕМЕНТ 1968
SU210222A1

Иллюстрации к изобретению SU 223 149 A1

Формула изобретения SU 223 149 A1

Элемент памяти на магнитопроводе типа «биакс», содержащий шину записи, прошивающую первое отверстие, выходную шину и шину опроса, отличающийся тем, что, с целью осуществления хранения дополнительного бита информации с разрушающим считыванием при работе на несимметричном частном цикле петли гистерезиса, в него введены дополнительные шины записи и считывания, прошивающие второе отверстие.

SU 223 149 A1

Авторы

Бабичев А.П.

Даты

1969-10-22Публикация

1967-05-24Подача