ПАТЕИТНО- ТЕХНИЧЕСКАЯ10КИБЛИОТЕКА Советский патент 1969 года по МПК H01L21/18 

Описание патента на изобретение SU232392A1

Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых мощных кремниевых вентилей.

Предлагаемый способ представляет собой чисто диффузионный метод создания электронно-дырочного перехода в электронном кремнии.

Диффузионный метод получения высоковольтных вентилей основан на том, что пробивное напряжение зависит и от глубины залегания электронно-дырочного перехода. Это означает, что, увеличивая температуру и время диффузионного прогрева, можно получить вентиль с большим пробивным напряжением из сравнительно низкоомного кремния.

Предлагаемый способ делится на ряд основных операций:

напыление борного ангидрида на поверхность кремниевой пластины «-типа в вакууме с целью создания источника диффундирующего вещества;

прогрев кремниевой пластины с напылением борного ангидрида при температуре ЬЗОО-С в течение 15-30 час на возду.хе для создания плавного электронно-дырочного перехода;

односторонняя шлифовка кремниевой пластины на шлифовальном станке с целью удаления диффузионного слоя с одной стороны;

нием при 1200°С в течение 10 мин на воздухе для получения .хорошего активного контакта с базовой областью элемента;

химическое никелирование кремниевой пластины и вжигание при 800° 10 мин в атмосфере водорода с целью получения хороших омических контактов;

обслуживание припоем отникелированных поверхностей пластинки и припайка токоотводящих электродов в виде молибденовых дисков, покрытых оловом;

снятие фаски на специальном присиособлении для предотвращения возможного закорачивания электронно-дырочного перехода;

травление в кипящей щелочи без каких-либо защитных покрытий с целью упрощения очистки области электронно-дырочного перехода от загрязнений; сборка выпрямительного элемента в корпус.

Следует отметить, что такая технология не ограничивает размеры получаемых выпрямительных элементов. Можно изготовлять выпрямительные элементы площадью от нескольких квадратных миллиметров до максимального

размера, ограниченного сечением монокристалла кремния.

При изготовлении предлагаемым методом вентилей полностью исключен сплавной метод. Это позволяет, помимо устранения недостатвозникновения каких-либо механических наиряжений в выпрямленном элементе, неизбежных при силавной технологии. Диффузионный вентиль представляет собой механически весьма прочную конструкцию.

Существенным преимуществом предлагаемой технологии является возможность унификации производства всех классов силовых вентилей на заводе, начиная с вентилей на токи в несколько ампер и кончая токами до сотен ампер, получая при этом большой выход высоковольтных вентилей.

Предмет изобретения

1. .Сиособ изготовления высоковольтных кремниевых силовых вентилей, основанный на

диффузии примеси в кремний, отличающийся тем, что, с целью упрощения ироцесса изготовления вентилей и иовышения величины их пробивного напряжения, на иизкоомный кремНИИ напыляют слой борного ангидрида и проводят диффузию бора в поверхностный слой кремния в атмосфере воздуха.

2.Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью упрощения очистки ;0-/г-перехода с поверхности кремния от загрязнений, с поверхности кремниевой пластины снимают наклонную фаску и травят пластину в кипящей щелочи.

3.Способ по п. 1, отличающийся тем, что, с целью упрощения конструкции вентиля и сокращения его габаритов, внутреннюю втулку стеклоизолятора вентиля используют для размещения гибкого вывода.

Похожие патенты SU232392A1

название год авторы номер документа
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ВЫПРЯМИТЕЛЬНОГО ЭЛЕМЕНТА 1969
SU256875A1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДЕТЕКТОРА КОРОТКОПРОБЕЖНЫХ ЧАСТИЦ 2008
  • Еремин Владимир Константинович
  • Вербицкая Елена Михайловна
  • Еремин Игорь Владимирович
  • Тубольцев Юрий Владимирович
  • Егоров Николай Николаевич
  • Голубков Сергей Александрович
  • Коньков Константин Анатольевич
RU2378738C1
СВЕРХВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ p-n-p ТРАНЗИСТОР 2010
  • Войтович Виктор Евгеньевич
  • Гордеев Александр Иванович
  • Думаневич Анатолий Николаевич
RU2485625C2
СИЛОВОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРИБОР 2006
  • Дерменжи Пантелей Георгиевич
  • Локтаев Юрий Михайлович
  • Нисневич Яков Давыдович
  • Семенов Александр Юрьевич
  • Черников Анатолий Александрович
RU2308121C1
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ МОЩНЫХ ВЫСОКОВОЛЬТНЫХ КРЕМНИЕВЫХ ПРИБОРОВ 2010
  • Грехов Игорь Всеволодович
  • Козловский Виталий Васильевич
  • Костина Людмила Серафимовна
  • Ломасов Владимир Николаевич
  • Рожков Александр Владимирович
RU2435247C1
Способ формирования изолированных внутренних областей 1989
  • Думаневич А.Н.
  • Нисневич Я.Д.
SU1715124A1
ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНЗИСТОР СО СТАТИЧЕСКОЙ ИНДУКЦИЕЙ 2023
  • Гордеев Александр Иванович
  • Войтович Виктор Евгеньевич
  • Еремьянов Олег Геннадьевич
  • Максименко Юрий Николаевич
RU2805777C1
Кристалл униполярно-биполярного силового высоковольтного гиперскоростного арсенид-галлиевого диода с гетеропереходами с фотонными и фотовольтаидными свойствами 2022
  • Войтович Виктор Евгеньевич
  • Гордеев Александр Иванович
RU2791861C1
Кристалл высоковольтного гиперскоростного сильноточного диода с барьером Шоттки и p-n переходами 2022
  • Гордеев Александр Иванович
  • Войтович Виктор Евгеньевич
RU2803409C1
ВЫСОКОВОЛЬТНЫЙ ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНЫЙ БЫСТРОДЕЙСТВУЮЩИЙ ТИРИСТОР С ПОЛЕВЫМ УПРАВЛЕНИЕМ 2010
  • Войтович Виктор Евгеньевич
  • Гордеев Александр Иванович
  • Думаневич Анатолий Николаевич
RU2472248C2

Реферат патента 1969 года ПАТЕИТНО- ТЕХНИЧЕСКАЯ10КИБЛИОТЕКА

Формула изобретения SU 232 392 A1

SU 232 392 A1

Даты

1969-01-01Публикация