УСТРОЙСТВО РЕГУЛИРУЕМОЙ ЗАДЕРЖКИ Советский патент 1969 года по МПК H03K3/284 

Известны устройства для получения регулируемой задержки, выполненные по схеме одновибратора на транзисторах р-п-р-типа с одним времязадающим конденсатором, соединенным с коллектором управляющего транзистора п-р-tt-типа.

Цель изобретения - расширить диапазон регулирования задержки.

Достигается это тем, что в предложенном устройстве использован дополнительный транзистор п-р-л-типа, эмиттер которого подключен к коллектору одного из транзисторов одновибратора, коллектор - к базе другого транзистора, а база - к средней точке делителя напряжения источника питания.

На чертеже изображена схема устройства.

Устройство выполнено по схеме одновибратора на двух основных транзисторах / и .2 с проводимостью типа р-л-р. В коллекторных иепях транзисторов 1 н 2 включены резисторы 5 и 4, а в эмиттерных цепях - общий резистор 5. Транзисторы соединены между собой резистором обратной связи 6. Резистор 7 включен в цепь смещения. Времязадающий конденсатор 8 в цепи обратной положительной связи соединен с разрядной коллекторной цепью управляющего транзистора 9 с проводимостью п-р-п-типа. Устройство снабжено дополнительным транзистором 10 с проводимостью п-р-я-типа, эмиттер которого подключен к коллектору транзистора 1, база. - к средней точке делителя напряжения источника питания, выполненного на резисторах 1} и 12, а коллектор - к общей точке базы транзистора 2, времязадающего конденсатора 8 и коллектора управляющего транзистора 9. Управляющее напряжение подается на вход эмиттерного повторителя, выполненного на транзисторе 9 и снабженного резистором 13.

Входной запускающий импульс через конденсатор 14 связи подается на базу транзистора 1, выходной сигнал снимается с кол.тектора транзистора 2.

До прихода заиускающего импульса транзистор 1 заперт, а транзисторы 2 w. 10 находятся в режиме насыщения. Схема не самовозбуладается даже при малых коллекторных токах управляющего транзистора 9, так как

транзистор 2 насыщен за счет коллекторного тока дополнительного транзистора 10.

После появления отрицательного запускающего импульса, транзистор / насыщается и запирает транзисторы 10 и 2. При этом происходит регенеративный процесс, после которого транзистор 1 остается насыщенным, а транзисторы 10 и 2 запертыми до тех пор, пока конденсатор 8 не разрядится коллекторным током транзистора 9. После разряда конден-.

схемы, которая приходит в исходное состояние.

Предмет изобретения

Устройство регулируемой задержки, выполненное по схеме одновибратора на транзисторах р-п-р-типа с одним времязадающим конденсатором, соединенным с коллектором

управляющего транзистора п-р-/г-типа, отличающееся тем, что, с целью расширения диапазона регулирования задержки, оно содержит дополнительный транзистор п-р-/г-типа, эмиттер которого подключен к коллектору одного из транзисторов одновибратора, коллектор - к базе другого одновибратора, база - к средней точке делителя напряжения источника питания.

:0