АКТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ОПТИЧЕСКИХ КВАНТОВЫХ ГЕНЕРАТОРОВ И ОПТИЧЕСКИХ КВАНТОВЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ Советский патент 1969 года по МПК H01S3/16 

Описание патента на изобретение SU238026A1

Известны марки силикатных стекол ЛГС и КГСС, активированных неодимом, используемых :в качестве активного материала для олтических квантовых генераторов (ОКГ). Однако высокая температура выварки силикатных стекол сообщает им овойства, :при,во.дящие к ограничению допустимых оптических нагрузок. Предполагается, что это огра«ичение обусловлено как хрупкостью са.мого стекла, так и коллоидальным,и частицами платины, входящи.ми в стекло при его выварке. Трудности очистки кварцевого сырья от следов железа приводят к ухудшению оптических качеств стекла под действием интенсивного света на.качкп. Это вызывает уменьшение выходной энергии и .мощности .в процессе работы в режиме генерации и усиления.

В силикатных стеклах сильно варьирует конф:игурация ближайшего окружения ионов неодима. Это привадит к значительному неодж)родиому уширению линий люминесценции (нолуширииа полосы люминесценции Nd на 1,06 мкм 220-300 сл(1), отрицательно влияющему на генерационные и усилительные характеристики стекла.

Чтобы снизить порог генерации и увеличить предельно допустимые плотности энергии, предлагают в состав материала ввести одно из соединеиий урана, марганца, хрома, меди, серебра, алюминия, цинка, олова или их комбинацию. Активный матери ал для ОКГ

имеет следущий состав, %:

PaOs

30-90 LisO 2-40 Na..O 2-40 0-10

элементы 1 -10

редкоземельные

Мп 0-5

Сг 0-5

Си 0-5

Ag 0-5

АЬОя 0,5-20

Окись алю.инля может быть заменена

эквивалеитны.ми добаека ми:

0,5 - 20% А1Рз или

0,5 - 20% SnCls.

Предложенный актив1ный материал, который является модификацией фосфатного стекла, отличается тем, что в нем конфигурация ближайшего окружения ионо.в редких земель более однородна, че.м -в силикатных стеклах, а преобладающий коваленгньгй хара.ктер связей обусловливает .малые локальные кристаллические поля. Вследствие этого неоднородное NuiiipeHHe люминесценции в «их значительно меньше. Существенно, что в предлагаемых стеклах сильиые ковалентные связи между

анноннЫМи к.0мплекса 1и. окружающими люминесцентные центры, обеспечивают эффективный облен энергией между этими центрами, что цризод;1т к «однородности полос люми есце|Нции } способствует спектра генерации и бюлее эффективному использованию энергии в pe KMj;e усиления.

В оиисы;ваемом активиом материале легко растворяются окислы редких земель, переходных металлов, а также уранила, причем ионы этих элементов о,казываются -в весьма единоO6pa3HOiM о-ктаэдрическом окружении ионов кислорода, лрииадлежащих к жестким фосфатным тетраэдрам. Это подтверждается малой полушириной {110-150 А) линии люминесценции неодима 1,06 мк.и и значительным сужен:ием его спектральных линий при охлаждении. Фосфатные тетраэдры в предложенном веществе образуют прочные « сравнительно длинные полимерные цеци, в которых вследствие большого удельного вееа я-связей (0,3- 0,5я-связи на ст-связь) возможно сопряжение

связей, т. е. частичная коллективизация электронов в пределах полимерной цени.

Такие цепи, сшитые редкоземельными iioiiaми при комплекеообразовании в процессе синтеза веп;ества. обеспечивают эффективную передачу возбуждения между активными центрами,что приводит к быстрой передаче энергии внутри неоднородно уширенной линии люминесценции, а следовательно, к указанному

0 выше сужению спектра генерации и иолиому использованию энергии люминесцентных ионов в режи.ме уеилеи.ия. Это подтверждается комплексом люмияесцентных, виекозиметрических и других исследований. Оценки, основан5 цые на результатах соответствующих измерений, показывают, что в полимерную фосфатную молекулу в предлагаемом активном материале входит ца норядок больше ионов-активаторов, чем в аналогичных структурах в си0 ликатных стеклах.

Некоторые данные о составе синтезирован1ИЫХ люминофоров приведены в нижеследующей таблице.

А1,0з SnCl.,

Похожие патенты SU238026A1

название год авторы номер документа
КРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ НА ОСНОВЕ ФЛЮОРИТОПОДОБНЫХ СИСТЕМ ДЛЯ СРА-ЛАЗЕРОВ 2018
  • Юсим Валентин Александрович
  • Рябченков Владимир Васильевич
  • Саркисов Степан Эрвандович
RU2707388C1
ОПТИЧЕСКОЕ ФОСФАТНОЕ СТЕКЛО 2010
  • Саркисов Павел Джебраилович
  • Сигаев Владимир Николаевич
  • Голубев Никита Владиславович
  • Савинков Виталий Иванович
RU2426701C1
КВАНТОВЫЙ УСИЛИТЕЛЬ 2009
  • Дмитрюк Александр Васильевич
  • Дукельский Константин Владимирович
  • Жилин Александр Александрович
  • Савостьянов Владимир Алексеевич
RU2411621C1
АКТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ, АКТИВИРОВАННЫЙРЕДКОЗЕЛ1 1972
  • В. Р. Белан, М. Е. Жаботинский, В. Ф. Золин, Ю. И. Крас Иггн Б. Н. Куликовский, В. Г. Лебедев, Л. И. Левкин, Ю. П. Рудйицкий, Л. К. Шубочким Г. В. Эллерт
SU330505A1
Активный материал для оптических квантовых генераторов 1973
  • Зинина Е.М.
  • Шабля А.В.
  • Свешникова Е.Б.
  • Ермолаев В.Л.
  • Кондакова В.П.
  • Липовский А.А.
  • Серов А.П.
SU495014A1
ФОСФАТНОЕ СТЕКЛО ДЛЯ ПОГЛОЩАЮЩИХ ОБОЛОЧЕК ДИСКОВЫХ АКТИВНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ 2014
  • Арбузов Валерий Иванович
  • Ворошилова Марина Васильевна
  • Никитина Светлана Игоревна
  • Смирнов Роман Владимирович
  • Федоров Юрий Кузьмич
RU2554961C1
АКТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ЖИДКОСТНЫХ ОПТИЧЕСКИХ КВАНТОВЫХ ГЕНЕРАТОРОВ И УСИЛИТЕЛЕЙ 2008
  • Дьяченко Петр Петрович
  • Серегина Елена Андреевна
  • Тихонов Геннадий Викторович
RU2398324C1
ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЙ ИСТОЧНИК ОПТИЧЕСКОГО ИЗЛУЧЕНИЯ С ГРЕБЕНЧАТЫМ СПЕКТРОМ 2007
  • Дмитрюк Александр Васильевич
  • Савостьянов Владимир Алексеевич
RU2351046C2
ЛАЗЕРНОЕ ФОСФАТНОЕ СТЕКЛО 2012
  • Патрикеев Алексей Павлович
  • Белоусов Сергей Петрович
  • Герасимов Владимир Михайлович
  • Игнатов Александр Николаевич
  • Поздняков Анатолий Ермолаевич
  • Суркова Валентина Федоровна
  • Авакянц Людмила Игоревна
RU2500059C1
АКТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ОПТИЧЕСКИХ КВАНТОВЫХ ГЕНЕРАТОРОВ 1995
  • Лазорян Б.И.
  • Васильев Е.В.
  • Голубев В.Н.
  • Струненкова Т.В.
  • Жданова А.Н.
RU2086063C1

Реферат патента 1969 года АКТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ ОПТИЧЕСКИХ КВАНТОВЫХ ГЕНЕРАТОРОВ И ОПТИЧЕСКИХ КВАНТОВЫХ УСИЛИТЕЛЕЙ

Формула изобретения SU 238 026 A1

SU 238 026 A1

Авторы

И. М. Бужинский, М. Е. Жаботинский, Ю. П. Рудницкий, В. В. Цапкин,

И. В. Цапкина Г. В. Эллерт

Институт Радиотехники Электроники Ссср

Даты

1969-01-01Публикация