ДЕЛИТЕЛЬ ЧАСТОТЫ ИМПУЛЬСОВ Советский патент 1969 года по МПК H03K3/30 

Устройство относится к области импульсной тех1НИ1КИ. Известно устройство для деления частоты, содержащее транзисторный мультивибратор, в котором базы транзисторов соединены между собой через диоды, дроссели и вторичную обмотку входного трансфор матора. Недостатком устройства Я вляется заврпсимость коэффициента деления от падения напряжения на разделительном диоде, приводящая к уменьшению допустимого коэффициента деления. В лредложенном делителе этот недостаток устранен за счет того, что IB нем базы транзисторов соединены через дроссель и вто;ричную обмотку входного трансформатора. На фиг. 1 изображена .схема устройства, которое содержит мультивибратор / с трансформаторными связями, транзисторы 2, дроссель 3 н входной трансформатор 4. На фиг. 2 иоказаны временные диаграм.м-ы напряжений в различных точках схемы, где обозначено; LBX - входное напряжение; др - падение напряжения на дросселе; вых - выходное напряжение. Делитель частоты работает .следующим образ о.м. 5 10 15 20 25 30 напряжения .на базе транзистора U. Соотношение величин этих напряжений быть взято любым. Однако оптимальным для получения максимума коэффициента деления является равенство напряжений Uf и 1. Пара.метры дросселя выбираются так, чтобы его насыщение происходило через нечетное число полупериодов входной частоты, равное коэффициенту деления. При насыщении сердечника дросселя под действием напрял ения f/вх+ б открытий транзистор закрывается, а закрытый открывается. Носле этого при иервой смене полярности входного напряжения t/вх дрзссель начинает перемагничиваться в обратную сторону. образом, обеспечивается деление частоты в нечетное число раз. Допустимая величина коэффициента деления определяется нестабпльностью напряжеНИИ 6вх и UQ и нестабильностью индукции насыщения сердечника дросселя. Предмет изобретения Делитель частоты импульсов, содержащий мультивибратор на транзисторах с трансформаторной обратной связью, дроссель и входной трансформатор, отличающийся тем, что, с целью упрощения устройства и повыщения допустимого коэффициента деления, базы транзисторов соединены через дроссель и вто BbixfSbix

--- toi} i

71

V3f

Ui,

.2