ДВУХТАКТНЫЙ ТРАНЗИСТОРНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ КЛАССА «В» Советский патент 1969 года по МПК H03F3/20 

Двухтактные усилительные каскады класса «В с транзисторами мощными или средней мощности, включенными по схеме с общим эмиттером, являются одним из наиболее щироко распространенных элементов схем, в частности, электронных блоков в системах автоматического регулирования на переменном токе.

Педостатками известных устройств являются низкая температурная стабильность усилителя и возможность пробоя перехода база - эмиттер усилительных транзисторов входным сигналом большой величины.

Описываемое устройство отличается тем, что входы мощных усилительных транзисторов двухтактного каскада класса «В, включенных с общим эмиттером, щунтируются маломощными транзисторными ключами, которые при отсутствии входного сигнала насыщены, и, следовательно, активное сопротивление в базах мощных транзисторов мало. При появлении сигнала на входе часть этого сигнала используется для управления ключами. В зависимости от мгновенной полярности входного сигнала ключи попеременно размыкаются, и мощный транзистор, в цепи которого ключ разомкнут, усиливает входной сигнал. Для предотвращения перегрузки источника входного сигнала транзисторными ключами между вторичной обмоткой входного трансформатора и базами усилительных транзисторов включены

диоды, которые при замкнутых ключах не проводят входной сигнал.

Предлагаемое устройство снижает в несколько раз неуправляемую паразитную мощность, рассеиваемую в усилительных транзисторах, обеспечивает тепловую устойчивость усилительных транзисторов независимо от активного сопротивления вторичной обмотки входного трансформатора, а также предотвращает возможность возникновения обратного напряжения на переходе база - эмиттер в щироком диапазоне входных сигналов.

На чертеже представлена принципиальная схема описываемого устройства.

Принцип действия устройства заключается в следующем.

В исходном состоянии, когда сигнал на входе отсутствует, маломощные транзисторы /и2 находятся в состоянии насыщения. Режим насыщения задается постоянным током от источника питания с помощью сопротивлений 3-5 для транзистора / и сопротивлений 6-8 для транзистора 2. Поскольку для схемы выбраны маломощные транзисторы с высоким коэффициентом усиления, то для их насыщения требуется незначительный ток и от источника питания отбирается незначительная мощность. Так как транзисторы 1 н 2 работают при малых напряжениях коллектора, то, выбрав состоянии иасыщения получить очень малое остаточное напряжение коллектор - эмиттер для транзисторов / и 2. Это означает, что потенциал базы мощных усилительных транзисторов 9 и 10 практически равен нулю и при отсутствии сигнала на входе они включены с общей базой, а не с общим эмиттером, т. е. обеспечен режим максимальной температурой стабильности. Как только пололсительный сигнал на базе транзистора 2 превысит отрицательное смещение от источника питания (а это произойдет при небольщой величине сигнала), транзистор 2 закроется, и сопротивление коллектор- эмиттер этого транзистора сравнительно с сопротивлениями других участков схемы станет бесконечно больщпм. Входной сигнал через диод 11 поступает на базу мощного транзистора 10 и усиливается им, поскольку транзистор // заперт.

В этот момент диод 12 закрыт, а транзистор 1 еще более насыщается. При дальнейщем увеличении входного сигнала мгновенной полярности транзистор 2 еще более закрывается, транзистор / еще более насыщается, а транзистор 10 работает в линейном усилительном режиме с общим эмиттером, причем диод 12

заперт, и при любой величине входного сигнала напряжение база - эмиттер транзистора 9 практически равно нулю.

5Предмет изобретения

Двухтактный транзисторный усилитель класса «В, содержащий два усилительных транзистора, включенных но схеме с общим эмиттером, входной и выходной трансформаторы, отличающийся тем, что, с целью повышения температурной стабильности усилителя и предотвращения пробоя перехода база - эмиттер усилительных транзисторов входным сигналом больщой величины, между базами

5 усилительных транзисторов и средней точкой вторичной обмотки входного трансформатора включены транзисторные ключи, причем начало вторичной обмотки соединено с базой транзисторного ключа, коллектор которого вместе

0 с базой усилительного транзистора подключен через диод к концу вторичной обмотки входного трансформатора, а конец этой обмотки соединен с базой транзисторного ключа, коллектор которого вйесте с базой усилительного

5 транзистора подключен через диод к началу обмотки.