ДАТЧИК УРОВНЯ ГИДРОСТАТИЧЕСКОГО НИВЕЛИРА Советский патент 1969 года по МПК G01C9/22 

Изобретение относится к области геодезического приборостроения, и в частности, к приборам для измерения уровня жидкости в гидростатических системах нивелирования.

Известны гидростатические нивелиры, содержащие датчик уровня жидкости, выполненный в виде цилиндрического -световода, заточенного на конце под углом лолного внутреннего отражения света, осветителя, установленного над световодом, и фотоприемника, расположенного под уровнем жидкости. Перемещение световода фиксируется датчиком перемещений.

Однако известные датчики сложны конструктивно.

Описываемый датчик уровня жидкости имеет более простую конструкцию, все элементы в нем собраны в одном блоке, что достигается тем, что в нем осветитель и фотоприемник расположены непосредственно на торцевой поверхностисветовода, первый из которых вылолнен, например, в виде электролюминесцентного слоя, а второй - в виде р-п-полупроводникового перехода.

Такое выполнение датчика упрощает его конструкцию и уменьщает влияние степени прозрачности жидкости.

На торце световода 1, заточенного под конус под углом ПОЛНОГО внутреннего -отражения света, установлен осветитель 2. Свет от него, отрал аясь от конца световода, цопадает на фотоприемник 3, также установленный на торце световода.

В момент касания концом световода -поверхности жидкости при образовании мениска часть света из световода поглотится жидкостью, что и регистрируется фотоприемником.

В качестве осветителя может служить обычная лампа накаливания либо, например, электромагнитный источник света, нанесенный не-посредственно на торце световода.

Предмет изобретения

Датчик уровня гидростатического нивелира, содержащий световод, заточенный на -конце под углом полного внутреннего отражения света, осветитель и фотоприемник, отличающийся тем, что, с целью упрощения конструкции и уменьшения влияния степени прозрачности жидкости, осветитель ,и фотоприемник расположены непосредственно на торцевой поверхности световода, первый из которых выполнен, например, в виде электролюминесцентного слоя, а второй - в виде р-п-полупроводникового перехода.