ВЫСОКОЧАСТОТНЫЙ ТУННЕЛЬНЫЙ ДИОД Советский патент 1970 года по МПК H01L29/88 

Изобретение относится к производству полупроводниковых приборов с -отрицательным сопротивлением.

Известны высокочастотные туннельные диоды, например, типа 1И102 ЖК3.362.04в ТУ, у которых концентрация в р-с-бла-:ти р-п-перехода значительно превышает концентрацию носителей в я-области. Недостатком приборов такого типа является высокий коэффицие-нт шума.

Цель настоящего изобретения - создание СВЧ-туННельного ди-ода с уменьшенным коэффициентом шума.

Сущность изобретения заключается в том,

что при фиксированно,м значении поиведенной п+р у.2

где

концентрации

пр )

п - концентрация донорной примеси;

р - концентрация акцепторной примеси, определяющей величину предельной частоты прибора, соотношение концентраций пир изменяют таким образом, чтобы величина отрицательного сопротивления, а следовательно, и шумы диода уменьшались.

Форма вольтамперной характеристики, а следовательно, и величина отрицательно;го сопротивления диода зависят от величины вырождения с ft и р стороны. Так как зависимость от концентрации положения уровня

Ферми для вырожденното материала более слабая, чем для материала р-типа, то, изготавливая туннельный диод с концентрацией п-примеси, равной концентрации р-примеси или превышающей ее, .можно уменьшить отрицательное сопротивление диода и его шумы, не меняя частотного иредела диода.

Высокочастотный туннельный диод представляет собой .полупроводниковый лрибор с концентрацией легирующих примесей IQis- 10-21 ат/смз, причем концентрация примеси в п-области близка к концентрации примеси в исходном материале р-типа или превышает ее. Такого соотношения концентраций достигают применением предельно низких температур вплавления, при которых исходный полупроводник еще растворяется в электродном материале, и высоких скоростей охлаждения при получении туннельного р-п-перехода.

Предмет изобретения

Высокочастотный туннельный диод, имеющий концентрацию легирующих примесей в вырожденных р и п областях IQis-lOsi аг/с,«, отличающийся тем, что, с целью улучшения его шумовых характеристик при неизменном значении предельной частоты, концентрация примеси п-области близка к концентрации примеси в р-области или превышает ее.