ЭЛЕКТРОВАКУУМНЫЙ ПРИБОР Советский патент 1970 года по МПК H01J23/10 H01J25/42 

Изобретение относится к электронной СВЧтехнике, в частности к устройствам для поддерл ания постоянного по величине магнитного поля при изменениях температуры магнитной системы.

Обычно для компенсации обратимых изменений индукции в магнитных системах из феррита бария (например, в магнитных периодических фокусирующих системах с синусоидальным полем, спроектированных на кольцевых магнитах) применяются точеные из литого термосплава кольцевые шунты.

Известные литые термосплавы не имеют устойчивой технологии, гарантирующей необходимую высокую повторяемость свойств, так как изменение в их составе одной из компонент никеля даже на 0,2% смещает точку Кюри термосплава на 10°С. Поэтому, чтобы использовать термошунтированные системы в прецизионной аппаратуре, приходится производить многочисленные плавки заготовок сплава и жесткую его разбраковку с контролем свойств заготовки под каждый щунт, что резко удорожает стоимость термостабилизированных приборов и создает большие трудности для поставщика термосплава. При использовании ряда марок термосплавов в МПФС необходимо выполнять трудоемкую работу по выбору тиг оразмеров кольцевых термошунтов

и изготавливать для каждой марки термосплава свой размер термошунта.

Предлагаемый электровакуумный прибор отличается тем, что термошунт выполнен в виде спирали из термомагнитной проволоки. Такой термощунт быть оасположен вне корпуса прибора, на коопусе прибора или на постоянных магнитах системы.

На фиг. / ШУНТ навит на колбу игольчатой лампы ЛБВ О-типа (колба электровакуумной части прибора юстируется в МПФС); на фнг. 2 термонгунт располол ен на МПФС (система жестко насажена на колбу металлокерамического прибора), содержащую кольцевые магниты /. дисковые полюсные наконечники .2, спиральные термощунты 3.

Если собрана с заданным законом распределения максимальных полей вдоль стабилизируемого электронного потока (например, МПФС с нарастающим полем в пиках периодики к концу лампы), то можно менять число витков спирального термошунта на единицу длины лампы или системы, или, если проволока тонка, число слоев проволоки в термошунте.

Спираль из термосплава может быть использована и при экспериментальной доработке щунта как для фокусирующих систем, так и для приборов магнетронного типа (см. фиг. 3).

Меняя число витков или их частоту и место расположения витков на магните, следя за частотой магнетрона, работающего в зазоре нагреваемого магнита, определяют размер шунта для компенсации обратимых изменений поля нри изменении температуры магнитной системы (источником нагрева может быть и магнетрон).

В случае применения приборов М-типа с магнитами спиральный термошунт (за счет изменения шага спирали) легко менять по форме и тем компенсировать разброс в свойствах термосплава в различных партиях материала. При изменении шага спирали ее витки попадают в зазоры с различной разностью потенциалов (существенно меняющейся вдоль магнита) и соответственно различной температурной зависимостью проницаемости термосплава.

Описываемый спиральный термошунт в той или иной модификации применим почти для всех известных магнитных систем.

В фокусирующих системах спиральный щунт, навитый на колбу лампы, кроме выпол&& - r& WWWWWWнения своей основной функции - перераспределения магнитных полей с изменением температуры, так чтобы в рабочем объеме лампы магнитный поток оставался постоянным, улучшает распределение фокусирующего потока, действуя как выпрямитель магнитного поля.

Предмет изобретения

1. Электровакуумный прибор, содержащий корпус, магнитную систему на постоянных магнитах, расположенную вне корпуса прибора, и термошунт из сплава с аномальной (близкой к прямой) зависимостью магнитной

проницаемостью от температуры, отличающийся тем, что, с целью компенсации обратимых температурных изменений магнитного поля, термощунт вынолнен в виде спирали из проволоки и расположен вне корпуса прибора.

2. Прибор по п. 1, отличающийся тем, что термошунт расположен вне корпуса прибора. 3. Прибор по п. 1, отличающийся тем, что термошунт расноложен на постоянных магнитах системы.