МУЛЬТИВИБРАТОР НА ЭКВИВАЛЕНТЕ ДВУХБАЗОВОГО ДИОДА Советский патент 1970 года по МПК H03K3/335 

Известны схемы мультивибраторов на эквиваленте двухбазового диода.

Предложенный мультивибратор на эквиваленте двухбазового диода содержит транзистор п - р - п, эмиттер которого подключен между конденсатором и резистором времязадающей цепи, а база - к средней точке делителя напряжения; кроме того, мультивибратор содержит транзистор р-п-р-тина.

Оггисываемое устройство отличается тем, что коллектор р - п - р транзистора подключен через параллельно соединенные резистор и полупроводниковый диод к средней точке делителя лалряжения.

Указанное отличие обеспечивает повышение температурной стабильности частоты следования импульсов.

Принципиальная схема мультивибратора на эквиваленте двухбазового диода дана на чертеже.

Мультивибратор содержит транзистор 1 п-р-п-типа, транзистор 2 р-п-р-типа, сопротивление 3 времязадающей / С-цепочки, конденсатор 4 времязадающей 7 С-цепочки, сопротивление 5 нагрузки второго р - п - р транзистора, сопротивление 6 верхнего плеча делителя напряжения, сопротивление 7 нижнего нлеча делителя напряжения, конденсатор 8 связи, полупроводниковый диод 9 связи.

Предлагаемый мультивибратор работает следующим образом.

В момент отпирания транзистора / и резкого возрастания его коллекторного тока, приводящих к значительному увеличению коллекторного тока транзистора 2, нерепад напряжения, возникший на сопротивлении 5, передается на базу транзистора / через конденсатор 8 связи. Такая передача осуществляется до тех пор, пока потенциал коллектора транзистора 2 не станет более положительным, чем потенциал базы транзистора /. В этот момент открывается диод 9 и возникает гальваническая связь коллектора транзистора 2 со средней точкой делителя напряжения и базой транзистора /, вследствие чего обеспечиваются условия формирования вершины импульса и запирания по постоянному току.

Предмет изобретения

Мультивибратор на эквиваленте двухбазового диода, содержащий транзистор п - р - п, эмиттер которого нодключе) между конденсатором и резистором времязадающей цепи, а база - к средней точке делителя нанрял ения, и транзистор р - п - р, база которого подключена к коллектору п-р - п транзистора, эмиттер - к положительному полюсу источника питания, коллектор - через резистор к отрицательному полюсу источника питания, отличающийся тем, что, с целью повышения температурной стабильности частоты следования импульсов, коллектор р - п - р транзистора

подключен через .параллельно соединенные резистор и полупроводниковый диод к средней, точке делителя напряжения.

а f

Hh

f о