МНОГОСЛОЙНАЯ Советский патент 1974 года по МПК H01L27/00 

Известна nloтocлoнIlaя структура полупроводниковото прибора, содержащая не менее четырех слоев, чередующихся но типу проводимости, и выход по крайней мере от одиой из базовых областей, к которому иримыкает слой эмиттерной области, свободной от омического контакта.

Цель изобретения - создание коиструкции, которая позволяет умеиьщить время лавинного роста тока ири включении тириетора, а следовательно, ускорить рост анодного тока и уменьщить перегрев включенной зоны.

Предлагаемая структура отличается тем, что на свободной от омического контакта части эмиттера имеется участок е улучщенным отводом тепла, отделенный от площадп эмиттерного электрода и границы выхода эмиттериого нерехода на новерхность участками иолунроводпика с поверхностью, защищенной диэлектриком.

Па чертеже представлена четырехслойная структура.

Она содержит металлическое покрытие 1 и слой диэлектрика 2.

Такая конструкция четырехслойноп структуры допускает повышепиую частоту включений. Это обусловлено тем, что при прохождении анодного тока первоначально но .металлизированной части п-эмиттериого слоя

последний нагревается и увеличивает свое электрическое сонротивление. Тогда прп последующем имиульсе управления в этом более нагретом месте плотность тока управления оказывается меньщей, чем в остальных, менее нагретых местах периферии п-эмиттерного слоя, и структура включается в другой точке. образом, в работе могут участвовать примерно больншиство участков периферии н-эмиттериого слоя.

)

Применение данной конструкции иозвокоторый допускает ляет создать тиристор, скорость иарастаиия

анодного тока 3-10- а/сек при работе в

импульснол режиме пл частоте 1000 гц.

Предмет изобретеиия

Многослойная структура полупроводникового прибора, сод,ержащая ие менее четырех слоев, чередующихся но тииу проводимости, и вывод но крайней от одной из базовых областей, непосредственно к которому примыкает слой эмиттериой области, свободный от омического контакта, отличающийся тем, что, с целью повышения допустимой величины скорости нарастания анодного тока ири включении структуры, рабочей частоты следования импульсов тока, а также 1сключеиия искрения и эрозии поверхиости стинки, на свободной от омическог-о контакта части эмиттера имеется участок с улучшенны.м теплоотводом, отделенный от площади эмиттерного электрода и границы выхода ,4 эмиттерного перехода на поверхность уча стками полупроводника с защищенной диэлектриком поверхностью,