Известны электрические лампы накаливания с телом накала из полупроводникового материала.
Предлагаемая лампа отличается тем, что полупроводник легирован донорными или акцепторными примесями, вносящими уровни не глубже 0,5 эв от соответствующей зоны и в концентрации , а для облегчения самостоятельного зажигания - не глубже 0,3 эв. Тело накала может быть изготовлено из карбида кремния, легированного азотом или бором.
Эти отличия нозволяют создать устойчивый режим нагрева тела накала.
Предмет изобретения
1.Электрическая лампа накаливания с телом накала из полупроводникового материала, отличающаяся тe, что, с целью создания устойчивого режима нагрева тела накала, полупроводник легирован донорными или акцепторными примесями, вносящими уровни не глубже 0,5 эв от соответствующей зоны и в концентрации lOi - Шзо .
2.Лампа по п. 1, отличающаяся тем, что, с целью облегчения самостоятельного зажигания, тело накала легнровано примесями, вносящими уровни не глубже 0,3 se.
3.Лампа по п. 1, отличающаяся тем, что тело накала изготовлено из карбида кремния, легированного азотом или бором.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ОМИЧЕСКОГО КОНТАКТНОГО СЛОЯ И ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО II-VI ГРУПП | 1992 |
|
RU2151457C1 |
СПОСОБ ЛАЗЕРНОГО ОТДЕЛЕНИЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛЕНКИ ИЛИ СЛОЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПЛЕНКИ ОТ РОСТОВОЙ ПОДЛОЖКИ ЭПИТАКСИАЛЬНОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ (ВАРИАНТЫ) | 2011 |
|
RU2469433C1 |
СИНЕ-ЗЕЛЕНЫЙ ЛАЗЕРНЫЙ ДИОД | 1992 |
|
RU2127478C1 |
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ p-n ПЕРЕХОДОВ В КРЕМНИИ | 2004 |
|
RU2331136C9 |
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКА И ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО | 2009 |
|
RU2520283C2 |
КВАНТОВО-РАДИОИЗОТОПНЫЙ ГЕНЕРАТОР ПОДВИЖНЫХ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА И ФОТОНОВ В КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЕТКЕ ПОЛУПРОВОДНИКА | 2015 |
|
RU2654829C2 |
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ВЫСОКОВОЛЬТНОГО КАРБИДОКРЕМНИЕВОГО ДИОДА НА ОСНОВЕ ИОННО-ЛЕГИРОВАННЫХ P-N-СТРУКТУР | 2013 |
|
RU2528554C1 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ФОТОЭЛЕКТРОННОЙ ЭМИССИИ В ВАКУУМ | 2003 |
|
RU2249877C2 |
ДАТЧИК ТЕМПЕРАТУРЫ | 1991 |
|
RU2037791C1 |
Полупроводниковый источник света | 1990 |
|
SU1774400A1 |
Даты
1970-01-01—Публикация