Изобретение относится к области СВЧ и может быть применено в устройствах для ослабления мощности, амплитудной модуляции, а также в системах для управления СВЧ-сигналом.
Известны электрически управляемые аттенюаторы на симметричных полосковых линиях, принцип действия Которых основан на использовании полупроводниковых структур, например р-i-п-диодов, размещаемых на расстоянии Я/4 друг относительно друга.
Предлагаемый аттенюатор отличается от известных тем, что между центральной полоской и заземленным корпусом несимметричной линии введена система экранирующихпластин, на каждой из которых установлен управляемый диод. Пластины присоединены к схеме управления, в результате чего улучшаются фазовые характеристики линии.
На чертеже изображен Предлагаемый аттенюатор.
Диоды 1 р-i-п расположены «а экранирующих пластинах 2, которые имеют больщую площадь и изолированы от заземленного корпуса 8 диэлектрической прокладкой 4. Емкость диэлектрических пластин относительно корпуса значительно превосходит емкость диодов. К последним сверху примыкает полоска 5 несимметричной нолосковой линии с воздушным диэлектриком, прижимающаяся к
диодам диэлектрическими прижимами 6, установленными в местах, в которых отсутствует электрическое поле. Диоды располагаются в центре экранирующих пластин в специальных углублениях.
Длина экранирующих пластин несколько меньше, например на 0,3 мм величины л/4, где л - длина волны, на которую рассчитывается аттенюатор. Ширина нластин равна ширине заземленного корпуса. Зазоры между экранирующими пластинами сдвинуты относительно положения диодов на К/8. Полоска нолосковой линии непосредственно присоединяется к коаксиально-полосковому переходу. Полосковая линия имеет П-образную форму, которая способствует наделсности конструкции при низких температурах, так как полоска указанной формы с двумя прямыми углами обеспечивает необходимую темнературную компенсацию без разрыва и заметного рассогласования высокочастотной лннии.
Схема управления р-t-д-диодами, входящая в конструкцию аттенюатора, подключается к периферийным участкам экранирующих пластин в местах, в которых отсутствует высокочастотное (поле, и обеспечивает зависимое друг от друга питание диодов. Экранирующие пластины соединяются между собой сопротивлениями 7.
щим образом. При установке тока управления, являющегося суммарным током, протекающим через все диоды, произойдет затухание СВЧ-сигнала, зависящее от величины тока управления. Наряду с внесением необходи 1ого затухания в СВЧ-линию происходит распределение токов по диодам, и вследствие этого проводимость диодов приобретает такую величину, при которой сохраняется согласование аттенюатора. В связи с тем, что неоднородность поля в местах зазоров между экранирующими пластинами мала, суммарный эффект отражения от диодов и зазоров проявляется слабо, при этом КСВН изменяется незначительно.
Предлагаемая конструкция аттенюатора обеспечивает отсутствие рассогласования в широкой полосе частот при затухании до 40 дб и более при наличии всего четырех р-L-«-диодов.
Конструкция аттенюатора позволяет одновременно получить фазовый сдвиг не более ±5° на частоте фазовой компенсации при затухании до 50 дб и более. Аттенюатор не обладает паразитными резонансными явлениями, а через цепь управления не излучается высокая частота, поэтому, не требуется фильтра. Связь с линией непосредственная.
Предмет изобретения
Электрически управляемый аттенюатор, содержащий передающую несимметричную иолоскозую линию, СВЧ-диоды и схему управления, отличающийся тем, что, с целью улучщения фазовой характеристики, каждый из диодов установлен в центре экранирующей пластины, изолированной от корпуса и присоединенной к схеме управления.
название | год | авторы | номер документа |
---|---|---|---|
МИКРОПОЛОСКОВЫЙ p-i-n-ДИОДНЫЙ СВЧ-ВЫКЛЮЧАТЕЛЬ | 2010 |
|
RU2438214C1 |
ВОЛНОВОДНО-ПОЛОСКОВЫЙ ДЕЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ | 1969 |
|
SU254598A1 |
Коаксиальный аттенюатор | 1976 |
|
SU564671A2 |
СХЕМА УПРАВЛЕНИЯ АТТЕНЮАТОРА СВЧ НА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДАХ | 1970 |
|
SU278800A1 |
СПОСОБ АМПЛИТУДНОЙ И ФАЗОВОЙ МОДУЛЯЦИИ СВЧ-СИГНАЛА И УСТРОЙСТВО ДЛЯ РЕАЛИЗАЦИИ ЭТОГО СПОСОБА | 2003 |
|
RU2236724C1 |
ПОЛОСКОВЫЙ НАПРАВЛЕННЫЙ ОТВЕТВИТЕЛЬ | 1999 |
|
RU2174729C2 |
СЕЛЕКТИВНОЕ УСТРОЙСТВО ЗАЩИТЫ НА ВСТРЕЧНЫХ СТЕРЖНЯХ | 2011 |
|
RU2456719C1 |
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ИЗМЕРЕНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛУПРОВОДНИКОВ БЕСКОНТАКТНЫМ СВЧ МЕТОДОМ | 2010 |
|
RU2430383C1 |
Фазовращатель | 1989 |
|
SU1788537A1 |
ФАЗОВРАЩАТЕЛЬ СВЧ | 1994 |
|
RU2079936C1 |
Даты
1970-01-01—Публикация